Mg掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的结构及电传输特性

本文采用Sn自熔剂法,制备Mg掺杂Sn基单晶笼合物Ba8Ga16-XMgXSn30(0 X 1.5),并对其结构及电传输性能进行研究.结果表明所制备化合物为具有空间群Iˉ43m的VIII型单晶笼合物,随Mg掺杂量的增加,对应化合物的熔点略有升高,晶格常数减小,掺杂样品中填充原子Ba的实际含量低于理想值8.0,其在十二面体空洞中的占有率约为0.93(Mg的名义含量X=1.5时).所有样品均表现为n型传导,Mg的掺入对材料的能带结构有一定影响,Mg掺杂后,样品的载流子浓度降低,Seebeck系数的绝对值、电阻率增加,Mg的名义含量X=1.5时,样品的功率因子在430 K附近取得最大值1.26×10-3W·m-1·K-2.     

扫描热成像系统NETD数学模型的研究

讨论了最近几十年发展起来的最具代表性的10种NETD模型的优缺点．在对它们进行综合分析的基础上建立起了新的适用于扫描热成像系统的NETD数学模型，得到的模型消除了光学系统大的f／#影响，增加了两个可供选择的光谱滤波函数，并考虑了占空比在模型中的影响．建立起的模型能客观全面地用于热成像系统温度灵敏度的性能评价。     

单晶硅衬底上Ge填埋层低温应力诱导重结晶制备多晶硅薄膜

本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Sisubstrate,并在真空中进行后续退火.采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM)、光学显微镜和热重差热分析(DSC)等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理.结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si (111)择优取向.样品分别在400℃、500℃、600℃和700℃退火后薄膜的横向光学波的波峰均在519cm-1附近,半高宽大约为6.1 cm-1,且均在Si(111)方向高度择优生长.退火温度为600℃的样品对应的晶粒尺寸约为20 μm.然而,在相同的薄膜结构(a-Si/Ge/Si substrate)的前提下,当把生长温度提高到300℃时,温度高达到700℃退火时间5h后,薄膜依然是非晶硅状态.差热分析表明,室温生长的样品,在后续退火过程中伴随界面应力的释放,从而诱导非晶硅薄膜重结晶成多晶硅薄膜.     

Formation process and fractal growth model of HCFC-141b refrigerant gas hydrate

The microscopic visualization experiment on the formation process of HCFC-141b refrigerant gas hydrate has been investigated, and the morphological photos of hydrate formation process have been obtained. The results show that gas hydrate originally nucleated on the interface of refrigerant HCFC-141b and water under the condition of supercooling, then the hydrate grows continually due to the inducement of formed nucleation and diffusion of refrigerant. The formation of gas hydrate presents an arboreous phenomenon. The fractal dimension of the hydrate formation morphology on different stages was calculated. The calculating results indicate that the initial stage of the hydrate formation belongs to fractal growth, and the dimension is about 1.52. Based on the fractal theory, an RIN-DLA (random inducement nucleation-diffusion limited aggregation) model for the HCFC-141b hydrate growth was developed. The hydrate growth process was simulated with the developed model, and the fractal dimension for the simulated     

聚丙烯酸在纳米TiO2表面吸附行为的研究

讨论了聚丙烯酸在纳米TiO₂水悬浮体系中的吸附行为.红外光谱分析和吸附实验结果表明,纳米TiO₂通过氢键吸附PAA.PAA吸附量随着浓度的升高而增大直至饱和吸附量,且分子量越大,饱和吸附量越大.pH值增大,则饱和吸附量减小.在相同条件下,表面吸附层的厚度随PAA分子量、浓度和pH值增大而增大.这是由PAA在颗粒表面构型的变化所致.吸附PAA后的纳米TiO₂的表面电荷密度和ζ电位发生变化,pHiep值向低值方向移动.表面吸附自由能的计算结果说明,PAA在纳米TiO₂表面的吸附是自发过程.     

高效液相色谱法测定酿酒酵母中S-腺苷-L-蛋氨酸

利用高效液相色谱(HPLC)法对酿酒酵母(Saccharomyces Ceverisiae,SC)发酵样品中S-腺苷-L-蛋氨酸(SAM)的测定方法进行研究。流动相为甲醇∶40 mmoL/LNH4H2PO4-8 mmoL/L 1-庚烷磺酸钠=20∶80(V/V),流速为1.0 mL/min,检测波长为254 nm,用外标法进行定量。方法的相对标准偏差和平均回收率分别为0.82%和98.22%。该方法简便有效,适用于SAM系列产品生产中的质量控制。     

常压干燥法制备Al2O3块状气凝胶

以无机铝盐Al(H2O)9(NO3)3为前驱体，甲酰胺作为干燥控制化学添加剂(DCCA)，1,2-环氧丙烷作为凝胶网络诱导剂，通过溶胶-凝胶法制备氧化铝凝胶；在常压条件下对凝胶进行干燥，得到乳白色、半透明、轻质、块状氧化铝气凝胶.初步探讨了在凝胶制备和陈化过程中增强凝胶网络结构强度的途径和机理.     

类铍离子激发态1s22P2 3Pe的能量、精细结构和跃迁波长的计算

采用多组态相互作用方法及Rayleigh-Ritz变分法,计算了类铍离子等电子系列(Z=4-10)激发态1s22p2 3Pe的非相对论能量,利用截断变分方法得到能量改进量,进一步考虑相对论效应和质量极化效应,从而获得了高精度的能量计算值.给出了类铍离子等电子系列激发态1s22p2 3Pe的相对论能量修正和质量极化效应随核电荷数Z变化的情况.同时还计算了激发态1s22p23Pe的精细结构能级和劈裂,以及1s22s2p3Po到1s22p2 3Pe态的辐射跃迁波长.计算结果与其他理论和实验符合得很好.     

甲苯胺蓝荧光猝灭法测定核酸

以甲苯胺蓝为荧光探针,基于DNA对甲苯胺蓝的荧光猝灭作用,建立了一种定量测定DNA的新方法。在pH 8.5的Tris-HCl缓冲溶液中,测定小牛胸腺DNA的线性范围为0.1～6.0 μg·mL-1,检测限为27 ng·mL-1。该方法应用于实际样品樟树嫩叶中的DNA含量的测定,获得了满意结果。     

同型异质表面修饰提高La2NiO4+δ阴极的电催化活性

构建异质结界面来改性传统的阴极材料已广泛应用于提高固体氧化物燃料电池(SOFC)阴极氧还原反应(ORR)活性的研究。 本文研究发现,在传统的La₂NiO_4+δ(LNO)阴极表面,表面修饰同型的Pr₂NiO_4+δ(PNO) 薄膜能够有效地加速其ORR动力学。 同时,也揭示了表面修饰提高ORR活性的机理。 首先,调控工艺条件,LNO薄膜出现了高催化活性的(110)晶面。 其次,厚度约为5 nm的PNO外延层沉积在LNO表面显示出最小的极化电阻,其极化电阻比相同厚度LNO参照的小近21倍。 由于异质结表面氧缺陷化学的不同,PNO(~5 nm)表面修饰的异质结表现出优越的ORR活性。 其中,多孔的LNO本体提供了一条有利于传输氧离子和电子的途径,而PNO修饰提供了丰富的表面氧缺陷,从而进一步增强了阴极的ORR活性。