氮化铝薄膜的光学性能

分别使用X衍射仪和紫外（190 nm～800 nm）分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC（001）基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下（10 k～293 k）的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.     

缺陷态透射率可调的三缺陷层的一维光子晶体

利用传输矩阵方法,从理论上研究了三缺陷层一维光子晶体的光学性质.在缺陷层间距足够大以致于出现缺陷态简并的情况下,调节第一或第三个缺陷层的光学厚度,光子晶体缺陷态的透射率会发生最大程度的变化.这种结构可同时具有窄带滤波器和光开关的功能,据此提出了一种低阈值光开关的设计.把折射率可调的向列型液晶作为晶体的第三个缺陷层,并用4×4传输矩阵方法计算了其缺陷态透射率与电场电压的关系.     

纳米六方相氮化铝的合成和光学性能研究

报道了以AlCl₃和Mg₃N₂为反应物, 在500 ℃条件下, 用简易的设备, 合成六方相AlN纳米材料. 样品的XRD和XPS图谱表明, 实验得到的AlN样品是纯的六方相AlN, 其中的杂质相含量均小于仪器的探测灵敏度. TEM图表明, AlN样品呈多孔网络状结构, 网络的骨架大小在10～20 nm之间. 对AlN样品的光学性能的研究表明, AlN样品的禁带宽度值约为6.12 eV; 红外吸收谱以680 cm^－1为中心形成一个很宽的红外吸收带; 其拉曼散射峰较AlN薄膜和AlN单晶向低波数方向移动.     

激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性

研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。     

Au/Au2S复合纳米球壳微粒的发光特性

观测了金纳米球壳微粒（纳米级Au2S介质外包裹一层纳米级厚的金壳）的荧光光谱，与块状Au2S的荧光峰相比，金纳米球壳的荧光峰蓝移到蓝绿区域，蓝移的主要原因是核－壳纳米复合结构中的表面态和量子尺寸效应。     

GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究

对液氮温度下六方相GaN和掺Mg的P型GaN薄膜的拉曼谱进行了对比研究。除对两个样品中主晶格振动模进行了对比分析外,着重讨论了位于247 cm-1的散射峰的产生机制。结果表明GaN:Mg的谱中该峰的散射强度随温度升高先增大再减小,在500K以上消失且对样品重新降温到78K观察此峰不再出现,因此认为它是缺陷产生的振动模。而GaN样品中经同样加热降温的过程此峰仍然存在,说明两个样品中该峰的产生机制不同。此外,在GaN:Mg的谱中还观察到Mg诱导的局域振动模。     

蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

在实验优化MBE工艺条件的基础上，采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高，AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现，常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程，持续时间分别为0.91，7.7和35.5ms；蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程，持续时间分别为0.78和14ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级. 关键词： 邻晶面蓝宝石衬底 GaN薄膜 瞬态光电导 弛豫特性     

六方AlN本征缺陷的第一性原理研究

用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结构进行优化，得到其稳定结构；然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度；最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析.发现除氮空位外其他本征缺陷在带隙中形成的能级都很深，要得到n型或p型AlN必须要引入外来杂质.计算得到的本征缺陷能级对于分析AlN的一些非带边辐射机理有重要帮助. 关键词： 六方AlN 形成能 缺陷能级 态密度     

态|ψ3(3)〉q广义电场分量的等幂次N次方H压缩

构造了由多模复共轭相干态|{iZ_j^*}〉_q、多模复共轭虚相干态|{iZ_j^*}〉_q(j=1,2,…q)和多模真空态|{0_j}〉_q线性叠加所组成的第Ⅲ类三态叠加多模叠加态光场|ψ₃⁽³⁾〉_q.利用多模压缩态理论,研究了态|ψ₃⁽³⁾〉_q中广义电场分量(即第二正交相位分量)的广义非线性等幂次N次方H压缩特性.发现:态|ψ₃⁽³⁾〉_q是一种典型的三态叠加多模非经典光场;当腔模总数q与压缩次数N之积q·N为偶数时,在一定条件下,态|ψ₃⁽³⁾〉_q的广义电场分量可分别呈现出周期性变化的广义非线性等幂次奇数模-偶数次、偶数模-奇数次、偶数模-偶数次N次方H压缩效应.     

态|ψ3(3)〉q中广义磁场分量的等幂次高次和压缩

根据量子力学中态的线性叠加原理,构造了由多模复共轭相干态|{Z_j^*〉_q(j=1,2,……q)、多模复共轭虚相干态|{iZ_j^*〉_q和多模真空态|{0_j}〉_q的线性叠加组成的第Ⅲ类三态叠加多模叠加态光场|ψ₃⁽³⁾〉_q.利用多模压缩态理论,研究了态|ψ₃⁽³⁾〉_q广义磁场分量(即第一正交相位分量)的广义非线性等幂次高次和压缩特性结果发现:当腔模总数q与压缩次数N之积qN取偶数时,态|ψ₃⁽³⁾〉_q广义磁场分量在一定条件下可分别呈现出周期性变化的、广义非线性等幂次奇数模—偶数次、偶数模—奇数次或偶数模—偶数次的高次和压缩效应.