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101.
<正> 科学技术的进步和市场竞争的加剧,促进了生产的发展和产品品种的多样化,致使产品品种不断更新,产品寿命周期日益缩短。在这种生产经营环境下,企业被迫从过去单一品种的大批量生产转向多品种、小批量生产,以适应市场需求的变化。过去那种“20年一贯制”的产品生产现象已不存在,多品 相似文献
102.
103.
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。 相似文献
104.
文昌13-1/2油田珠江组储层主要属高孔、中高渗储层,储层胶结疏松,容易出砂。通过对文昌13-1/2油田珠江组储层的损害机理进行分析,优选了适用于文昌13-1/2油田珠江组储层的酸化体系——MH缓速酸体系。室内综合性能评价表明,MH缓速酸体系能够延缓酸岩反应速度,络合能力强,并能防止二次沉淀、抑制黏土水化膨胀、有效解除储层污染和堵塞。在WC13-1-A10、WC13-1-A7井酸化中效果显著。现场实践证明,MH缓速酸体系对文昌13-1/2油田珠江组储层具有较强针对性,对今后同类储层酸化增产措施的制定和实施有一定参考意义。 相似文献
105.
106.
107.
108.
Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷 总被引:1,自引:0,他引:1
为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2. 相似文献
109.
针对BTT导弹非线性动力学模型中的参数不确定性及系统存在未知外部干扰的问题,提出了一种基于扩张状态观测器的反演滑模控制设计方法。将系统参数不确定性和未知外界干扰作为系统的复合干扰,采用扩张状态观测器估计系统的复合干扰,并实时补偿。利用Lyapunov方法证明系统的稳定性。设计的控制器算法简单、计算量小,更易于实际工程应用。仿真结果表明,设计的控制器对导弹控制系统受到的复合干扰具有较强的鲁棒性和稳定性,满足导弹姿态快速机动和高稳定度的控制要求,性能指标明显优于滑模反演控制器。 相似文献
110.
利用形状图逻辑和形状系统来解决指针程序的分析和验证中的困难。该方法要求程序员声明各种递归结构体类型参与构建的数据结构的形状,并声明指针变量所指向的形状,以便程序分析工具能建立各程序点的形状图,并以此来支持程序验证。探讨了在指针相等关系静态可确定的情况下,避免在Hoare逻辑上做复杂扩展的指针程序验证方法。Abstract: Analysis and verification of programs dealing with pointers are still difficult problems so far. This paper uses a shape graph logic and a shape system to solve these problems. Using our method, programmers must declare the shapes that the recursive data 相似文献