基于谐振波导光栅的偏振选择广角光探测器(英文)

高性能偏振选择型光探测器是偏振检测系统中不可或缺的一部分。提出了一种由硅基谐振波导光栅和InP/InGaAs PIN光探测器混合集成的光探测器结构。利用严格耦合波分析方法设计了硅基谐振波导光栅结构,利用时域有限差分法优化了该混合集成光探测器的结构参数。数值仿真结果表明该光探测器在宽带范围内具有高量子效率、较大入射角容差及偏振选择性。该器件可以应用于偏振敏感系统中。     

2×2 InP/InGaAsP MMI-MZI型光开关设计与实验

主要研究基于多模干涉耦合器(MMI)的2×2 InP/InGaAsP马赫曾德型(MMI-MZI)光开关.开关的特性采用BPM(光束传输法)进行器件建模、参数分析与性能优化.开关的结构按照传输波导保证单模传输、低偏振敏感要求进行了设计.光开关通过载流子电注入产生的载流子吸收和带填充效应改变移相臂传输光相位.实验测得光开关在控制电压为6.4 V时可实现交叉态到直通态的倒换,开关和关态串扰分别为-20.49 dB、-19.19 dB.这种开关具有结构紧凑、制作容差大和偏振无敏感等优点,它可以很方便地和其它半导体有源器件集成,在未来DWDM系统中有着非常广泛的应用前景.     

对邦加球测量偏振模色散算法的研究

对基于邦加球的偏振模色散 (PMD)测量方法进行了充分的研究 ,利用输出偏振态的随机性 ,提出了一种比较简单而实用的算法 ,利用这种算法 ,对 11km单模光纤和 1 6 7m长保偏光纤进行了测量 ,实验证明这种算法具有很好的实用价值。     

异质结耗尽层基区侧复合对突变HBT重要性分析

基于热场发射.扩散载流子输运模型,在电流连续性方程中包含异质结(BB结)耗尽层基区侧复合电流的前提下,推导出了描述突变HBT电流特性的新解析方程.在此基础上,探讨了对BB结耗尽层基区侧复合电流各不同考虑情况下的HBT电流计算结果的差异程度.结果表明:在较高集电极电流密度处,E-B结耗尽层基区侧的复合电流很重要;此外,在电流连续性方程中包含E-B结耗尽层基区侧的复合电流,这在更高集电极电流密度处也是必要的.     

纯闪锌矿结构GaAs纳米线的等高生长研究

本文报道了金辅助生长纯闪锌矿结构GaAs纳米线,它采用金属有机化学气相沉淀技术运用气-液-固生长机制在GaAs(111)B衬底上生长而形成。实验结果显示GaAs纳米线具有圆柱状的均匀形貌,并且生长速率与直径无关。透射电子显微镜研究显示,GaAs纳米线是无缺陷的纯闪锌矿结构的晶体。实验结果表明Au-Ga合金在纳米线生长过程中是作为热解催化剂而不是扩散原子的收集器,较大的催化剂直径以及催化剂液滴中高的过饱和度是得到等高生长的纯闪锌矿结构GaAs纳米线的原因。