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针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极结构进行了定量的比较,给出了优化的电极结构。计算结果显示,在相同工艺参数下,采用插指型电极结构的LED与采用传统型电极结构和扩展正极型电极结构的LED相比,电流扩展更均匀,串联电阻更小。在此基础上,对插指型电极结构作了进一步的参数优化,得出了使LED的串联电阻取最小值时的插指型电极的结构参数。根据优化得到的参数制作了相应的LED样品,并与采用扩展正极型电极结构的LED做了对比实验。实验结果表明,计算得出的结果与实验结果符合得很好。采用了优化后的插指型电极结构的LED与采用扩展正极型电极结构的LED相比,前者的串联电阻仅为后者的44.4%。 相似文献
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Effect of Al Doping in the InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes Grown by Metalorganic Chemical Vapour Deposition 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The effect of Al doping in the GaN layer of InGaN/GaN multiple quantum-well light emitting diodes (LEDs) grown by metalorganic chemical vapour deposition is investigated by using photoluminescence (PL) and highresolution x-ray diffraction. The full width at half maximum of PL of A1 doped LEDs is measured to be about 12nm. The band edge photoluminescence emission intensity is enhanced significantly. In addition, the in-plane compressive strain in the Al-doped LEDs is improved significantly and measured by reciprocal space map. The output power of Al-doped LEDs is 130mW in the case of the induced current of 200mA. 相似文献
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AGENERALTECHNIQUEFORDEALINGWITHDEGENERACYINREDUCEDGRADIENTMETHODSFORLINEARLYCONSTRAINED NONLINEAR PROGRAMMINGHANJIYE(韩继业);HUX... 相似文献
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本文考虑如下的不可微规划问题其中目标函数f是局部Lipsohitz函数。根据可以定义方向导数f~0(x; d)和次微分集合(?)f(x)。现有的一些求解(NSP)的算法,例如[2],几乎都假定可以求得(?)f(x)或者(?)f(x)中的一个元素。然而,Shor指出既使f是凸函数,若(?)f(x)不是独点集,则不可能有算法保证对于ε>0,可以求得矢量g_a,使得当f是凸函数时,他同时给出一个求点x处近似次梯度的方法,即任意给定δ,δ>0,可以构造出矢量g,使得存在x∈B(x,δ),满足对于其他特殊情形,我们有如下结果。 相似文献
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肿瘤基因MYC在人类70%癌细胞中高表达,抑制其转录是治疗肿瘤的有效手段.c-MYC启动子区P1近端的核酸酶超敏元件Ⅲ1(NHE Ⅲ1)控制MYC基因近90%的转录激活.NHE Ⅲ1区域富含碱基G序列并且形成G-四链体(G4),调控c-MYC基因转录,是抗肿瘤药物靶标.但G4-DNA和G4-RNA的三维结构高度相似,小分子与其他G4(如端粒G4、mRNA G4、c-Kit G4等)的非特异性作用会产生小分子药物“脱靶”效应,同时小分子药物会诱导其他G4形成从而干扰正常细胞的功能,造成靶向c-MYC G4抗癌药物设计困难.本文综述了近些年靶向肿瘤因子c-MYC G4-DNA的小分子药物研究进展,及核磁共振(NMR)技术在G4-DNA和G4-RNA结构确定中的作用,为靶向c-MYC G4-DNA的小分子药物设计等相关研究工作提供参考. 相似文献