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纳米尺度热传导是物理科学、材料科学和工程热物理等相关学科的研究热点。除基础研究上的意义外,这个方向的研究在微纳米器件温度控制、新能源、热防护等重大工程技术领域也有着重要的应用价值。文章主要介绍一维、二维纳米材料(包括纳米管、纳米线、石墨烯及其他二维材料)的热传导性质。由于篇幅所限,文章集中讨论在低维体系热传导中的新奇物理效应,如碳纳米管热导率随长度的发散行为,硅纳米线中的声子相干性,以及石墨烯热传导性质的尺寸效应。文章侧重强调低维纳米材料热传导与宏观体材料热传导特性的本质区别。 相似文献
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低维材料不断涌现的新奇性质吸引着科学研究者的目光. 除了电子的量子输运行为之外, 人们也陆续发现和确认了热输运中显著的量子行为, 如 热导低温量子化、声子子带、尺寸效应、瓶颈效应等. 这些小尺度体系的热输运性质可以很好地用非平衡格林函数来描述. 本文首先介绍了量子热输运的特性、声子非平衡格林函数方法及其在低维纳米材料中的研究进展; 其次回顾了近年来在 一系列低维材料中发现的热-自旋输运现象. 这些自旋热学现象展现了全新的热电转换机制, 有助于设计新型的热电转换器件, 同时也给出了用热产生自旋流的新途径; 最后介绍了线性响应理论以及在此理论框架下结合声子、电子非平衡格林函数方法进行的一些有益的探索. 量子热输运的研究对热效应基础研究以及声子学器件、能量转换器件的发展有着不可替代的重要作用. 相似文献
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We introduce local density of states in normal-conductor-superconductor compound systems and injectivity, emissivity to describe
the transmission properties in these systems. Then we study the admittance of a one-channel conductor which contains a scattering
region and Andreev reflection with the discrete potential model and effective scattering approach. 相似文献
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Mobility enhancement of strained GaSb p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors with biaxial compressive strain 下载免费PDF全文
Various biaxial compressive strained GaSb p-channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)are experimentally and theoretically investigated. The biaxial compressive strained GaSb MOSFETs show a high peak mobility of 638 cm~2/V·s, which is 3.86 times of the extracted mobility of the fabricated GaSb MOSFETs without strain.Meanwhile, first principles calculations show that the hole effective mass of Ga Sb depends on the biaxial compressive strain.The biaxial compressive strain brings a remarkable enhancement of the hole mobility caused by a significant reduction in the hole effective mass due to the modulation of the valence bands. 相似文献
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