磷化铟纳米晶的制备及光学性质研究

阐述了目前国内外的磷化铟纳米晶研究状况。用有机溶剂回流退火法制备出了磷化铟纳米晶，并通过XRD谱计算出平均粒径为55nm。喇曼光谱表明：由于纳米颗粒的量子尺寸效应, 2个散射峰都向低能量方向发生了较大的移动。UV VIS表明样品的吸收边相对于体块InP（970nm）发生了显著的蓝移，说明带隙变宽，表现出明显的量子尺寸效应。PLE谱在380nm时，PL谱峰在573nm时,相对于体块InP的红外区的荧光光谱发光峰发生了显著的蓝移，说明磷化铟纳米晶在光电子器件领域和非线性光学领域有非常好的应用前景。     

组合一维光子晶体全能反射器

为了能充分地展宽一维光子晶体的全方位禁带,从一维光子晶体禁带结构的特点出发,对于不发生Brewster效应的一维光子晶体,提出了通过两个或两个以上一维光子晶体的组合来实现和展宽一维光子晶体全方位禁带的理论依据和最佳组合方式.并给出了所提出的组合方式下相关参数的定量计算公式. 最后用传输矩阵法进行了数值模拟计算,对提出的组合方式进行验证,计算结果与预期结论符合很好.     

电极形状与紫外探测器灵敏度关系的研究

在传统工艺的基础上,改变电极的形状可以提高氮化镓(GaN)基材料光导型紫外探测器的灵敏度.经过计算可知,虽然三棱形电极可以使探测器有效受光率提高100％,但工艺复杂,难以实现;而半圆柱形电极虽然使氮化镓薄膜有效受光率仅提高20％左右,但工艺简单,便于加工.     

分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延(MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现红外分子束外延(RFMBE)生长的富镓GaN薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为物理吸附,而O在GaN表面形成局域化学键产生氧络合物覆盖层,并形成一定的深度分布.杂质O在GaN带隙中导带底形成杂质带同时引入深受主能级,使得带隙变窄室温光吸收谱向低能方向移动,光致发光谱出现宽带发光峰.从而影响GaN薄膜的电学和光学性质 关键词： GaN薄膜 X射线光电子能谱 俄歇电子能谱 表面分析     

MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析

用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延(MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为表面污染,而O形成一定的深度分布,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质.     

Improved liquid－solid－gas interface deposition of nanoparticle thin films

A liquid－solid－gas interface deposition method to prepare nanoparticle thin films is presented in this paper. The nanoparticles in the part of suspension located close to the solid－liquid－gas interface grow on the substrate under the influence of interface force when the partially immersed substrate moves relatively to the suspension. By using statistical theory of the Brownian motion, growth equations for mono-component and multi-component nanoparticle thin films are obtained and some parameters for deposition process are discussed.     

Surface Properties of Unintentionally Doped GaN Film and Its Contact Behaviour with Ni／Cr／Au Compound Metals

The surface properties of GaN films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy were investigated by using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Auger electron spectroscopy, while the depth profile was analysed by the Ar ion sputtering method.The contaminants carbon and silicon are chiefly adsorbed onto the surface while oxygen and aluminium diffuse into the bulk to distribute in a certain depth. The mixture oxides is roughly 0.1μm in thickness. Based on the analytical results of XPS of the GaN films, the Ni/Cr/Au interdigital metal-semiconductor-metal (MSM) structure has been fabricated. It has been found that the contact behaviour of the Ni/Cr/Au/undoped GaN exhibits a linear I-V characteristic under dark and 362-um light excitation without annealing treatment. The lower resistance of the MSM structure has also been observed.     

第Ⅲ类三态叠加多模叠加态光场的广义非线性Nj次方H压缩

根据量子力学中态的线性叠加原理,构造了由多模复共轭相干态|{zj{iZj*}>q及多模真空态|{0j}>q线性叠加所组成的第Ⅲ类三态叠加多模叠加态光场|ψ3(3)>q.利用多模压缩态理论,研究了态的广义非线性不等幂次Nj次方H压缩效应.结果表明,仅当各模的压缩次数之和为偶数时,各模初始位相ψj(j=1,2,…,q)与各模压缩次数Nj的乘积Njψj之和及态|ψ3(3)>q中任意两态间初始位相差(θi-θj)(i,j=1,2,3)满足一定的条件下,态|ψ3(3)>q的第一和第二正交相位分量分别可呈现周期性变化的、任意次的广义非线性不等幂次Nj次方H压缩效应.     

表面活性季铵盐的合成

表面活性季铵盐多数具有较强的杀菌能力。在生产实践中又不断地发现了表面活性季铵盐的许多新的工业用途。其中包括:抗静电剂、纺织品软化剂、防腐剂、消泡剂、化学浮选剂、沥青和石油的填加剂等,从而使这类化合物的工业生产量大幅度地增加。因此,合成新的表面活性季铵盐,在人民卫生事业和社会主义建设事业中满足更多方面的需要,是应予以注意研究的课题。但是,在刘少奇一伙反革命修正主义教育路线统     

InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射

利用325nm紫外光激发,对不同组分的In_xGa_1-xN薄膜的喇曼散射谱进行了研究.在光子能量大于带隙的情况下,观察到显著增强的二阶A₁(LO)声子散射峰.二阶LO声子峰都从一阶LO声子的二倍处向高能方向移动,移动量随样品In组分的增加而增大,认为是带内Frhlich相互作用决定的多共振效应引起的.分析了一阶LO声子散射频率和峰型与In组分的关系.在喇曼谱中观察到样品存在相分离现象,并与X射线衍射的实验结果进行 关键词： xGa_1-xN合金')" href="#">In_xGa_1-xN合金 紫外共振喇曼散射 二阶声子 相分离