青霉胺稳定的铜/银双金属纳米簇制备及其在银离子检测中的应用EI北大核心CSCD

以青霉胺(DPA)为还原剂和稳定剂,通过一锅法一步制备了青霉胺稳定的铜/银双金属纳米簇(DPA-Cu/Ag NCs),并将其作为一种传感器用于检测水样中的银离子。该银离子传感器具有价格低廉、分析速度快速、选择性高等特点。采用透射电子显微镜(TEM)等方法表征了DPA-Cu/Ag NCs的结构及其化学组成,并通过荧光光谱和紫外-可见光谱法研究了DPA-Cu/Ag NCs的光学性质。结果表明,该DPA-Cu/Ag NCs在激发波长为300 nm时的最大发射波长为555 nm,其溶液在可见光照射下呈现乳白色,在紫外灯照射下则呈现出明亮的黄色荧光。在DPA-Cu/Ag NCs的制备条件达到最优化的情况下,可以将其作为探针,用来高选择性、高灵敏性地检测银离子。该探针检测银离子的检测限为0.3μmol/L,线性范围为0~500μmol/L。该DPA-Cu/Ag NCs探针还可应用于自然环境水样(湖水、瓶装矿泉水和实验室自来水)中银离子浓度的检测,其检测性能十分优异且具有良好的准确度和重现性,表明DPA-Cu/Ag NCs探针在环境检测方面有非常高的应用价值。     

光电子发射引起的柱腔内系统电磁脉冲的模拟

 用时域有限差分法结合PIC粒子模拟方法，对光电子发射引起的圆柱腔内电磁脉冲现象进行了模拟，并对单能电子发射时电场的空间分布和系统电磁脉冲波形特征进行了分析。利用粒子抽样和间隔时间粒子注入的方法，得到了特定电子发射谱下的计算结果，并与非抽样方法所得的结果进行了比较。计算结果显示，采用该方法后，噪声略有增加，但计算要求的条件大大降低，计算的粒子数有效地减少，适用于3维粒子模拟计算；计算结果还显示，发射电子能谱越高，注量越大，表面电场区与饱和电场区的长度越短。     

等效电子耦合原子态的二维关系表格计算

用专门处理二维关系的FoxPro编程给出计算等效电子LS耦合原子态的计算方法并作出简化,具体计算了f7电于组态的LS耦合原子态。     

裂隙岩体注浆模拟实验研究

通过单一裂隙岩体和裂隙网络岩体注浆渗流模拟实验,分析和总结了裂隙岩体注浆渗流中的一般规律,并讨论了影响注浆渗流工程的各种因素。     

豆薯种子中一种具有抗植物病毒活性的蛋白质的初步晶体学研究

从豆科植物豆薯 (Pachyrrhizuserosus,Leguminosae)的种子中分离纯化了一种具有抗植物病毒活性的蛋白质 ,分子量约为 1 5kD。在 2 0 % (w/v)PEG60 0 0 ,0 .1mol/L磷酸盐缓冲液 (pH7.4)条件下得到了可供衍射用的单晶 ,在MarResearchIP上进行了衍射数据收集 ,其衍射能力达 2 .3 。经MarDenzo软件包处理 ,确定其空间群为P2 1 2 1 2 1 ,晶胞参数为 :a =2 8.80 8,b =32 .840 ,c=1 40 .397 。根据Matthews常数估算 ,每个不对称单元含 1个分子。     

193-nm光刻中的光致抗蚀剂

当今世界处于信息时代,电子信息产业日新月异地飞速发展着,计算机的影响已遍及每一个经济领域和人们生活的每一个方面.微电子技术作为新技术革命的主角,已成为衡量一个国家经济实力和科技进步的重要标志^[1,2].微电子技术的不断发展得益于半导体与集成技术的不断提高,光刻技术和光致抗蚀剂是微电子技术中的核心技术和关键材料.     

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分析了哈工大"行知队"参加<第六届全同周培源大学生力学竞赛>的抛石机,该抛石机的机械能绝大部分都可转换为弹丸的动能,这凸显了动能攻击装置的特色;且该机结构简单,多数构件可直接由市场购得.     

碳纳米胶囊中水分子的分子动力学研究

采用分子动力学方法研究了不同温度下碳纳米胶囊中水分子及其氢键的聚集密度分布,讨论了水分子内部键角及其取向规律.计算结果表明,由于碳纳米胶囊的束缚作用,水分子主要聚集在与胶囊形状相似的三个薄层中,随着温度的升高,聚集密度峰均会展宽并向管壁移动.氢键的分布规律与水分子聚集密度类似并对其取向角分布有明显影响.与通常情况不同,在1000K高温时仍存在相当数量的氢键.在3100 K附近,碳纳米胶囊发生破裂,溢出少量水分子后自动愈合.     

太赫兹波段微腔器件的设计及其特性研究

采用磁控溅射法制备了金属Cr膜, 并利用太赫兹时域光谱法获得了其光学参数. 利用Cr膜的光学参数计算了其相位穿透深度, 设计了基于低温GaAs 的全金属平面微腔光电导太赫兹辐射器件. 模拟结果表明: 器件的谐振频率分别为0.32, 0.65, 0.98, 1.31和1.65 THz, 与自由空间的光电导太赫兹谱相比, 在谐振频率为0.32 THz处的峰值强度提高了25倍, 光谱半高全宽压缩了50倍. 讨论了辐射偶极子与腔内驻波场之间的耦合强度对器件辐射强度的影响, 发现当辐射中心位于驻波场波腹处时, 器件辐射最强, 位于波节处时辐射被严重抑制. 太赫兹波段微腔效应的研究对于实现单色性好, 连续调谐, 高效高辐射强度的太赫兹源具有一定的理论意义.