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21.
不同晶向SrTiO3上外延GaAs薄膜的光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用MBE生长技术,成功地在不同晶向SrTiO3(100)(111)(110)衬底上生长了GaAs薄膜,利用显微Raman和荧光光谱(PL)对此进行了研究。实验结果表明,在不同晶向SrTiO3上生长的GaAs薄膜有不同的晶向和应力状态。荧光光谱(PL)研究表明在SrTiO3(100)(111)晶面上生长的GaAs薄膜的PL峰发生明显的蓝移。研究表明在SrTiO3(110)面上生长的GaAs薄膜和体单晶基本上一致,有更好的光学质量。  相似文献   
22.
秦婷  陈平平  莫丽  李淼  陈治明 《化学通报》2020,83(3):258-264
本文合成了三种具有轴手性联芳基骨架的多手性中心、多氢键的结构对称型多活性中心硫脲催化剂,并将其应用于催化Biginelli反应合成3,4-二氢嘧啶硫酮。结果表明,所合成的新型轴手性硫脲均表现出良好的催化作用,能有效地提高Biginelli反应的收率和对映选择性。  相似文献   
23.
陈平平  杨雷  张志坚 《应用声学》2015,23(5):1841-1843
针对企业生产手机USB数据线时需要进行性能测试方面的要求,设计出一款以FPGA为处理核心,USB接口芯片为控制对象,辅之电源、存储器、键盘、显示、静电保护和反馈输出接口等模块组成的手机USB数据线测试仪。该测试仪按照USB通信协议把USB数据包通过被测数据线进行传输,然后通过计算其传输USB数据包的错误率来判断数据线性能的质量好坏。通过与误码率分析仪、电脑海量传输实测的结果对比和实际应用表明,该仪器较其它测试方法具有测试速度快,测试结果准确等优点,可广泛地应用于USB数据线生产企业。  相似文献   
24.
利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到 关键词: 合金分解效应 0.15Ga0.85As量子点')" href="#">InAs/In0.15Ga0.85As量子点 光致发光光谱 压电调制光谱  相似文献   
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