Si纳米纤维的等离子体制备工艺

本文利用电弧等离子体蒸发制备了纳米Ｓｉ纤维，通过沉积温度场的调节，确定了纤维的最佳沉积温度约６００℃，同时表征了纤维的生长过程，在一定的温度下，Ｓｉ团聚体颗粒间的“颈连接”及颗粒表面的非晶层是导致团聚体自扩散和表面扩散一维生长的直接条件。     

三相反应器的气含率与液速分布和数值模拟

研究了一定操作条件下的气液固三相鼓泡床反应器的气含率和液体轴向速度分布,讨论了气、液表观速度对气含率和液体轴向速度分布的影响,比较了三相与两相鼓泡床中气含率和液体轴向速度分布,用拟两相的双流体模型计算了三相鼓泡床中的气含率和液体轴向速度．结果表明,模拟结果与实验结果一致．     

介电超晶格研究进展

随着铁电薄膜制备技术和性能研究的发展，介电超晶格已受到人们的关注，本文简要介绍了有关介电超晶格的结构，性能及制作技术，并指出了存在的问题和可能的发展方向。     

透明导电薄膜在不同衬底上的性能对比研究

为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析.结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的,而Zn的含量则相反;在两种衬底上获得的ZAO薄膜电阻率分别为4.5×10-4Ω*cm和9.73×10-4Ω*cm,可见光透射率分别达到87.7%和81.5%.由此可见:用直流反应磁控溅射法在不同衬底上都能获得可见光透射率达到80%以上的ZAO薄膜;相比而言,在玻璃衬底上获得的ZAO薄膜电阻率低,而在透明聚酯塑料上沉积的ZAO薄膜透射性好.     

2001年美国GIS软件收入达11亿美元

20 0 1年美国 GIS软件收入达 11亿美元 ,比上年增长14 .3 %。 GIS软件的最大市场是在水、电、气等公用事业 ,它占所有 GIS软件收入的 2 1%。紧跟其后的是国家和地方政府、电讯业及负责地球资源管理的组织。此外 ,GIS软件的销售带动了 77亿美元的软、硬件和服务消费。这一消费的最大部分是用于第三方服务 ,如咨询、系统集成和数据库发展。系统集成和数据库发展几乎占总量的三分之二。非核心 GIS公司即没有发展 GIS软件应用产品公司 2 0 0 1年总收入 5 4亿美元 ,GIS方面的收入 5亿美元。 GIS软件产业的领袖ESRI的软件收入占整个产…     

美国基于地理空间的一站式门户

9.11之后 ,美国调整安全政策 ,成立了国土安全部。业内人士注意到由此而带来对地理空间数据及其技术的新的机遇。美国总统的特别助理首席信息官 Steven Cooper说 :“地理数据是一种国家财富 ,对国土安全是绝对重要的。”“在各级政府中没有强大的数据环境 ,我们就不能成功。”美国政府正在实施“Geospatial One Stop”项目 ,这一项目是关于联邦电子政府的 2 4个创议之一 ,用以改进各级政府的效力、效率和服务。“Geospatial One Stop”是建立在 NSDI(国家空间数据基础 )之上 ,以增强政府间有关地理行为的协同性。地理空间的一站式门户 …     

“上海热线”迎客1000万

1998年8月11日，“上海热线”迎来了自1996年9月22日开通以来的第1000万个探访者。“上海热线”作为我国城域网建设示范工程，在我国因特网服务领域产生了广泛、深远的影响。目前，“上海热线”的信息资源站点达124，网上数据库及应用服务逾180个。固定上网用户总数超过18万，其中VIP用户13万，Internet注册用户5万多，网络互联的流量为每天13000兆一14000兆。作为169中国公众多媒体通信网上的最佳热门站点，“上海热线”与中国科技网（上海）、上海教育与科研网、上海科技网、上海经济信息网，中国公用互联网（CHINANET）实现互联互通…     

先进表面工程技术发展前沿

先进表面工程技术是当代材料科技、真空科技与高科技的交叉领域和发展前沿,成为现代高新技术领域和先进制造业的重要前沿之一,在高性能防护涂层和功能薄膜方面应用广泛.本文综述了先进表面工程的发展趋势、工艺过程及其新进展与当代科技架构的关系以及先进表面工程技术的产业化.文章最后强调指出,在先进表面工程技术中采用远离平衡态镀膜技术、等离子体技术、激光技术、纳米技术等均取得了良好的应用效果.     

真空蒸镀聚乙烯醇薄膜

采用真空蒸发沉积(蒸镀)聚乙烯醇薄膜,通过SEM和光学显微镜观察聚乙烯醇薄膜呈现典型的岛状形式并均匀分布于衬底表面,且以梯田状台阶式长大.衬底温度是影响PVA薄膜沉积速度的主要因素.红外光谱分析表明其蒸镀薄膜的主要化学结构特点是羰基代替了部分羟基.     

脉冲偏压对电弧离子镀TiNbN硬质薄膜相结构的影响

用电弧离子镀设备,在其他工艺参数相同的条件下,通过仅改变脉冲偏压幅值的方法分别沉积TiNbN硬质薄膜,考察脉冲偏压对薄膜相结构的影响.结果表明,TiNbN硬质薄膜的相结构随脉冲偏压幅值的变化而变化:当幅值为-300 V时,得到TiN类型的(TiNb)N的固溶体;-600 V时,得到TiN和δ-NbN的混合相结构;而在-900 V时,则得到TiN和δ-NbN以及β-Nb2N三相混合结构.分析表明,脉冲偏压能够改变薄膜相结构,这与不同偏压提供的离子沉积能量,能够分别满足各个化合物生成自由能的热力学条件有关.