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41.
A large body of conspicuous publications [1] in recent years asserts that the high temperature approximation (HTA), a mostly tested and most widely used assumption in NMR spectroscopy and MRI technology, is invalid for concentrated samples in high magnetic fields such as for a proton COSY spectrum of water [1]. 相似文献
42.
国内研制的20/30Ⅱ代倒象微光管经常出现微通道板真空体电阻偏高或偏低的问题,直接影响Ⅱ代倒象微光管荧光屏的亮度和目标分辨力,严重影响微光管的质量。经过对20/30Ⅱ代倒象微光管的研制和理论分析,证明英国马拉德公司对用于××1383Ⅱ代倒象微光管的H36微通道板技术条件中真空体电阻技术指标的规定也存在一定的问题。本文从目前国内外工艺水平和有关文献资料的分析出发,进行专题研究。本文中所推导的计算公式和对文献资料提供的技术数据的推导分析,同样适用于其他型号微通道板的真空体电阻与相应Ⅱ代、Ⅲ代微光管匹配关系的计算与研究。 相似文献
43.
用于留数算术中的数值/留数/数值的转换 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍用光学方法完成留数算术中的数值/留数/数值的转换,并附有实验结果。 相似文献
44.
采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论. 相似文献
45.
Zi‐Cai Li Tzon‐Tzer Lu Hung‐Tsai Huang Alexander H.‐D. Cheng 《Numerical Methods for Partial Differential Equations》2007,23(1):93-144
In this article we survey the Trefftz method (TM), the collocation method (CM), and the collocation Trefftz method (CTM). We also review the coupling techniques for the interzonal conditions, which include the indirect Trefftz method, the original Trefftz method, the penalty plus hybrid Trefftz method, and the direct Trefftz method. Other boundary methods are also briefly described. Key issues in these algorithms, including the error analysis, are addressed. New numerical results are reported. Comparisons among TMs and other numerical methods are made. It is concluded that the CTM is the simplest algorithm and provides the most accurate solution with the best numerical stability. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. Numer Methods Partial Differential Eq, 2007 相似文献
46.
关于可达矩阵的求法探讨 总被引:6,自引:0,他引:6
在《离散数学》、《图论》课程中 ,用矩阵表示图时 ,涉及到一类重要的矩阵——可达矩阵 ,它是判别图中任意两点是否有通路的重要手段 ,也是求强分图的重要方法 ,但是可达矩阵的求法比较复杂 .本文针对这一问题 ,对可达矩阵的求法进行了改进 ,提出了一种简单可行的算法 . 相似文献
47.
In this research, a simple, sensitive chemiluminescence (CL) method for the determination of humic acid (HA) in water samples was first developed based on the redox reaction between humic acid and cerium(IV) in the acidic condition. Different with the former redox CL reaction which occurred in alkaline solution, no enhancers were needed and neither precipitation nor a second contamination would occur in the present CL system. Comparing with other spectrometric methods, we find that the proposed analysis system had better applicability and accuracy. Under the optimal experiment conditions, the CL peak height was linear with the concentration of HA in the range of 0.03 to 10.0 microg mL(-1). The detection limit is 0.01 microg mL(-1) (S/N = 3), and the relative standard deviation was 2.3% for 0.5 microg mL(-1) HA solution with eleven repeated measurements. The present CL method was successfully applied to the determination of HA in tap water, spring water and river water samples with good recovery from 90.0 to 110.0%. A possible CL mechanism was proposed based on the results of UV and fluorescence spectrometry and the CL spectrum of HA. It was speculated that the semi-quinone radicals in the excited state were the emitters. 相似文献
48.
Tai-Man Tang 《Journal of Mathematical Sciences》2007,144(5):4504-4510
Wildly embedded tiles in ℝ3 with spherical boundary are discussed. The construction of the topologically complicated, crumpled cube tiles is reviewed.
We construct an infinite family of wildly embedded, cellular tiles with Fox-Artin-type wild points. Finally, a condition on
the set of wild points on a cellular tile is given to show that certain wild cells cannot be tiles. Several observations are
recorded for further investigations.
__________
Translated from Fundamentalnaya i Prikladnaya Matematika, Vol. 11, No. 4, pp. 203–211, 2005. 相似文献
49.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
50.