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21.
不同In含量InGaN/GaN量子阱材料的变温PL谱   总被引:3,自引:3,他引:0       下载免费PDF全文
邢兵  曹文彧  杜为民 《发光学报》2010,31(6):864-869
通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光(PL)谱进行实验分析,得出样品激活能和PL谱峰值能量随温度变化的S形曲线中拐点温度与In含量的关系。说明对于我们的样品,这种S形曲线并不是来源于量子限制Stark效应(QCSE),而是与量子阱中In团簇有关。对比结果表明,含In量越多的材料其局域的能量越大,由热扰动脱离局域所需要的温度越高。  相似文献   
22.
本文报导了~(12)CH_3CT和~(12)CH_3F分子的激光斯塔克光谱的光声探测实验结果.实验表明,当为了达到高的电场而降低气压时,从斯塔克电极之间产生和传播的光声信号急骤下降.与光电控测法的实验比较表明,在类似的实验条件下,光电探测比光声探测具有更高的灵敏度和信噪比.  相似文献   
23.
利用ZnO2热分解方法制备的ZnO粉末的拉曼光谱,通过分析不同加热温度下所得样品强激光烧蚀后拉曼峰位的差异并对比其他方法所制样品的光谱,指出333 cm-1拉曼峰应当归结为E2(high)和E2(low)的差频,而661 cm-1峰为其二倍频。此外,在量化计算和红外光谱的辅助下,对文献中关于ZnO2粉末在400~500 cm-1之间所观测到的拉曼峰的指认提出了不同看法。  相似文献   
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