全固态腔内SHG/SFG多波长黄光激光器

报道了一种利用大功率激光二极管端面抽运Nd…YAG激光晶体产生基频光,并通过非线性晶体的腔内倍频(SHG)与和频(SFG),实现多个二次谐波同时连续输出的多波长黄光激光器。将Nd…YAG晶体的1112.1、1115.9、1122.7nm谱线作为基频光,利用LBO和BIBO进行非线性光学频率变换,同时获得了三个倍频光及三个和频光激光输出。从理论上对基频光同时受激跃迁和非线性频率变换相位匹配进行了分析。实验结果与理论分析表明,当基频光的性能相对接近时,合理地选择性能较好的非线性晶体对基频光同时进行倍频和和频是获得全固态多波长激光器的一种实用方法,合理地设计激光器谐振腔能够提高激光器的稳定性。     

基于聚二甲基硅氧烷的可穿戴柔性传感器的研究进展

可穿戴柔性传感器是一种紧密附着在人体的皮肤或组织上,可实时收集、分析人体生理参数的设备,在医疗保健、诊断治疗等领域具有重要的应用价值,近年来引起极大关注。聚二甲基硅氧烷(PDMS)不仅化学性质稳定、热稳定性强、透明性和生物相容性好,还可通过表面改性和整体特性定制以实现不同功能,这使得PDMS成为了可穿戴柔性传感器基底材料的最佳选择。本文综述了近年来基于PDMS的可穿戴柔性传感器的研究进展,对导电修饰材料、传感器的工作原理和性能比较等方面进行了回顾和总结,重点对比了不同导电修饰层材料的性能参数与优缺点,介绍了光敏传感器、温度传感器、应变传感器、压力传感器和生化传感器,最后对可穿戴传感器的研究和应用中存在的挑战进行了分析,对其发展方向进行了展望。     

Linearization of Mach-Zehnder modulator using microring-based all-pass filter

By applying the microring resonator to the Mach-Zehnder (MZ) optical modulator and employing the super-linear phase change characteristic of the all-pass filter, the sublinear modulation curve of the conventional MZ modulator is highly linearized. With properly controlled power coupling between the microring and the arm of the MZ modulator, the third-order distortion can be suppressed. If the transmission coefficient is set between 0.25 and 0.42, the linearity range larger than 90% can be easily achieved. The maximum linearity range is even up to 99.5%.     

基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究

对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应.     

I2O5/KSCN介导的炔烃碘硫氰化反应

报道了一种通过炔烃与I₂O₅及KSCN的碘代硫氰化来获得(E)-β-碘代乙烯基硫氰酸酯的绿色途径.与以前的方法相比,本策略具有不含过渡金属、高度非对映选择性、放大到克级以及反应温和等优点.     

CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应

为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输出电压等参数的变化规律。通过对CMOS图像传感器敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,深入研究了器件参数退化机理。试验结果表明,暗信号和暗信号非均匀性随着中子辐照注量的增大而显著增大,饱和输出电压基本保持不变。暗信号的退化是因为位移效应在体硅内引入大量体缺陷增加了耗尽区内热载流子产生率,暗信号非均匀性的退化主要来自于器件受中子辐照后在像素与像素之间产生了大量非均匀性的体缺陷能级。另外,还在样品芯片上引出了独立的像素单元测试管脚,测试了不同积分时间下像素单元输出信号。     

基于光学扫描全息密码术的多图像并行加密

对光学扫描全息术中的双光瞳做出改进,提出对多图像并行加密和任意层图像再现的新方法.将其中一个光瞳设置成环形光瞳,另一个光瞳处插入随机相位板,干涉形成环形随机相位板,实现对多层图像的快速扫描和并行加密,扫描信号通过计算机合成为加密全息图,在数字全息再现的过程中进行解密,实现对任意层图像的精准重建.该方法快捷高效、安全可靠,抗噪声能力强.利用相关系数评估了该方法的加密效果,并通过仿真实验验证了该方法的有效性和安全性.     

CDIO教育模式在物理实验教学中的实践

物理实验教学在培养工科院校学生实践能力过程中起着至关重要的作用。在物理实验教学中实施"做中学"CDIO模式,通过"基于项目的学习",构建工程教育的学习环境。以应用物理学专业的物理实验为例,探索主动学习的教学方法,培养学生实践创新的工程能力。     

温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响

为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,饱和输出从4 030 DN下降到3 396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e·pixel-1·s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低;饱和输出的降低则是因为转换增益的降低,因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。     

基于BP神经网络-隶属度的河流黑臭评价研究

通过建立BP神经网络-隶属度模型,解决多致黑因子间复杂作用关系,以及网络输出收敛于两等级间的模糊隶属问题,实现对河流黑臭的评价.以太原城区内与汾河交汇的河流为例,根据各条河流的黑臭情况选择黑臭评价指标,拟定河流黑臭分级标准,建立河流黑臭评价模型.从模型计算结果可知,计算结果与各支流实际情况吻合较好,表明所建模型基本合理可行、黑臭水质分级标准拟定合理.