一种大功率LED散热系统模糊控制器设计

基于当前的COB封装LED芯片,分析了芯片的热阻模型,推导出发光结在理想温度下工作时的基板温度。针对大功率LED存在的散热问题,基于课题组双进双出射流冲击水冷散热系统,设计了一种模糊控制器,选取温度变化和温度变化率为控制输入量,并对各控制输入量的范围设定进行了说明。根据设计的控制器进行程序编写,下载到控制芯片中进行实际验证,在20℃环境温度下,芯片基板温度最终维持在35.5~36.5℃之间,保证了灯具正常、稳定工作,为大功率LED散热系统提供了一种控制器设计方案,具有一定的实际意义。     

高温超导电机电枢线圈临界电流密度研究

高温超导线材的临界电流密度受磁场的影响,在设计计算时,通常假设在线圈截面上电流密度是均匀分布的。但是,实际上在线圈截面上,电压是一致的。由于线圈中的磁场不均匀分布,各处的临界电流密度是不同的。采用数值模拟的方法,分析了高温超导线圈截面上的临界电流分布。结果显示,临界电流密度的分布是不均匀的,总的临界电流可比按均匀分布时的计算结果提高25%以上。     

MECO超导磁体支撑和冷屏的热流体计算

μ介子转化为电子实验装置(MECO)是美国能源部目前在建的一个高能物理项目。本文提出了MECO中的PS、TS1、TS2、DS四个超导螺线管磁体支撑和冷屏新的冷却方案,设计了支撑和冷屏的冷却结构。采用三维仿真方法,计算得到新方案下磁体冷质量的热负荷,并计算了50K冷却氦流质量流量、压降的大小以及冷屏上温度分布。从而为冷却结构设计和制定的新方案提供可靠的理论依据。     

Salen型双肟镍(Ⅱ)簇合物的合成与晶体结构

A nickel(Ⅱ) cluster, {[Ni(L)H₂O]₂(OAc)₂Ni}·2EtOH, has been synthesized by the means of the complexation of nickel(Ⅱ) acetate tetrahydrate with a new Salen-type bisoxime ligand (H₂L, 4,4′-dimethoxy-2,2′-[ethylenedioxybis(nitrilo-methylidyne)]diphenol). The crystal structure shows that the hexacoodinated terminal nickel(Ⅱ) ions lie in the N₂O₂ coordination sphere of Salen-type bisoxime ligands, quadruple μ-phenoxo oxygen atoms from two [NiL] chelates coordinated to the central nickel(Ⅱ) ion, and the two acetate anions coordinated to three nickel(Ⅱ) ions through Ni-O-C-O-Ni bridges. Thus, all the three nickel atoms of the cluster have distorted octahedral geometries. CCDC: 736762.     

Electrical characteristics of AlInN/GaN HEMTs under cryogenic operation

Electrical properties of an AlInN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT) on a sapphire substrate are investi-gated in a cryogenic temperature range from 295 K down to 50 K. It is shown that drain saturation current and conductance increase as transistor operation temperature decreases. A self-heating effect is observed over the entire range of temperature under high power consumption. The dependence of channel electron mobility on electron density is investigated in detail. It is found that aside from Coulomb scattering, electrons that have been pushed away from the AlInN/GaN interface into the bulk GaN substrate at a large reverse gate voltage are also responsible for the electron mobility drop with the decrease of electron density.     

无源RC积分器在多脉冲信号测量中的问题分析

由微分测量探头和积分器构成的微分积分测量系统广泛应用于脉冲电压和电流测量。依据无源RC积分器的等效电路,分析了在多脉冲信号测量中,无源RC积分器在实现微分信号的积分还原时,可以引起信号的平顶降和信号基线偏离,给出了平顶降和基线偏离与信号脉冲宽度和积分常数的定量关系,计算了在不同积分器参数和脉冲信号参数时的平顶降和基线偏离结果,并且与PSpice电路模拟结果进行了比较,两种结果一致。按照此定量关系,可以根据脉冲信号特点和测量要求,准确确定积分器参数。     

水杨酸与人血清白蛋白的相互作用研究

采用荧光光谱法,紫外光谱法及圆二色谱法研究了具抗凝血作用的水杨酸与人血清白蛋白(HSA)的相互作用.结果表明,水杨酸对人血清白蛋白荧光产生猝灭现象,猝灭方式为静态猝灭.通过同步荧光法和圆二色谱法发现水杨酸的存在明显改变人血清白蛋白的构象.     

亲水作用色谱法测定胡芦巴中的胡芦巴碱

建立了亲水作用色谱法(HILIC)测定胡芦巴药材中胡芦巴碱含量的方法。采用Waters Atlantis HILIC Silica色谱柱(150 mm×2.1 mm, 3 μm),以乙腈-乙酸铵溶液(pH 4.4)(体积比为70:30)为流动相,流速0.4 mL/min,检测波长265 nm。胡芦巴碱的线性范围为2.50～100 mg/L (r=0.9996);两个加标水平的平均加样回收率为102%,相对标准偏差(RSD)分别为4.17%和2.28%(n=3)。结果表明所建方法分离效果好、快速简易,可以弥补中国药典中离子对色谱法(IPLC)平衡时间过长的缺陷,适用于胡芦巴药材中强极性胡芦巴碱的测定,为胡芦巴的质量控制提供了有效的方法。     

Sn60Pb40钎料合金的具有蠕变和塑性边界的粘塑性本构方程

采用具有蠕变和塑性边界的粘塑性本构方程对Sn-Pb共晶合金的基本力学行为进行了模拟和预测。结果表明：在较宽的外部变量范围（应变率为10^-5-10^-2S^-1,温度为－55－125℃）内,模拟结果与实验结果吻合良好。证明了该方程用于描述Sn-Pb共晶合金的力学行为具有良好的预测能力。