Electric gating of the multichannel conduction in LaAlO_3/SrTiO_3 superlattices

The electric gating on the transport properties of two-dimensional electron gas(2DEG) at the interface of LaAlO₃/SrTiO₃(LAO/STO) heterostructure has attracted great research interest due to its potential application in fieldeffect devices. Most of previous works of gate effect were focused on the LAO/STO heterostructure containing only one conductive interface. Here, we systematically investigated the gate effect on high-quality LAO/STO superlattices(SLs)fabricated on the TiO₂-terminated(001) STO substrates. In addition to the good metallicity of all SLs, we found that there are two types of charge carriers, the majority carriers and the minority carriers, coexisting in the SLs. The sheet resistance of the SLs with a fixed thickness of the LAO layer increases monotonically as the thickness of the STO layer increases. This is derived from the dependence of the minority carrier density on the thickness of STO. Unlike the LAO/STO heterostructure in which minority and majority carriers are simultaneously modulated by the gate effect, the minority carriers in the SLs can be tuned more significantly by the electric gating while the density of majority carriers is almost invariable. Thus, we consider that the minority carriers may mainly exist in the first interface near the STO substrate that is more sensitive to the back-gate voltage, and the majority carriers exist in the post-deposited STO layers. The SL structure provides the space separation for the multichannel conduction in the 2 DEG, which opens an avenue for the design of field-effect devices based on LAO/STO heterostructure.     

Co含量对Pr10Fe74-xCo10+xC4B4 (x=0,2,4,6,8) 快淬条带的磁性能的影响

用快淬方法制备了Pr10Fe74-xCo10+xC4B4 (x=0,2,4,6,8) 条带,研究了成分和工艺对条带磁性能的影响.实验发现,当x=2,带速是20 m·s-1时,条带的磁性能最佳,其剩磁Jr=0.94 T,矫顽力μ0 iHc=0.96 T,最大磁能积 (BH)max=127.32 kJ·m-3.通过Henkel-plot分析,发现x=2,带速为20 m·s-1的样品中的晶间交换作用最强,因而能获得最佳的磁性能.     

2∶17型快淬Sm-Fe-Cu-Si-C的硬磁性

研究了Sm₂Fe₁₅Si₂C和Sm₂Fe₁₄CuSi₂C化合物的结构与磁性,测量了化合物的居里温度T_C和饱和磁化强度M_s.通过对取向样品在磁场平行和垂直取向方向测量的磁化曲线的拟合得到了不同温度下化合物的磁晶各向异性场H_A和各向异性常数K₁和K₂.实验结果表明,Cu的     

2∶17型快淬Sm-Fe-Cu-Si-C的硬磁性

研究了Sm₂Fe₁₅Si₂C和Sm₂Fe₁₄CuSi₂C化合物的结构与磁性,测量了化合物的居里温度T_C和饱和磁化强度M_s.通过对取向样品在磁场平行和垂直取向方向测量的磁化曲线的拟合得到了不同温度下化合物的磁晶各向异性场H_A和各向异性常数K₁和K₂.实验结果表明,Cu的     

电流退火铁基薄带巨磁阻抗效应的影响

研究了电流退火工艺对铁基非晶合金Fe₈₄Zr₈Nb_3.5B_3.5Cu_{1〈/sub>薄带巨磁阻抗效应的影响.实验结果表明,该铁基合金的巨磁阻抗ΔZ/Z随退火电流的增加而增强,当电流为820mA时,ΔZ/Z达到最大值62％,阻抗变化灵敏度可达约0.23％（A/m)^-1.结合此合金在电流退火燧后电性能和软磁性能的演变,讨论了材料的巨磁阻抗效应借助趋肤效应与交流频率和外加纵向磁场的关系. 关键词：}     

基于深紫外激光-光发射电子显微技术的高分辨率磁畴成像

基于磁二色效应的光发射电子显微镜磁成像技术是研究薄膜磁畴结构的一种重要研究手段,具有空间分辨率高、可实时成像以及对表面信息敏感等优点.以全固态深紫外激光(波长为177.3 nm;能量为7.0 eV)为激发光源的光发射电子显微技术相比于传统的光发射电子显微镜磁成像技术(以同步辐射光源或汞灯为激发源),摆脱了大型同步辐射光源的限制;同时又解决了当前阈激发研究中由于激发光源能量低难以实现光电子直接激发的技术难题,在实验室条件下实现了高分辨磁成像.本文首先对最新搭建的深紫外激光-光发射电子显微镜系统做了简单介绍.然后结合超高真空分子束外延薄膜沉积技术,成功实现了L10-FePt垂直磁各向异性薄膜的磁畴观测,其空间分辨率高达43.2 nm,与利用X射线作为激发源的光发射电子显微镜磁成像技术处于同一量级,为后续开展高分辨磁成像提供了便利.最后,重点介绍了在该磁成像技术方面取得的一些最新研究成果:通过引入Cr的纳米"台阶",成功设计出FePt的(001)与(111)双取向外延薄膜;并在"台阶"区域使用线偏振态深紫外激光观测到了磁线二色衬度,其强度为圆二色衬度的4.6倍.上述研究结果表明:深紫外激光-光发射电子显微镜磁成像技术在磁性薄膜/多层膜体系磁畴观测方面具备了出色的分辨能力,通过超高真空系统与分子束外延薄膜制备系统相连接,可以实现高质量单晶外延薄膜制备、超高真空原位传输和高分辨磁畴成像三位一体的功能,为未来磁性薄膜材料的研究提供了重要手段.     

非晶态Fe90-xCuxZr10合金的磁性和晶化特性

研究了以部分非磁性元素Cu取代Fe对非晶态(?)合金的基本磁性和晶化特性的影响,对实验所得样品中FeZr原子的平均磁矩(?)FeZr,居里温度T_c和晶化温度T_cc,随Cu元素含量x的变化特性进行了分析讨论,结果表明这些变化特性必须综合考虑几个方面因素才能得到解释。 关键词：     

非晶态磁性材料居里温度的测量

测量居里温度的方法很多［１］,通常是测量对应于自发磁化强度消失时的温度．但由于非晶态材料结构是无序的,测量遇到一定困难．本文根据霍普金森效应起始磁导率在居里温度突然消失的原理,介绍测量非晶态磁性材料居里温度的方法和装置．该装置不仅操作方便,快速准确,而且结构简单,容易制作,经济实用．１．测量原理磁性材料的起始磁导率μｉ与材料的各向异性常数Ｋ和自发磁化强度Ｉ０有关［２］,即表示为式中Ａ是常数,?...     

Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z反磁化过程的微磁学分析

通过微磁学有限元方法研究了微结构对各向异性的Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁性能的影响， 并 对不同温度下的退磁曲线进行了计算.计算结果表明，矫顽力随着2∶17相晶粒尺寸的增大 而增大，随1∶5晶界相厚度的增大而减小；通过减小晶界相厚度或增大晶粒尺寸可以有效提 高 磁能积.反磁化的物理机制主要为形核机制，主要表现为首先在晶界相形成反磁化核，随 着 磁场的增大反磁化核不断长大，最后导致整个磁体的磁化反转；而当温度升高时，晶界相逐 渐变成非磁性相，使得反磁化核难以形成，因此出现了反常的矫顽力温度依赖关系. 关键词： 微磁学 有限元 微结构 磁性能     

非晶态（Fe＿（1－x）Co＿x）＿（77．5）Nd＿4B＿（18．5）合金的电阻率的压力系数和压力弛豫研究

在０．０００１－２．４ＧＰａ流体静压力范围详细研究了非晶（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿ｘ）＿（７７．５）Ｎｄ＿４Ｂ＿（１８．５）（０≤ｘ≤１．０）合金的电阻率与压力的关系，得到该非晶合金电阻率的压力系数随组分ｘ变化的规律。结果表明：用少量的钴（ｘ＝０．２）替代铁，不会影响其硬磁性和热稳定性，同时却可减小电阻率的压力系数，从而增强电磁性能在压力下的稳定性。此外还观测到在０．５１ＧＰａ保压３－２４ｂ的结构弛豫，进一步求出该非晶台金电阻率的压力弛豫时间对组分ｘ的依赖关系。