多芯Bi2223／Ag带材30K温区的临界电流密度和交流损耗

本文研究了３０Ｋ温区和工频下８１芯Ｂｉ２２２３／Ａｇ带材的临界电流特性和没背场下的交流损耗，临界电流是用ＳＱＵＩＤ磁化法和标准四引法测量；交流损耗理在样品通以正弦电流情况下采用电测法进行测量，结果发现交流损耗随背场的增加而增大，同时与频率的关系是非线性的，并且偏离基于Ｂｅａｎ模型所预言的结果；表明３０Ｋ温区多芯带材Ａｇ基中的涡流损耗的芯间的耦合损耗不可忽略。     

沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响

 用电子束蒸发方法制备了HfO₂薄膜，根据镀膜前后基片曲率半径的变化，用Stoney公式计算了薄膜应力，讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响。结果发现，HfO₂薄膜的残余应力均为张应力，应力值随沉积温度的升高先增大后减小，在280 ℃左右出现极大值。对样品进行了XRD测试，从微观结构上对实验结果进行了分析，发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素，HfO2薄膜在所选沉积温度60~350 ℃内出现了晶态转变，堆积密度随温度升高而增大。     

一个误传已久的答案

1错误的答案题目从平面外一点向平面引两条与平面斜交的射线,它们的角为α,这两条射线在平面内的射影的夹角为β,那么α与β之间的关系是( ) (A)α＜β．(B)α＞β．(C)α=β．(D)α≤β．流传的答案是选(A),其实选(A)是错误的,请看以下实例：     

一种软X射线多层膜界面粗糙度的计算方法

提出一个利用多层膜小角X射线衍射谱衍射峰积分强度计算多层膜界面粗糙度的公式。用磁控溅射技术制备Mo／Si多层膜，用波长为0．154nm的硬X射线测量样品在小掠入射角区的衍射曲线，分别用本文公式和反射率曲线拟合方法计算了样品的界面粗糙度。实验结果表明：由本文公式获得的界面粗糙度近似于拟合方法获得的界面粗糙度，它们略等于多层膜界面实际粗糙度。     

紫外新激光染料IBOP的研究

本文介绍一种新合成的化合物IBOP.经在多种染料激光器上测试表明,其激光转换效率高,光化学稳定性好,能溶于多种溶剂.性能优于DPS等相同波段的常用激光染料.IBOP在各种溶剂中的激光调谐范围为388～428nm,激光峰值波长在400nm左右.本文给出了IBOP的荧光光谱、吸收光谱、激光特性、溶剂效应和浓度效应等数据,并作了讨论.     

ICP／AES操作条件及氢化物发生条件对As,Se和Ge光谱信号影响的…

本文较系统地研究了ＩＣＰ／ＡＥＳ操作条件及酸介质。ＨａＢＨ４溶液溶度对Ａｓ，Ｓｅ和Ｇｅ谱线强度以及信背比的影响，讨论了这些元素的最佳检测条件，考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响，观察到Ａｓ，Ｓｅ和Ｇｅ氢化物发生中Ｇｅ的光谱信号的一些特殊行为，及Ｃｕ对Ｇｅ的氢化物光谱信号的增强。     

SCHWARZ ALTERNATING METHOD AND MULTIGRID METHOD

In this paper we propose and establish the convergence of several asynchronous parallel algorithms which are defined by combining the Schwarz alternating method with the multigrid method in two ways. In the first we divide the original problem into p related subproblems, then the multigrid method is used to solve these subproblems iteratively. In the second approach we regard the Schwarz iterative method as the smoothing step of multigrid method. All algorithms proposed in this paper can be used on an MIMD computer.     

截取回归方法及其用于自行车需求分析的尝试

以往,我国经济领域所采用的预测方法一般限于回归分析、曲线拟合或定性分析,大多从宏观上进行讨论,对微观分析却很少涉及:而截取回归是进行微观分析的一种方法。虽然很早有人研究截取变量,但把截取变量与回归分析结合起来的工作,是1958年由J· Tobin开始的.G.S.Maddala, T.Amemiya,李龙飞等对截取回归方法也作了深入的研究。 本文主要结合我国自行车需求分析探讨一般截取回归模型,导出极大似然函数的解的算法,做出假设检验,推出几个个量预测式及它们之间的大小关系,并在个量预测的基础上求出总量预测式,为经济预测提供了一个新的途径。 …     

用三源热共蒸法制备的二十厘米长涂层导体及其显微结构

用真空三源热共蒸发法制备了二十厘米长的涂层导体,其宽度为1厘米, 超导层宽度为0.9 厘米,厚度为600纳米.使用直流四引线法测试,导体在77K时的临界电流大于120安培,相应的临界电流密度大于每平方厘米220万安培.表征电流-电压曲线超导转变陡峭度的n值为35.显微结构观察表明其膜层显微形貌与单晶衬底上的薄膜极其相似.X射线衍射研究表明超导薄膜的相成分纯,面内FWHM为Δφ=6.23°,面外FWHM为Δω=3.84°,表明涂层的优良织构.在此文章将详细报告导体的制备和显微结构及物理测试结果.     

IC卡及其应用

 当今世界信息技术的发展日新月异,一个以采集、开发、利用信息资源为特征的信息技术革命正席卷全球,信息技术已广泛地渗透到社会生活的各个领域:从电话卡到工资卡;从借书卡到售饭卡;从汽车加油卡到健康卡;从ＡＴＭ机到电子商务……无处不见ＩＣ卡的身影。什么是ＩＣ卡?它工作的基本原理是什么?安全性如何?有哪些具体应用?本文拟对此作些介绍。一、ＩＣ卡及其分类1.什么是ＩＣ卡ＩＣ卡即集成电路卡(ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｃａｒｄ)。它是将一个集成电路芯片镶嵌于塑料基片中,封装成卡片的形式。