全文获取类型
收费全文 | 138篇 |
免费 | 22篇 |
国内免费 | 41篇 |
学科分类
数理化 | 201篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 6篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 9篇 |
2017年 | 3篇 |
2015年 | 7篇 |
2014年 | 15篇 |
2013年 | 8篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 14篇 |
2010年 | 8篇 |
2009年 | 9篇 |
2008年 | 10篇 |
2007年 | 12篇 |
2006年 | 8篇 |
2005年 | 6篇 |
2004年 | 8篇 |
2003年 | 6篇 |
2002年 | 6篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 4篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 7篇 |
1994年 | 4篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 4篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 3篇 |
1977年 | 1篇 |
排序方式: 共有201条查询结果,搜索用时 78 毫秒
41.
一维光子晶体缺陷模激光器的放大特性 总被引:10,自引:0,他引:10
光子晶体中引入缺陷后将形成缺陷模,这些缺陷模在增益介质中将被放大形成激光。基于麦克斯韦方程和速率方程相结合的模型,用时域有限差分法(FDTD)计算和分析了一维单缺陷光子晶体激光器中缺陷模的空间分布和频谱特性,以及这些缺陷模的放大特性,主要研究了缺陷层的厚度、晶体层数对缺陷模放大特性的影响。模拟结果显示,类似于传统激光腔的腔模,这些缺陷模能够被放大,形成激光。调整缺陷层的厚度、晶体层数等结构参量,将改变缺陷模的谐振,激射频率以及空间分布,这将直接影响激射阈值和饱和特性。增加晶体的层数,激光器的阈值将降低,饱和值将增加,但晶体层数增加到一定限度时,这种增减趋势变弱。模拟结果证明了有效层数的存在。 相似文献
42.
§1.引言关于二阶线性椭圆型方程有限元法的超收敛性研究,已有工作[1]~[6]。本文对于一类拟线性双曲型方程,证明了它的有限元解及其导数具有超收敛性。问题的提法考虑下述混合问题 相似文献
43.
植物激素脱落酸伏安行为的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
植物激素脱落酸在BR介质中还原产生一良好的还原峰,其微分脉冲峰峰电流与脱落酸的浓度在7.5×10-6~9×10-4mo1·L-1范围内有线性关系,检测限为3×10-7mo1·L-1.并对其还原机理进行了研究. 相似文献
44.
45.
气相法分析血浆中的全氟辛酸 总被引:14,自引:0,他引:14
采用气相 电子捕获法测定了人血浆中全氟辛酸的含量。将血浆中的全氟辛酸酯化后进行分析 ,以全氟癸酸为内标。柱为HP 1熔融石英毛细管柱 (30m× 0 2 5mmi.d .× 0 2 5 μm)。方法的线性范围为 2 0 0 0μg/L~ 4 0 0× 10 3 μg/L ,线性相关系数r =0 994 6。平均回收率为 99 2 % ,相对标准偏差 (RSD)为 0 95 % ,血浆中全氟辛酸的检出限为 6 0 μg/L。方法准确、可靠 ,分析结果令人满意。 相似文献
46.
2-亚甲基-丁二酯酐和甲基丙烯酸甲酯在四氢呋喃中以过氧化二苯甲酰作引发剂进行自由基共聚合。由作图法求得这两种单体在66℃的共聚竞聚率:r1=4.22,r2=0.64,表明它们趋于嵌均共聚。用粘度法和GPC测量了共聚物的分子量和分子量分布。 相似文献
48.
49.
在水平面上受稳定约束的弹簧振子运动模型, 实质上是一个与距离r的一次方成正比有心力作用下质
点的运动问题. 本文利用拉格朗日方程建立了该运动模型在极坐标系中的动力学方程, 分别采用泰勒级数展开的方
法和 Ma t l a b数值模拟的方法对该模型的动力学方程进行了计算, 作出了相应的坐标随时间的演化曲线、 运动相图、
运动轨迹, 并将两种方法得出的结果进行了比较, 研究发现, 当初速度较小时, 弹簧振子在径向的运动是周期性的简
谐运动, 在横向的运动是非线性增大的, 在平面上的运动是准周期的 相似文献
50.
GaN基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响. 通过使用三种不同的键合衬底(Al2O3衬底, CuW衬底和Si衬底)以及改变键合温度(290 ℃, 320 ℃, 350 ℃和380 ℃), 并且使用不同的激光能量密度(875, 945和1015 mJ·cm-2) 进行激光剥离, 制备了不同应力状态的GaN基LED器件. 对不同条件下GaN LED进行弯曲度、Raman 散射谱测试. 实验结果表明, 垂直结构LED中的残余应力的状态是键合衬底和键合金属共同作用的结果, 而键合温度影响着垂直结构LED中的残余应力的大小. 激光剥离过程中, 一定能量密度下激光剥离工艺一般不会对芯片中的残余应力造成影响, 但是如果该工艺对GaN 层造成了微裂缝, 则会在一定程度上起到释放残余应力的作用. 使用Si衬底键合后, 外延蓝宝石衬底翘曲变大, 对应制备的GaN基垂直结构 LED中的残余应力为张应力, 并且随着键合温度的上升而变大; 而Al2O3和CuW衬底制备的LED中的残余应力为压应力, 但使用Al2O3衬底键合制备的LED中压应力随键合温度上升而一定程度变大, CuW 衬底制备的LED中压应力随键合温度上升而下降. 相似文献