基于多角度偏振载荷数据的中国典型地物偏振特性研究

相对于传统的光学遥感, 多角度偏振遥感不仅可以获取辐射强度信息, 而且可以获取偏振强度信息. 基于多角度偏振卫星载荷观测的中国典型地物的偏振反射率数据, 获取了地表偏振双向反射模型——Nadal模型的中国区域模型参数值. 在此基础上, 基于修正的Nadal模型研究了中国区域森林、草地、沙漠三种典型地物的多角度偏振特性. 研究表明: 1)各地物的偏振反射率均随着散射角的增大而减小, 随着太阳天顶角和卫星观测天顶角的增大而增大; 2)森林、草地和沙漠三种典型地表偏振反射率存在明显差别, 森林的偏振反射率最低, 草地的偏振反射率次之, 沙漠的偏振反射率大约为森林的两倍; 3)不同地物之间的偏振反射率差值均随着卫星观测天顶角和太阳天顶角的增大而增大. 研究结果可为基于多角度偏振遥感数据探测地表偏振特性和反演气溶胶参数提供先验知识.     

站“高”再看高考题

针对2006年四川省一道有关不等式证明的高考题,利用导数研究函数单调性和凸凹性的方法,结合使用微分中值定理,给出证明,并对两个不等式成立的取值范围进行了推广     

三氯卡班分子印迹共价有机骨架毛细管电色谱开管柱的制备及应用EI北大核心CSCD

以三氯卡班(TCC)为模板分子,1,3,5-三醛基间苯三酚(Tp)为功能单体,通过席夫碱反应制备TCC-TpPa分子印迹开管柱,并对其结构、吸附、分离性能进行表征。结果表明,毛细管柱内壁键合2.0~2.6μm的分子印迹共价有机骨架固定相,柱外吸附容量和印迹因子可达32 mg/g和2.3。以三氯生(TCS)为竞争吸附物,以10%(V/V)乙腈-90%(V/V)磷酸盐为样品溶剂,pH 7.0的20 mmol/L磷酸盐为缓冲溶液,20 kV为分离电压,TCC和TCS的分离度为2.76。以TCC,TCS,4-间氯苯二酚和对氯间二甲基苯酚为目标分析物,评价TCC-TpPa开管柱印迹性能,在最佳条件下,4种物质完全分离。TCC-TpPa分子印迹开管柱可用于实际样品中TCC含量的测定。     

一类Boussinesq方程解的爆破和不稳定性

研究了一类非线性Boussinesq方程解的爆破和基态解的不稳定性,还得到了问题带在不同域中的初值的整体有界解.     

掺杂物对MgB2超导电性能影响的研究进展

总结了不同掺杂物对MgB2超导电性能影响的研究现状,具体介绍了不同粒度、不同类型的掺杂物对MgB2超导电性的影响。目前的研究结果表明:所有掺杂都降低了MgB2的临界转变温度,而除Cu外的大部分掺杂物都可改善MgB2的不可逆磁场Hirr,提高其临界电流密度Jc;在所有掺杂物中,纳米级S iC掺杂对MgB2的超导电性能改进最大。基于目前的研究现状和结果,最后文中对MgB2超导材料的应用前景进行了展望。     

计算机辅助化工原理课程设计教学

作为化工专业的基础课,《化工原理》课程的教学中包含着一个重要的组成部分———课程设计。作为实践教学环节,课程设计的目的是让学生在教学过程中,对所学过的课堂知识有一个感性认识。如完成精馏塔的设计,就会使学生在设计过程中直观地了解工艺条件的选择和控制对塔...     

四磺酸酞菁及其金属配合物的合成、表征及对1,5-萘二酚的光敏催化氧化性能

以4-磺酸钾邻苯二腈为原料合成了水溶性四磺酸酞菁(H₂PcTS)及其金属配合物(ZnPcTS, FePcTS, CoPcTS), 通过透析法提纯得到了纯度较高的产物. 采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、核磁共振氢谱(¹H NMR)及循环伏安(CV)等测试手段表征了四磺酸酞菁及其配合物的结构和性质. 结果表明, 磺酸酞菁在水溶液中存在不同程度的聚集现象, 金属离子的配位会对磺酸酞菁的光谱和电化学性质产生影响. 研究了磺酸酞菁作为光敏剂催化氧化1,5-萘二酚的反应, 发现FePcTS/H₂O₂催化体系对1,5-萘二酚具有良好的催化氧化性能, 氧化产物主要为5-羟基-1,4-萘醌. 比较了不同溶液pH值对FePcTS和H₂PcTS催化能力的影响, 初步探讨了该反应的催化机理.     

阶化 Cartan 型李超代数的结合型

本文确定了具有非退化结合型的Ｃａｒｔａｎ型李超代数。     

硅藻土的形态、结构对明胶溶液脱色效率的影响

本文采用两种硅藻土进行了明胶脱色实验,并用电子显微镜对它们的形态、晶态进行对比.发现硅藻土脱色性能的好坏与其形态结构密切相关.     

引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面量子点的光学特性

在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加, SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移; PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变;通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱;时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态,并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程,以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。