微机械可调谐滤波器的研制

利用 Ga As/Al Ga As分布反馈 Bragg反射镜在 Ga As衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器 .该器件在 7V调谐电压下调谐范围达28nm     

一种新型高性能光电探测器结构的研究

近来获得极大发展的谐振腔光电探测器具有引人注目的波长选择特性，并且实现了器件量子效率与带宽的渡越时间分量之间的解耦。     

重掺杂能带结构的变化对突变HBT电流影响

基于禁带变窄量在导带和价带之间的分布比例与掺杂浓度相关的Jain-Roulston模型,研究了重掺杂能带结构的变化对突变异质结HBT电流影响.研究表明:禁带变窄量在导、价带间分布模型选用的不同,计算结果之间有明显的差别,基于Jain-Roulston分布模型的结果同实验测量符合很好.因此对于突变HBT性能分析,必须精确考虑重掺杂禁带变窄量在能带上的具体分布.     

用改进的遗传算法提取PIN光探测器模型参数

光探测器是光电集成电路接收机的重要组成部分,成功提取光电探测器等效模型电路的参数将会对光电集成的研究起到重要作用.将改进的遗传算法用于PIN光探测器小信号等效电路模型参数的提取和优化中,实现PIN光探测器S21、S22参数的测量值与模拟值拟合.改进后的遗传算法自动优化了遗传、杂交和变异算子,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间,提高了参数提取的速度.     

基于微型谐振腔的环形光探测器设计

提出了一种基于微型谐振腔的新型环形光探测器(MRPD),MRPD采用谐振腔和吸收腔分离的结构.MRPD避免了直波导与环形腔完全耦合时限制因子极低的问题,具有更强的可行性.导出了量子效率的表达式,分析了量子效率与谐振腔半径的关系及透射系数与光谱半高全宽(FWHM)的关系.     

单片集成GaAs基长波长谐振腔光探测器的研究

介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型(RCE)光探测器.通过两步生长法,在GaAs村底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结构和GaAs/AlAs的分布布拉格反射镜(DBR).所制备的器件在1 549.4 nm处获得了67.3%的量子效率和17 nm的光谱响应线宽,在1 497.7 nm处获得了53.5%的量子效率和9.6 nm的光谱响应线宽,而InGaAs吸收层厚度仅为200 nm.采用单片集成法,工艺简单、易于产业化,随着缓冲层技术的发展,此种RCE光探测器的性能还将获得进一步提升.     

开发减黏降阻仿生疏浚机具的可行性探讨

土壤黏附是影响疏浚机具疏浚效率的重要因素之一。根据土壤对疏浚机具的黏附机理和典型生物的减黏降阻原理以及其他触土机械的工程实践,分析开发减黏降阻仿生疏浚机具的可行性,认为开发减黏降阻仿生疏浚机具从原理和实践上是可行的,有较好的应用前景。     

基于光子晶体光纤的全光开关实验研究

在10Gb／s光传输系统中进行了以光子晶体光纤（PCF）为非线性介质的全光开关实验研究。实验中高强度光脉冲经过非线性系数为普通常规光纤36倍的25m长光子晶体光纤后，观察到了由于自相位调制效应（SPM）而导致的光谱展宽现象。实验进一步研究了基于这一效应的全光开关特性，并得到了很好的开关特性曲线。同时还发现这种全光开关具有全光波形整形和波长变换的功能，在实验中变换脉冲中心波长偏离入射脉冲波长4nm。实验结果表明，这种具有高非线性系数的光产品体光纤非常有利于器件的小型化和集成化。     

一种具有亚波长光栅结构的光探测器的设计

高速智能光纤通信系统和网络的飞速发展对光电探测器提出了更高要求.利用严格耦合波(RCWA)理论,给出了在亚波长光栅(SWG)下方具有分布布拉格反射镜(DBR)结构的理论分析模型,将这种结构作为反射镜应用于谐振腔增强型光探测器(RCE PD)的设计中.仿真表明由于SWG的引入,只需要4对λ/4厚度的InGaAsP/InP系DBR,可使整体膜系结构实现在中心波长1.55 μm处反射率达到99.7%,在1.40 μm至1.62/μm范围内反射率高于99%.引入SWG后的RCE PD在1.55 μm附近的量子效率接近90%,串扰衰减系数与量子效率的乘积超过15 dB.有效地解决了InGaAsP/InP介质膜系DBR作为谐振腔反射镜反射率低、反射带宽窄的问题.     

Design and fabrication of InP micro-ring resonant detectors

The quantum efficiency and the transient response of the InP semiconductor micro-ring resonant detector are analyzed to get the optimum design parameters.Then the side coupling micro-ring resonant is fabricated using the InP semiconductor material based on the parameters.The micro-ring resonant cavity has the raius of 80 μm,waveguide width of 3 μm and the coupler gap of 1 μm.The test results show that the FSR is 0.75 nm,and the FWHM is 0.5 nm,which are consistent with the theoretical calculation results.