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Partially-depleted Silicon-On-Insulator Negative Channel Metal Oxide Semiconductor (SOI NMOS) transistors with different layouts are fabricated on radiation hard Separation by IMplanted OXygen (SIMOX) substrate and tested using 10keV X-ray radiation sources. The radiation performance is characterized by transistor threshold voltage shift and transistor leakage currents as a function of the total dose up to 2.0×106 rad(Si). The results show that the total dose radiation effects on NMOS devices are very sensitive to their layout structures. 相似文献
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A Clock Enhanced Loop for Simultaneous Error-Free Demultiplexing and Clock Recovery of 160Gb/s OTDM Signal Single-Channel Transmission over 100km 下载免费PDF全文
A simple clock enhanced loop of cascaded electro-absorption modulators (EAMs) and 10 GHz clock recovery modules is presented. The intensity of harmonic of clock-frequency component is analyzed theoretically and verified experimentally in a 160 Gb/s OTDM 100 km transmission system. The 10 GHz clock component is enhanced obviously before launching into the clock recovery module and the recovered clock signal exhibits low rms jitter of 〈400 fs. Moreover, completely error^-1free (10-12) transmission is observed for more than two hours without using forward error correction technology. The power penalty is about 3.6 dB. The proposed loop has merits of enhancing base clock component, simultaneously de-multiplexing and clock recovery, which make the performance of this loop more stable and high suppression of non-target channels. 相似文献
294.
S波震相初至时刻的精确识别是岩石动力学参数反演的关键环节。其拾取的精度和速度直接影响到岩石动力学参数反演的精度和效率。对S波的识别研究大多都集中在地震领域,现有方法难以有效的识别工程尺度下的爆破地震波S波的到时。本文中拟提出一种适用于工程尺度下S波的识别方法。该方法不对振动信号进行滤波处理,采用短时平均过零率、偏转角、偏振度和横向能量与总能量比值等4个识别参数对S波进行识别。结合丰宁抽水蓄能电站地质勘探洞爆破实验实测数据识别效果与数值模拟结果表明:该方法在工程尺度下的识别误差小于3%。该算法能较好地适用于工程尺度下S波初至时刻进行识别。 相似文献
295.
目前环糊精(CD)手性固定相(CSP)的研究大多集中于对CD或桥联臂进行功能衍生引入更多作用位点以提升手性拆分能力,鲜有能够反映天然CD本征识别能力的CSP的研究报道,该文通过"巯基-烯"点击化学反应合成了结构明确可控的单(6-巯基-6-去氧)-β -环糊精手性固定相(CSP1),其最大限度地保留了天然CD的本征结构,且桥联臂无识别作用位点,固体核磁共振(13 C SSNMR)和红外光谱(FTIR)的表征结果证明了CSP1的成功制备,元素分析结果表明,与双键功能化硅胶相比,CSP1的C、H、N的百分含量均得到了提高,计算得出CSP1的表面CD固载量为0.82 μmol/m2。采用高效液相色谱反相模式对50多种手性对映体包括异(口恶)唑啉、手性交酯、手性酮、黄烷酮以及丹磺酰氨基酸等进行了手性拆分,充分考察了天然CD的本征手性识别能力,结果表明CD的本征识别能力比较有利于异(口恶)唑啉类样品中含有两个疏水苯环基团Ph-Ph类样品的分离,对于其他几类样品仅利于部分样品的分离。同时与前期制备的功能三唑桥联CD-CSP及咪唑嗡桥联CD-CSP在同一色谱条件下进行了结果比对,结果证明样品的分离过程除了与手性介质的结构有关外,还与样品分子的结构有很大关系,对桥联臂进行功能改性可提升对部分对映体的选择性,但同时会小幅损失CD的本征手性识别能力。对于环糊精本征识别能力易于分离的样品,在设计手性介质时,其桥联臂不需要任何官能团,这为CD固定相结构的设计提供了有益参考。 相似文献
296.
结合微腔面发射器件辐射/发光亮度的空间分布以及相对光谱功率分布给出了器件外量子效率的计算模型. 该模型可以计算工作于不同波段的微腔面发射器件的外量子效率,如红外波段的垂直腔面发射激光器,可见光波段的微腔有机发光二极管和谐振腔发光二极管以及太赫兹波段的平面微腔结构等. 制备了结构为玻璃/DBR /ITO /NPB /Alq ∶C545T/Alq/LiF/Al的微腔有机电致发光器件,测试其不同观察角度下器件的发光亮度以及发光光谱. 当电流密度和发光亮度分别为14 A/m2和100 cd/
关键词:
外量子效率
平面微腔器件
辐射/发光亮度空间分布 相似文献
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This paper investigates the effects of gamma-ray irradiation on the Shallow-Trench Isolation (STI) leakage currents in 180-nm complementary metal oxide semiconductor technology. No hump effect in the subthreshold region is observed after irradiation, which is considered to be due to the thin STI corner oxide thickness. A negative substrate bias could effectively suppress the STI leakage, but it also impairs the device characteristics. The three-dimensional simulation is introduced to understand the impact of substrate bias. Moreover, we propose a simple method for extracting the best substrate bias value, which not only eliminates the STI leakage but also has the least impact on the device characteristics. 相似文献
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