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InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究 总被引:1,自引:0,他引:1
简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性,该器件具有增强型脊型波导结构,在80K时阈值电流为0.5A,相应的阈值电流密度为5KA/cm^2。 相似文献
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RapidThermalAnnealingofPr~(3+)andEu~(3+)ImplantedSilicon¥LiuShixiang;ShiWanquan;LiuXuejun(GraduateSchool,AcademiaSinica,Beijin... 相似文献
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量子级联激光器具有效率高、体积小、功耗低、波长可大范围选取的特点,已经被广泛应用于定向红外对抗系统、自由空间光通信和痕量气体传感等领域。回顾了量子级联激光器近20年的进展。首先总结了量子级联激光器的总体发展历程和发光原理;接着介绍了主要用于定向红外对抗的大功率量子级联激光器的几种典型有源区结构设计,然后讨论了气体传感用的单模分布反馈量子级联激光器;接着又论述了单片集成高亮度量子级联激光器相干阵列的研究情况;此外,还介绍了自由空间通信用的量子级联激光器的发展情况;最后,描述了近些年才出现中红外量子级联激光器光频梳的研究进展。 相似文献
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1994年美国贝尔实验室采用InGaAs/InAIAs量子ot/超晶格材料率先研制成功了10K下脉冲激射波长为4.26pm的量子级联激光器,开创了利用宽带隙材料研制中,远红外半导体激光器的先河,而其与传统激光器遇异的实现受激发射的方式,也在半导体激光器的发展史上书写了新的篇章.量子级联激光器是利用单极载流子(电子或空穴)注入进一系列级联式耦含量子讲产生子带间粒子数反转分布,进而利用子带间的受激跃迁而产生受激辐射的单极半导体激光器.这种单极粒子跃迁辐射具有单向们振(TM波)性,极适合于具有耳语回廊… 相似文献
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应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。 相似文献