激光线宽和光强对同位素原子选择光电离的影响

本文研究了非单色(有限带宽)激光场与同位素原子体系相互作用的激发光电离过程. 采用混沌场随机模型描述激光场,用密度矩阵理论和Fokker-Planck方程方法首次给出了非单色激光场与多能级原子相互作用的激发动力学方程. 针对三能级同位素原子体系,讨论了激光线宽和激光光强对同位素原子电离概率和激光同位素分离过程中分离选择性的影响. 关键词： 激光同位素分离 激发动力学方程 激光线宽 Rabi频率     

High efficiency beam combination of 4.6-μm quantum cascade lasers

The quantum cascade laser （QCL）, a potential laser source for mid-infrared applications, has all of the advantages of a semiconductor laser, such as small volume and light weight, and is driven by electric power. However, the optical power of a single QCL is limited by serious self-heating effects. Therefore, beam combination technology is essential to achieve higher laser powers. In this letter, we demonstrate a simple beam combination scheme using two QCLs to extend the output peak power of the lasers to 2.3 W. A high beam combination efficiency of 89% and beam quality factor of less than 5 are also achieved.     

Tapered Bragg reflection waveguide edge emitting lasers with near circular twin-beam emission简

Experiments on developing a frequency-stabilized 555.8-nm laser are presented. The 555.8-nm laser＇ is obtained by frequency doubling of a l lll.6-mn diode laser through single-passing a periodically poled lithium niobate （PPLN） waveguide. Tile 555.8-nm laser is then locked to a stable high-finesse Fabry Perot （FP） cavity by tile Pound Drever--Hall （PDH） technique. Tile finesse of the cavity is measured by tile heterodyne cavity ring-down spectroscopy technique. The linewidth of the 555.8-nm laser is investigated. Alter the laser is locked, the laser line width is reduced to about 3 kHz. This frequency-stabilized 555.8-nm laser is used in experiments on the laser cooling and trapping of ytterbium atoms to develop an ytterbium optical clock.     

大功率半导体激光合束进展

经过近30年的发展,半导体激光器已由信息器件逐步发展成为能量器件,特别是大功率高光束质量半导体激光器,已从泵浦光源过渡成为直接作用光源,并部分应用在加工及国防领域。本文介绍了大功率半导体激光单元发展现状,分析讨论了各种激光合束技术及相应的合束光源,介绍了长春光机所在激光合束方面所做的部分工作,提出了我国半导体激光产业建设及发展的几点建议,并对半导体激光技术的发展新动向进行了展望。随着单元亮度的提升和合束技术的成熟,大功率半导体激光源作为间接光源和直接作用光源将在国防和工业领域大放异彩。     

有机微腔红光发射器件

通过将微腔引入有机掺杂红光OLED器件,获得了半宽(FWHM)仅为27 nm的纯红光发射,器件色度为(0.6497,0.3488).另外通过改变基质材料,制作了不同的掺杂器件,发现除了器件的发光颜色有了很大变化外,器件的性能也有很大不同,采用宽能隙材料作为基质的器件无论在J-V特性还是在器件效率上均不如窄能隙材料器件,说明在选基质材料时,除了一些必须考虑的因素外,材料的能隙也是决定器件性能的一个重要指标.     

高功率垂直腔面发射半导体激光器优化设计研究

与传统的端发射半导体激光器相比，垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）具有可单模输出，光束对称性好，可被高度聚焦，进入光纤的耦合效率极高和有利于大规模二维列阵等优 点.为了得到高功率的激光输出，除了要增大VCSEL的发射面积之外，关键的是要选择适 当的量子阱层数、有源区电流密度的均匀分布和良好的热管理等.本文详细研究和分析了高功率VCSEL有源区量子阱层数，有源区直径，材料的热导和电阻，电极间距等对VCSEL 器件性能的影响.通过优化参数，进行最佳设计，研制出了980 nm In0.2Ga0.8As/Ga 关键词： 垂直腔面发射激光器（VCSEL） 量子阱 高功率     

外施稀土在农田生态系中的生物地球化学循环与残留

选择已广泛使用稀土微肥的大兴县庞各庄小麦种植区内, 进行稀土喷施常规量、土施常规量及3倍常规量和对照4种处理的田间实验. 以各地块的耕层土壤为主体, 观测、收集和测定了与之相关各项源汇物质及它们所载带稀土的通量. 结果表明, 未施稀土的地块中, 由降雨、降雪、灌水、复合肥、尿素和降尘等主要源物质载带的稀土输入量极少, 每年共计仅有19.3 g·hm-2 左右; 而外施稀土的地块中, 稀土输入量显著增高. 喷施或土施常规量所输入的稀土分别为对照地块总输入量的9.7和106倍. 但在对照和施用不同量稀土的4个地块中, 由小麦植株的收获和雨水下渗所引起的稀土总输出量都很相近, 而且均以收获期的小麦植株为主要输出物质, 各部位的稀土输出量排序均为根>叶>茎>颍壳>籽粒. 由计算结果得知, 在对照地块的耕层土壤中稀土输出量与输入量基本平衡, 不会发生稀土累积; 而在外施稀土的地块中, 随着外施稀土量的增加, 耕层土壤中的稀土累积量有相应增高, 如果多年连续土施常规量稀土, 仅需159年就会使耕层土壤中稀土含量增加1倍, 发生环境污染有较大的潜在危险; 而采用喷施(常规量)的方法累积速度低得多, 需要2008年才能使耕层土壤中稀土含量增加1倍.     

稀土元素在植物中的分异机制 (I) 小麦不同器官中的稀土元素分异模式及形成机制

以小麦为植物材料，利用外源稀土添加、营养液培养等人工控制手段，研究了稀土元素在植物体内的分异效应，并探讨了分异效应产生的机制。结果表明，稀土元素在小麦不同器官中出现显著分异。根系出现中稀土(MREE)富集特征和“M”型四重效应，分析是由稀土元素与PO4^3-的选择性沉淀造成。小麦地上部分稀土元素分布出现“W”型四重效应，分析也是由根部磷沉淀造成。与此同时，小麦茎部相对富集轻稀土(LREE)，叶中相对富集重稀土(HREE)。运用VMINTEQ程序计算了木质部溶液中稀土元素的结合形态主要有LnEDTA^-和Ln^3 (Ln指稀土元素)，但仅有LnEDTA^-表现出HREE相对富集特征，其他形态则表现出LREE相对富集特征。分析叶部LREE／HREE分异是吸收LnEDTA^-造成，而茎部LREE／HREE分异则是吸收Ln^3 和其他形态稀土的结果。细胞壁对Ln^3 的吸附也是导致以上分异特征的重要因素。     

N－烯丙基咔唑与甲基丙烯酸甲酯高温共聚合

Ｎ－烯丙基咔唑不能均聚合，但可与甲基丙烯酸甲酯在高温下共聚合。测定了２００—２６０℃时两单体共聚合竞聚率，１度为２５０℃时，ｒ１和ｒ２均小于１。共聚物分子量随着共聚温度升高而降低．结果表明，共聚体系中，增长反应与降解反应同时存在．该反应可能是自由基过程．     

一种新型聚合物激光染料

报道了一种新型聚合物染料的受激发射特性