宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展

本论文综述了宽禁带半导体β-Ga2O3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质.β-Ga2O3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景.     

陶瓷厚膜电致发光器件的电致发光特性研究

研制了以四元系组分ＰＭＮ－ＰＴ－ＰＦＮ－ＰＣＷ陶瓷厚膜为绝缘层的无Ｙ２Ｏ３介质层和有Ｙ２Ｏ３介质层两种结构的电致发光器件,并对陶瓷厚膜的制备民厚膜厚度等对陶瓷厚膜电致发光器件电致发光特性的影响进行了深入的研究。     

铁和镧共掺杂纳米二氧化钛光催化剂的制备、表征及其光催化活性

以葡聚糖为模板,钛酸四正丁酯、硝酸铁和硝酸镧为前驱体采用模板法制备了一系列铁、镧单掺杂及共掺杂纳米TiO₂光催化剂. 利用SEM、XRD、BET比表面积测定和UV-Vis等技术对其形貌、晶体结构及表面结构、光吸收特性等进行了表征. 以甲基橙溶液的光催化降解为模型反应,考察了不同掺杂的样品在紫外和可见光下的光催化性能. TiO₂材料具有较大的比表面积(约150 m²/g),铁和镧共掺杂纳米TiO₂在可见光区域有较强的吸收,在紫外和可见光条件下较纯TiO₂和单掺杂TiO₂对甲基橙溶液具有更好的光催化降解效果,且铁和镧的掺杂量显著影响该材料的催化性能. 当铁掺杂量为0.5mol%、镧掺杂量为0.3mol%,在500 ℃焙烧2 h所得光催化材料的催化性能最佳,焙烧4 h即可使甲基橙的降解率达98.8%,且该复合材料有较高的循环回收利用率,重复使用4次仍可使甲基橙的降解率保持在88%以上.     

Investigation of Chemical-Vapour-Deposition Dialnond Alpha-Particle Detectors

Diamond films with [100] texture were prepared by a hot-silament chemical vapour deposition technique to fabricate particale detectors.the response of detectors to 5.5MeV^241 am particles is studied.The photocurrent increases linearly and then levels off with voltage,and 7nA is obtained at bias voltage of 100V.The timedependent photocurrent initially increases rapidly and then tends to reach saturation.Furthermore,a little increase of the dark-current after irradiation can be accounted for by the release of the charges captured by the trapping centres at low energy levels during irradiation.An obvious peak of the pulse height distribution can be observed,associated with the energy of 5.5MeV.     

Study for infrared spectroscopic ellipsometric properties of diamond films

Spectroscopic ellipsometric measurements in infrared region (2.5 - 12.5 μm) are carried out to characterize the structure and quality of diamond films grown by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) and hot filament chemical vapor deposition (HFCVD), respectively. It is found that the establishment of appropriate models has the strongest influence on the fit of ellipsometric spectra. The best fit is achieved for MPCVD film with a 77.5-nm middle layer of SiO2, and for HFCVD film with an 879-nm rough surface layer included by Bruggeman effective medium approtimation (EMA). Finally the refractive index and the extinction coefficient are calculated for both films, the results show that the film grown by MPCVD is optically much better than that grown by HFCVD at infrared wavelengths.     

氧化锌/金刚石薄膜异质结紫外光探测器

采用射频磁控溅射法在p型自支撑金刚石衬底上制备了高度c轴取向的n型氧化锌薄膜.研究了不同的溅射功率对氧化锌薄膜质量的影响.通过半导体特性分析系统测试了氧化锌/金刚石异质结的电流-电压特性,结果显示该异质结二极管具有良好的整流特性,开启电压约为1.6 V.在此基础上制备了结型紫外光探测器,并对其光电性能进行了研究.结果表...     

室温下金刚石薄膜上沉积立方氮化硼薄膜的研究

采用射频磁控溅射技术分别在纳米与微米金刚石薄膜上制备立方氮化硼(c- BN)薄膜.金刚石薄膜由拉曼光谱(Raman)及原子力显微镜(AFM)进行表征.采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)研究了不同沉积温度对c- BN薄膜生长的影响,结果表明在金刚石薄膜上生长c- BN不存在温度阈值,室温下生长的c- BN含量可达70;以上.当沉积温度由室温向上升高时,对于纳米金刚石薄膜衬底上生长的BN薄膜而言,其中的立方相含量反而逐渐降低.此外,随着沉积温度的降低,c- BN对应的峰位向低波数方向偏移的现象表明低温下生长的c- BN薄膜内应力较小.文中探讨了产生此现象的原因.     

甲壳胺膜中MS(M=Cd,Zn)半导体纳米微粒形成机理的探讨

采用红外光谱（ＩＲ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）对甲壳胺中纳米微晶生长过程进行了监测,并对测试结果进行了分析与讨论,提出甲壳胺膜中ＭＳ（Ｍ＝Ｃｄ,Ｚｎ）半导体纳米微晶可能的生长机制。同时还利用ＡＦＭ对甲壳胺中纳米微晶的形貌和尺度进行了测定。     

基于能量的轨线面跳跃新退相干修正方法

本文受轨线分叉修正面跳跃(BCSH)方法[J. Xu and L. Wang, J. Chem. Phys. 150,164101 (2019)]的启发,提出了两种轨线面跳跃新退相干时间计算公式. 本研究的线型和指数型公式均将退相干时间刻画为绝热势能面之间能差的函数,能够准确地描述BCSH预测的由波包反射导致的退相干效应. 在包含了200个多样化的系列模型中,采用不同的初始核动量,以精确全量子解为参考,对涉及的参数进行了系统训练. 相比广泛使用的退相干公式,两种新方法在Tully的三个标准模型中都显著地提高了可靠性,并保持高计算效率.     

一种适合微条气体室探测器的理想衬底材料

微条气体室(Micro-strip Gas Chamber,MSGC)探测器最严重的问题是电荷积累效应,通过选择合适的衬底材料可以有效的避免.为此,D263玻璃上沉积类金刚石(Diamond-like Carbon,DLC)膜来进行表面改性,从而制备DLC膜D/263玻璃双层结构作为MSGC衬底.拉曼光谱说明DLC膜是由sp³(σ键)和sp²(π键)杂化碳原子组成,属于电子导电型材料,并且沉积出的是一种高质量的DLC膜;I V曲线表明DLC膜改性后的样品具有非常稳定和理想的电阻率,其值在10⁹—10¹²Ω·cm间;C-F曲线显示改性后样品具有小而稳定的电容.DLC膜D/263玻璃的优良性能正是MSGC衬底的最佳要求,这种新型材料用作衬底将有效克服电荷积累效应和衬底不稳定性.