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51.
Temperature dependence on rectifying and photoelectronic properties of La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/Nb:SrTiO_3(LSMO/STON) junctions with the thickness values of LSMO film varying from 1 nm to 54 nm are systematically studied. As shown experimentally, the junctions exhibit good rectifying properties. The significant differences in photoemission property among the LSMO/STON junctions are observed. For the junction in a thicker LSMO film, the photocurrent shows a monotonic growth when temperature decreases from 300 K to 13 K. While for the junction in an ultrathin LSMO film, the behaviors of photocurrent are more complicated. The photocurrent increases rapidly to a maximum and then smoothly decreases with the decrease of temperature. The unusual phenomenon can be elucidated by the diffusion and recombination model of the photocarrier. 相似文献
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非晶态(Fe_(1-x)Mn_x)_(84)B_(16)(x=0,0.01,0.02,0.04,0.06)合金采用单辊急冷法制备,用四端引线法测量了4.2—300K温区样品的电阻率与温度的关系.所有样品的电阻率与温度关系中都呈现出极小值.在极小值温度T_(min)以下,电阻率与-lnT成线性变化,在T>T_(min)时,电阻率与T~2成线性变化.室温温度系数α(RT)=1/ρRT dρ/dT和低温区β=1/ρdρ/d(T~2)的数值随Mn含量x的增加而明显下降,这一现象用推广的Ziman理论和局域自旋涨落效应作了讨论. 相似文献
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55.
通过微磁学有限元方法研究了微结构对各向异性的Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁性能的影响, 并 对不同温度下的退磁曲线进行了计算.计算结果表明,矫顽力随着2∶17相晶粒尺寸的增大 而增大,随1∶5晶界相厚度的增大而减小;通过减小晶界相厚度或增大晶粒尺寸可以有效提 高 磁能积.反磁化的物理机制主要为形核机制,主要表现为首先在晶界相形成反磁化核,随 着 磁场的增大反磁化核不断长大,最后导致整个磁体的磁化反转;而当温度升高时,晶界相逐 渐变成非磁性相,使得反磁化核难以形成,因此出现了反常的矫顽力温度依赖关系.关键词:微磁学有限元微结构磁性能 相似文献
56.
在厚度为25—400nm范围内,系统地研究了 (001)SrTiO_3(STO), (001)LaAlO_3(LAO)衬底上La_0.67Ca_0.33Mn_O.3 (LCMO)薄膜的电输运与居里温度T_C随薄膜厚度及衬底的变化. 结果表明,随薄膜变薄,电阻率ρ增加,T_C降低. 对于同一薄膜厚度,LCMO/STO薄膜的ρ大于LCMO/LAO基上的薄膜的ρ. T_C衬底的依赖关系则与ρ相反. 分析表明,LCMO薄膜的低温区电阻温度(ρ-T) 符合关系式ρ=ρ_0+Bω_s/sin h^2(ω_s/2/k_BT)+CT^n, 其中ρ_0为剩余电阻;等号右端第二项反映软光学模声子对电子散射的贡献;第三项包括其余可能散射机 理在电输运过程中所起的作用;B,ωs(软光学模声子的平均频率)与C都为拟合系数. 高温区的电输运则由小极化子跃迁模型ρ=DT×exp(E_a/k_BT)描述(E_a为极化子激 发能). 根据ρ_0,ωs,E_a以及T_C变化,初步讨论了薄膜中的厚度与应变效应. 进一步 研究发现ωs,E_a的变化与T_C相关,从而说明极化子效应为影响T_C变化的主要因素. 关键词:锰氧化物薄膜电输运居里温度极化子 相似文献
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本文报道非晶态Fe13Ni67.2P4.5B15.3合金的磁化强度与温度和磁场关系的测量结果。在居里温度附近样品的磁特性符合二级相变规律,得到临界指数β=0.39±0.02,γ=1.56±0.06,δ=5.20±0.1,样品的居里温度Tc=(180.4±0.2)K。在实验误差范围内,临界指数β,γ,δ满足γ=β(δ-1)关系,在168—192K温度范围,实验数据满足二级相变的磁状态方程。当T>270K时,样品顺磁磁化率服从居里-外斯定律,由居里-外斯常数c计算出有效顺磁磁矩Peff=3.19 μB。关键词: 相似文献
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