一种新型磷光材料的电致发光特性研究

设计与合成了一种基于Pt配合物的新型磷光材料(ppy)Pt(bcam),用其制备了相应的磷光器件,器件的结构为ITO/NPB(50 nm)/CBP(15 nm)/(ppy)Pt(bcam)(0.3-2.0 nm)/CBP(15 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(20 nm)/Mg:Ag(200 nm),并对器件的相关特性进行了研究。(ppy)Pt(bcam)磷光器件的最大发光波长为625 nm,器件的最大发光波长随驱动电压变化很小,显示了该器件磷光特性非常稳定;磷光发光层厚度为0.5 nm在驱动电压为24.25 V时亮度达到8 755 cd/m2,电流密度为499 A/m2时得到最大的电流效率3.33 cd/A。     

一种适用于数字微镜无掩模光刻的图形拼接方法

针对数字投影光刻技术大面积图形曝光的需求,提出了一种基于灰度模板调制的图形拼接方法,包括图形分割、模板设计、子图形灰度调制、子图形曝光4个步骤。图形曝光前,需要将曝光图形分割为多帧大小为1024pixel×768pixel的多个子图形,然后每个子图形与对应模板相乘,实现曝光子图形的预处理。基于数字微镜(DMD)对灰度图形的调制原理,设计了可行的边界灰度调制模板。给出了图形分割的基本方法以及模板设计的原则。计算机仿真实验展示了图形拼接的过程。实验结果表明,该方法能较好地解决大面积图形曝光存在的拼接问题,改善了图形刻蚀的质量。     

一种高精度曲率补偿带隙基准电压电路

设计一种采用电流模式和Buck’s电压转移单元对VBE进行高阶补偿的带隙基准电压源。电路采用CSMC0．5μm DPTM CMOS工艺制造。温度在-40～125℃之间变化时,基准电压源的温度系数为3．15ppm／℃,在3．5～5．0V之间的电压调整率为0．35mV／V。     

单斜率ADC行为级建模与仿真

设计了一种基于Matlab Simulink的8bit单斜率型(single-slope)模数转换器(Analog-to-Digital Converter ADC)的系统模型,此模型充分考虑实际电路中存在的多种非理想效应。通过对一个8bit single-slope进行行为级仿真,对single-slope ADC的静态特性和动态特性进行了分析,得出的有效参数可以有效地指导实际电路的设计。     

BCP层对蓝光有机电致发光器件效率的影响

采用真空热沉积的方法,在常规的三层器件基础上,通过改变空穴阻挡层BCP的厚度,制备了具有结构为氧化铟锡(ITO)/N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenan throline(BCP)/Hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg:Ag的双异质结的有机电致发光器件.结果表明,当空穴阻挡层BCP的厚度从0.1 nm逐渐增加到4.0 nm时,器件的电致发光光谱实现了从绿色到蓝绿色再到蓝色发射的转变.同时,空穴阻挡层BCP起到了调节载流子复合区域和改变器件发光颜色的作用,并且通过详细的器件结构优化证明一定厚度的BCP层显著地提高了蓝光器件的效率,达到了7.3 lm/W.     

ADN掺杂的高效率红光有机电致发光器件的制备

针对目前红光有机电致发光器件普遍存在效率低的缺点,以9,10-di-beta-naphthylanthracene(AND)为主体材料,利用真空蒸镀双掺杂的方法,制备了基于ADN的结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamineNPB/ADN:AIQ(20%):DCJTB(2%)/AlQ/Mg:Ag/Al的红光掺杂器件.测试结果表明该器件亮度可以达到3000cd/m2,EL光谱的峰值为598nm,色纯度CIE坐标为(0.59,0.41),最大流明效率为2.541m/W,比AIQ为单一主体材料的红光掺杂器件性能有很大的提高.     

基于ARM7的全彩有机电致发光器件显示系统

以ARM7芯片LPC2138为微控制器,设计了基于间接控制接口技术的全彩OLED驱动控制电路.LPC2138通过向驱动控制器SSD1355U4提供数据信号和控制信号,从而实现全彩无源OLED屏的65 k色显示,分辨率为128×128.文章主要从硬件接口设计以及驱动程序两方面详细介绍了如何实现OLED屏全彩图片显示.     

一种新型去隔行算法的FPGA实现

在分析了现有各种去隔行算法的基础上,提出了一种新型的运动自适应去隔行算法。该算法通过对传统运动检测算法的改进,提高了运动检测的精度,降低了误判的概率,可高效地区分图像的静止和运动部分,然后采用不同的算法进行去隔行,同时对运动部分采用的插值算法进行了改进,新的插值算法综合了帧内行平均算法和边缘算法的优点,插值效果有很大改善,最后给出了FPGA实现原理。实验结果表明,本文算法无论对运动图像还是对静止图像都具有很好的去隔行效果,在一定程度上弥补了传统去隔行算法边缘不够平滑,出现锯齿,细节模糊,甚至有断点、虚像等缺点。同时,算法也很好地实现了显示品质和硬件成本之间的平衡,适合应用于中端视频产品及在FPGA设计中的应用。     

Structure optimization of organic light-emitting devices

A triple layer organic light-emitting diode (OLED) with two heterostructure of indium-tin oxide (ITO)/N,N’-diphenyl-N, N’-bis(1-naphthyl) (1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine (NPB)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP)/ 8-Hydrox- yquinoline aluminum (Alq3)/Mg:Ag has been fabricated by using the vacuum deposition method. The influence of different film thickness of BCP layer on the performance of the OLEDs has been investigated. The results show that when the thickness of the BCP layer film gradually r...     

单层有机电致发光器件的电流传导机制的数值拟合分析

采用真空蒸镀的方法制备了以八羟基喹啉铝(Alq₃)为功能层的单层同质结有机电致发光器件,器件结构为indium-tin-oxide(ITO)/tris-(8-hydroxylquinoline)-aluminum(Alq₃)(x nm)/Mg:Ag.通过改变有机功能层的厚度,采用陷阱电荷限制电流(TCLC)理论对器件电流的数值拟合方法具体地研究了不同薄膜厚度的有机半导体器件内部电流的传导机制,验证了实验结果和理论推导的一致性.结果表明,Alq₃层厚度较低的单层器件随外加电压增大,器件电流经历了从欧姆电导区、TCLC区到TCLC-空间电荷限制电流(SCLC)过渡区三个区域的变化;而对于Alq₃层厚度较高的单层器件,Alq₃层中的陷阱机构增多,导致电流－电压曲线的SCLC区域消失.