一种紧缩型的SOI 3-dB多模干涉耦合器

采用线锥形结构,在silicon-on-insulator (SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型3-dB多模干涉耦合器(MMI).与普通的矩形结构3-dB MMI耦合器相比,该器件长度减少了40%.耦合器输出均衡度为1.3dB,过剩损耗为2.5dB.     

一种紧缩型的SOI3- d B多模干涉耦合器

采用线锥形结构 ,在 silicon- on- insulator(SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型 3- d B多模干涉耦合器(MMI) .与普通的矩形结构 3- d B MMI耦合器相比 ,该器件长度减少了 4 0 % .耦合器输出均衡度为 1.3d B,过剩损耗为 2 .5 d B.     

从OFC2001会议看DWDM全光网中的无源器件

概述了在2001年OFC会议上出现的新型光无源器件，介绍了光无源器件的最新进展，着重分析了几种用于DWDM光网络中的最新型光无源器件的工作原理和结构。     

SOI波导弯曲损耗影响因素的分析

采用有效折射率方法EIM(effective index method)和二维束传播算法（2D-BPM）对SOI (silicon-on-insulator）波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析. 通过模拟发现弯曲损耗随弯曲半径的增大、波导宽度的增加及内外脊高比的减小而减小. 同时，改进波导结构，例如在弯曲波导外侧刻槽可以减小SOI脊形波导的弯曲损耗.     

铅基驰豫型复合钙钛矿结构PLZST的合成研究

采用传统陶瓷烧结工艺合成了单一复合钙钛矿结构的Ｐｂ_１－ｘＬａ_ｘ（Ｚｒ_ｙＴｉ_ｚＳｎ_{１－ｙ－ｚ}）Ｏ_３体系陶瓷（简称ＰＬＺＳＴ其中０．０１≤ｘ≤０．０５;０．３５≤ｙ≤０．７０;０．０５≤ｚ≤０．２０）．研究表明：在选定的工艺条件下,立方相和正交相ＰＬＺＳＴ易合成为单一复合钙钛矿结构,而四方相ＰＬＺＳＴ的合成较困难;采用多次球磨、加适量过量ＰｂＯ（３％）、控制成型压力、选择合适的烧结温度（１３５℃）有助于合成单一复合钙钛矿结构的ＰＬＺＳＴ．