首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   53553篇
  免费   11176篇
  国内免费   18589篇
数理化   83318篇
  2024年   101篇
  2023年   636篇
  2022年   1969篇
  2021年   1949篇
  2020年   1963篇
  2019年   1899篇
  2018年   1763篇
  2017年   2644篇
  2016年   1959篇
  2015年   2856篇
  2014年   3384篇
  2013年   4547篇
  2012年   4483篇
  2011年   4721篇
  2010年   4735篇
  2009年   4841篇
  2008年   5426篇
  2007年   4762篇
  2006年   4667篇
  2005年   4087篇
  2004年   3113篇
  2003年   2255篇
  2002年   2218篇
  2001年   2255篇
  2000年   2310篇
  1999年   1376篇
  1998年   751篇
  1997年   606篇
  1996年   565篇
  1995年   499篇
  1994年   567篇
  1993年   509篇
  1992年   433篇
  1991年   317篇
  1990年   311篇
  1989年   335篇
  1988年   268篇
  1987年   220篇
  1986年   170篇
  1985年   133篇
  1984年   115篇
  1983年   132篇
  1982年   113篇
  1981年   89篇
  1980年   69篇
  1979年   60篇
  1978年   26篇
  1977年   16篇
  1971年   17篇
  1959年   18篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 156 毫秒
11.
在砂土地层中,串囊式充气锚杆的研究还比较少,其承载特性及受力机理尚不明确。本文基于莫尔-库仑模型和Vesic圆孔扩张理论法,分别对圆柱体、球体、组合体、椭球体假设下的串囊式充气锚杆的扩大段进行计算分析。并将计算结果与试验得到的实测值进行对比。结果表明:四种形状假设中椭球体的形状假设理论值与实测值的误差最小,仅为8.35%。通过拟合试验数据,并引入与端阻力和侧摩阻力有关的两个系数对承载力公式进行修正,得到了抗拔承载力的经验公式。  相似文献   
12.
移动加热器法(THM)生长碲锌镉晶体时,界面稳定性对晶体生长的质量有很大影响。本文基于多物理场有限元仿真软件Comsol建立了THM生长碲锌镉晶体的数值模拟模型,讨论了Te边界层与组分过冷区之间的关系,对不同生长阶段的物理场、Te边界层与组分过冷区进行仿真研究,最后讨论了微重力对物理场分布的影响,并对比了微重力与正常重力下的生长界面形貌。模拟结果表明,Te边界层与组分过冷区的分布趋势是一致的,在不同生长阶段,流场中次生涡旋的位置会发生移动,从而导致生长界面的形貌随着生长的进行发生变化,同时微重力条件下形成的生长界面形貌最有利于单晶生长。因此,在晶体生长的中前期,对次生涡旋位置的控制和对组分过冷的削弱,是THM生长高质量晶体的有效方案。  相似文献   
13.
Incorporating nanoscale Si into a carbon matrix with high dispersity is desirable for the preparation of lithium-ion batteries (LIBs) but remains challenging. A space-confined catalytic strategy is proposed for direct superassembly of Si nanodots within a carbon (Si NDs⊂C) framework by copyrolysis of triphenyltin hydride (TPT) and diphenylsilane (DPS), where Sn atomic clusters created from TPT pyrolysis serve as the catalyst for DPS pyrolysis and Si catalytic growth. The use of Sn atomic cluster catalysts alters the reaction pathway to avoid SiC generation and enable formation of Si NDs with reduced dimensions. A typical Si NDs⊂C framework demonstrates a remarkable comprehensive performance comparable to other Si-based high-performance half LIBs, and higher energy densities compared to commercial full LIBs, as a consequence of the high dispersity of Si NDs with low lithiation stress. Supported by mechanic simulations, this study paves the way for construction of Si/C composites suitable for applications in future energy technologies.  相似文献   
14.
应用互补集成经验模态分解(CEEMD)方法对香港1997―2018年的住宅价格月度数据进行了分解,将经过重构后的数据分成高频序列、低频序列与残差项。将BP多断点检测应用于低频序列,并结合样本时段内的重大事件进行实证分析。结果表明:1997年亚洲金融风暴对房价的影响大于2008年金融危机;外部经济体的救市政策间接地影响香港房价;在经济不景气的大环境下“孙九招”政策没有立即见效;资本投资者入境计划、住房供给调整与按揭贷款调整对房价的影响较为显著;税收调整对房价影响不显著、对交易量影响显著;SARS爆发使住宅价格下降约1%。  相似文献   
15.
钙钛矿/硅叠层太阳电池可以充分利用太阳光谱,提高光电转换效率.平面硅异质结太阳电池可以作为叠层电池的底电池,其性能直接影响叠层电池的性能表现.采用传统反应热蒸发技术,在低温(170 ℃)条件下制备了掺锡氧化铟薄膜,并在170 ℃的氧气氛围下后退火处理,对ITO薄膜的特性进行了详细的表征和分析.结果表明:后退火工艺改善了ITO的结晶特性,使得材料的光学特性和电学特性得到明显提高,将其应用于平面硅异质结太阳电池,短路电流密度得到极大提高,尤其红外光响应改善明显.引入MgF2薄膜作为减反射层,进一步增强了电池的光响应,转换效率达到19.04;.  相似文献   
16.
采用激光分子束外延技术在Al2O3衬底上成功外延生长了ZnS薄膜.用X射线衍射、扫描电子显微镜和光致发光谱表征了衬底温度对薄膜结构、形貌和光学特性的影响.结果表明所生长的ZnS薄膜为闪锌矿,具有(111)择优长向,随衬底温度的升高,X射线衍射峰的半高宽先减小后增大,在衬底温度为300℃时,半高宽最窄.薄膜结构致密,表面不平整度随衬底温度的升高而增大.薄膜的带隙随衬底温度的升高出现蓝移,可见光区域透射率最高达到98;,在360 nm激发波长下,观测到402 nm和468 nm两个发光带,衬底温度为300℃时,发光最强.  相似文献   
17.
氧化铝晶体是一种优良的光学透明窗口材料,更是地球内部的重要组成物质.利用气炮加载结合冲击光谱测量,不仅能够获得其发光特征,并且根据光谱分布特征得到高压结构相变信息.在自主搭建的冲击光谱动态测试平台上,结合多通道辐射高温计以及ICCD瞬态光谱测试技术在40~120 GPa的压力区间,研究了c切向氧化铝晶体的辐射发光效应.在可见光波段400~700 nm区间获得了氧化铝晶体的发光光谱和辐射温度结果,证实了光谱的结构特征和表观温度值与该压力下氧化铝的结构相变存在明显的关联性.  相似文献   
18.
UJ24型电位差计使用时出现的故障,可以利用数字万用表排查故障,提出排查方案,进行维修与调节,使它尽快恢复到最佳工作状态,这样既节省厂家的维修时间又节省学校的维修费用。  相似文献   
19.
采用传统固相反应法制备了Ca0.9(NaCe)0.05Bi2 Nb2 O9铋层状无铅压电陶瓷.采用XRD、SEM、EDS及相关电学性能测试系统表征了样品的晶体结构、断面形貌、元素组成以及介电、压电、铁电等性能,探究不同烧结温度对于陶瓷性能的影响.结果表明:当烧结温度为1150℃时,样品的晶体结构单一均匀,呈现片层状结构,致密性较好,压电常数高达17 pC/N,介电损耗仅为0.42;,居里温度为908℃,并且具有很好的温度稳定性,说明固相反应法制备的Ca0.9(NaCe)0.05Bi2Nb2O9压电陶瓷最佳烧结温度为1150℃.  相似文献   
20.
汪已琳  任哲  赵志然  张威 《人工晶体学报》2018,47(12):2659-2662
本文对减压扩散机理及高阻密栅技术作了详细的分析,并就设备及工艺方面的关键技术进行了阐述,最后对减压扩散高方阻工艺及密栅匹配技术电池效率进行了对比分析,有以下结论:(1)减压扩散在工艺优化后,方阻均匀性得到大幅改善,达到3;以内.(2)减压扩散电池效率完全可达到常规产线的水平,且在高阻密栅方面更有优势,可有效提升太阳电池效率.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号