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第一性原理研究PDP放电单元MgO保护层各种空缺对二次电子发射系数的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了PDP放电单元中MgO保护层在形成氧空缺后的电子结构的变化.通过对能带结构和态密度分布的计算,可以看到MgO形成氧空缺后在禁带中引入了能级.本文计算了完整MgO以及含F、F~+、F~(2+)空缺的MgO晶体,得到不同能带结构和态密度分布,同时计算了相应的二次电子发射系数.结果表明空缺的形成,可有效提高二次电子发射系数,其中形成F空缺的MgO晶体的二次电子发射系数最大. 相似文献
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SWRH82B高碳盘条显微组织对断裂韧性JIC的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
采用单试样法测试了用三种不同工艺生产的SWRH82B高碳盘条的断裂韧性JIC值,计算了材料的KIC值,并对珠光体层片间距进行了测定,探讨了其组织对断裂韧性JIC值的影响。试验结果表明,SWRH82B高碳盘条的珠光体层片间距越细小,JIC值越大;SWRH82B高碳盘条的断裂韧性JIC为14.8~17.3KJ/m,KIC为56.0~60.5MPa/m^1/2。 相似文献
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本论文通过高效液相色谱(HPLC)法对3个松藻多糖组分进行单糖组成及单糖绝对构型的测定,该方法简单快速,所需的高效液相色谱仪及C18色谱柱在实验室普遍应用,为天然多糖中单糖绝对构型的测定提供参考。 相似文献
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真空铝热还原法制备高纯金属锶工艺 总被引:2,自引:0,他引:2
对真空铝热还原法制备高纯金属锶的纯度控制进行了热力学分析;探讨了锶、钡和钙的临界还原温度、蒸气压等热力学参数差异,并制定了制备高纯金属锶的工艺.结果表明:BaO最不稳定最容易被还原,CaO最稳定最难被还原,SrO介于中间;随着温度增加,锶饱和蒸气压增大,越容易被蒸馏;在1 273 K左右,锶饱和蒸气压约为钙的2.4倍,杂质钙不容易被蒸馏提纯,而锶饱和蒸气压约为钡的28.5倍,杂质钡容易被蒸馏提纯;以优等品工业碳酸锶和A199.80牌号纯铝为原料,优化工艺为还原温度(1 050±20)℃,气压0.01 kPa,还原15 h,可以获得高纯金属锶,ω(Sr)≥99.5%,ω(Ba)《0.20%,ω(Ca)《0.05%. 相似文献
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对在铣削过程中因装夹方案不同引起的框体类薄壁件整体变形的影响进行了研究.采用三维非线性动态有限元分析方法,对铣削过程中的薄壁件装夹方案进行了优选.刀具为三维造型,并以刚体形式导入ABAQUS软件,工件被定义为变形体,通过对有限元软件的操作,分别对装夹位置、装夹顺序和卸载方案三个因素在装夹过程中对框体类薄壁件产生变形的影响进行了模拟.提出了以最小加工变形为目标、装夹方案为设计变量的优化设计方案,对框体类薄壁件的加工变形控制提供了有效方案. 相似文献
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本文分析了陶瓷主轴的特点,并以重量最轻为优化目标,提出了精密、高速陶瓷主轴部件的动力学模型、教学模型及优化方法,给出了优化程序框图及实例优化结果。 相似文献
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在碳酸铝铵法制备氧化铝工艺的基础上,通过控制沉淀条件及加入晶体生长促进剂等方法,有效控制了颗粒的大小和形貌,改善了氧化铝的结晶;并使用自制的α-Al2O3粉为原料合成了铝酸盐荧光粉。结果表明:促进剂对α-Al2O3颗粒的大小和形貌影响很大,适量加入可以获得粒径1~2μm,厚度0.2~0.3μm的规则外形α-Al2O3颗粒,且分散性良好;该α-Al2O3粉反应活性高,以该α-Al2O3粉为主原料无需添加助熔剂即可通过高温固相反应法合成物相纯净、结晶良好、且粒径细小的铝酸盐荧光粉。 相似文献
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介绍了神经网络动态建模方法,以非线性两关节机器人手臂为例,用两个并联的BP网络对其进行了辨识研究,仿真结果表明,神经网络是建立机器人手臂模型的一种有效方法。 相似文献
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采用Johnson-Cook动态本构和剪切失效准则,从装夹位置角度对非对称航空薄壁件加工变形问题进行研究,获得加工变形与装夹位置关系数据;利用多元非线性回归手段,得到装夹位置与加工变形的数学模型;采用全局寻优能力较强的遗传算法优化装夹位置。结果表明:采用优化后的装夹位置较大幅度的降低了加工变形,与传统装夹位置(夹紧元件均匀分布)相比,平均变形量降低62%。 相似文献
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使用化学共沉淀法合成出VUV激发的Ba-Al12O19∶Mn2+绿色荧光粉。通过对共沉淀条件的控制,获得了Ba2+、Al3+、Mn2+离子的完全沉淀,且使其中的Al3+以结晶碳酸铝铵形式沉淀,从而避免了高温合成时容易出现的硬团聚现象;在共沉淀产物中加入了自行研制的促进剂,不仅使合成温度比传统高温固相法降低了约300~400℃,且有效地控制了BaAl12O19∶Mn2+荧光粉的颗粒大小和形貌,制备出的荧光粉颗粒呈六角片状,粒径1~2μm,且分散性良好。在eλx=147nm激发时,该荧光粉色坐标x=0.145,y=0.755。 相似文献