CdTe多晶薄膜的干法腐蚀

我们采用等离子束轰击的方法,研究了干法腐蚀对多晶CdTe薄膜结构和性能的变化,以及对CdTe太阳电池性能的影响。发现与湿法腐蚀方法相比,等离子束溅射轰击不仅可以彻底清除表面的氧化层,而且可以同时改善表面的微粗糙度,增强薄膜的附着力。通过对不同腐蚀方法所制成的CdTe电池器件的性能测试,得出了电池性能较好的干法腐蚀工艺条件。     

CdS多晶薄膜的制备及性质研究

分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.对制备样品的表征结果表明:(1)两种方法制备样品都沿(002)晶向择优生长,属于六方相多晶结构,但择优取向度不同;(2)CdS薄膜表面连续而致密,粒径均匀,但两种工艺制备样品的S:Cd原子比有较大差异;(3)CdS薄膜的光能隙在2.39～2.44eV之间,电子束蒸发制备样品光能隙稍小.分析认为,两种方法制备样品的上述差异可能与衬底温度、沉积时间及成膜机制的不同相关.     

微晶／非晶Si：C：H半导体多层膜的结构研究

采用普通辉光放电分解硅烷的方法，沉积具有交替微晶和非晶Ｓｉ：Ｃ：Ｈ亚层的多层样样品。从喇曼散射结果分析，样品具有明显的微晶和非晶两仃结构；在低角度Ｘ射线衍射谱中，观察到了多级的衍射峰，了多层结构的存在。     

ZnTe薄膜特性研究

用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜.用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相.室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计算出光能隙.重掺Cu的薄膜具有反常电导温度关系.     

低温制备透明SnO2:F薄膜的光电性研究

SnO2：F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文在超声喷雾热解成膜技术基础上,对沉积装置进行了改进,同时对反应液配方进行了优化,在较低温度制备出透明SnO2：F导电薄膜。用XRD、UV／Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究。结果表明,在360℃积温度下制备的SnO2：F薄膜,其方块电阻为4．7Ω,(200)面择优取向明显,薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善,透明度有所提高。     

太阳电池中CdS薄膜的制备及其性能的研究

分别采用化学池沉积(CBD)和真空蒸发法,在三种衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积CdS薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)等方法对沉积膜进行了测试分析,同时阐述了两种不同方法下CdS膜的生长沉积机制。     

Cd0.8Zn0.2S 薄膜的结构和光学性质

采用真空共蒸发法在玻璃衬底上制备了Cd1-xZnxS薄膜,并用XRD、XRF以及光学透射谱对刚沉积薄膜的结构、组分和光学性质进行了表征。刚沉积的薄膜为六方结构,沿(002) 择优取向。XRF测试结果表明石英振荡法监控的薄膜组分与XRF 获得的结果非常好地吻合。由Cd0.8Zn0.2S薄膜的光学透射谱,通过Swanepoel 原理与Wemple- DiDomenico 单振子模型,推导出薄膜的光学参量,如折射率、单振子能量、色散能、吸收系数、光学能隙等。     

ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究

为了提高CdTe太阳电池的效率,ZnS/CdS单带差超晶格被创新性地提出.用射频磁控溅射法制备了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜,用SEM观察样品截面,分层清晰;测试了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图,在300～800nm波长范围内存在4个明显的透过峰.相较于CdS单层膜与ZnS单层膜,ZnS/Cds单带差超晶格薄膜在可见光短波部分的光谱响应十分明显,说明Zns/Cds单带差超晶格薄膜的电子能带与光子吸收方式发生了明显的变化.理论上可以提高CdTe太阳电池的效率.