关于两个驻波叠加结果的讨论

本文对在一条波线上的两个驻波的叠加结果进行了简明扼要的分析，对进一步理解行波和驻波之间的相互关系有积极的意义。     

电子漂移速度的几种计算方法及其比较

根据经典电子论分别采用三种不同的方法：算术平均法、统计平均法和电子动力学方程法解出金属中电子的平均漂移速度，并且对三种方法所得到的不同结果进行了比较分析．     

冷压烧结的BiPbSrCaCuO超导块材临界电流密度及其V-I特性研究

用硝酸盐共分解和固态反应法制备出 BiPbSrCaCuO 近高温单相样品,在此基础上进行冷压烧结.分析表明样品中晶粒 c 轴沿垂直于加压表面有较好的取向排列.其临界电流密度Jc 明显地得到改善,77.3K 零场下,Jc 达到1040A/cm~2.同时还研究了冷压 Bi 系块材的V-I 特征,并利用磁通蠕动模型对实验结果作了较好解释,认为在冷压烧结的 Bi 系块材中,磁通蠕动是影响临界电流密度提高的主要因素.     

BiPbSrCaCuO高T_c超导体的低场微波吸收信号及其与超导电性的关系

借助于电子顺磁共振技术(EPR)研究了高 T_c 超导体 BiPbSrCaCuO 的低场微波吸收信号随温度和磁场的变化规律,结果表明这种低场信号和高 T_c 超导电性密切相关.从样品的低场信号谱上得到一个与温度有关的临界场 H_c(T),在外加磁场低于 H_c 时,其信号与磁场无关,而当外加磁场高于 H_c 时,其信号随磁场增加而明显变弱,在 H_c(T)曲线上观察到两个台阶的存在,这两个台阶分别对应于温度～100K 和～104K,同时我们注意到在样品的低场信号强度 S(T)曲线上存在非单调特性,这些现象或许反映了磁通在样品中穿透的行为,进一步地我们认为通过上述的低场信号的研究有可能为高 T_c 氧化物超导体提供另一种可能的研究手段.     

Bi系块材中的热激活引起的磁通蠕动

实验上测量了具有较高输运 J_c(77K 和零场下,J_c=1750A/cm~2)的 Bi_(1.80)Pb_(0.34)Sr((1.86)Ca_2Cu_3O_y,块材的输运 J_c 和温度及磁场的关系,实验结果在磁通蠕动模型的基础上得以解释,并得到了零场下 T_c 附近和77K 外加磁场下样品的激活能分别为:U(T,0)=87.4(meV)(1—T/T_c)~(1/2)和 U(77K,H)=64+2.82lnH(meV),H 的单位为特斯拉.     

（La_（1－x）Sr_x）_2CuO_4高T_c单晶样品中Sr对其性质的影响

实验上研究了（Ｌａ（１－ｘ）Ｓｒｘ）２ＣｕＯ４高Ｔｃ库晶样品的ｃ－轴正常态电阻同温度的关系以及Ｔｃ附近ｃ－轴电阻作为磁场和磁场取向的函数．结果表明，（１）随着Ｓｒ含量的增加，ｃ－轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为，和（２）固有的各向异性随Ｓｒ含量的增加而逐渐变弱，这些意味着Ｓｒ掺杂在Ｌａ基系统中有利于Ｃｕ－Ｏ面间耦合的改善．     

任意载流线圈在均匀磁场中所受磁力矩公式的简单推证

本文从电流回路元在磁场中所受磁力矩公式出发，并将任意形状的载流线圈等效成由许多电流回路元构成，从而推证出任意载流线圈在均匀磁场中所受磁力矩公式。     

热处理温度对La4/3Sr5/3Mn2O7的结构及电输运性质的影响

用溶胶-凝胶法并经过不同温度(TA)处理而制备出La4/3Sr5/3Mn2O7多晶样品.零场下阻温关系测量表明,较低TA处理的样品有较高的绝缘体-金属转变温度Tp,而对较高TA处理的样品,其Tp在表面和体内有较大差别,表面上有较高的Tp值,且电阻率较低,但在体内Tp低且电阻率高.结合结构分析,我们认为,较高温度处理有利于Sr3Ti2O7相的形成,但太高温度(如高于1450℃)处理的样品,虽然以Sr3Ti2O7相为主,但其表面易形成(La,Sr)MnO3相.