多隙阻性板室(MRPC)的性能和工作气体关系的模拟研究

多气隙阻性板室(MRPC)以其优良的时间分辨率在粒子物理实验中被用作飞行时间(TOF)探测器. 国际合作项目RHIC-STAR采用MRPC作TOF. 我们已成功地制作出30多个MRPC, 并安装在RHIC-STAR上. 通过模拟计算软件Magboltz,计算了MRPC常用工作气体的物理参数, 并根据气体探测器物理机制, 重点分析了MRPC性能与其工作气体之间的相互关系, 此分析对优化RPC与MRPC混合气体组分是有益的.     

Observation of Tri-photon K-Shell X-Rays

We report the observation of coincidence of three K-shell x-rays generated from the long-lived rhodium isomer excited by bremsstrahlung irradiation. Our previous report revealed that the E3 Moessbauer transition has anisotropic emission due to anisotropic gravitational acceleration [Chin. Phys. Lett. 22 （2005） 2530]. Now, from broader energy-resolved spectra, we further discover abnormal coincidences and abnormal sum energies of the three K-shell x-rays. The coincidence cannot be explained by currently understood photon statistics, since the measured trl-photon count and the pile-up estimate differ by three orders of magnitude.     

用于暗物质探测实验的CsI(Tl)晶体探测器性能的实验研究

在直接测量暗物质的实验中,反冲核能量的Quenching Factor是一个重要参数.用低能X射线源对一套测量入射中子引起的反冲核能量Quenching Factor的系统进行了能量刻度,得到了这套系统的能量响应关系.PMT单光电子的发射对应于晶体中的能量沉积约为0.32keV.同时研究了不同能量的X射线引起的PMT输出电流信号的积分时间宽度与积分电荷的关系,得到最佳的PMT输出电荷收集条件.     

基于GEM读出的TPC原型设计与建造

基于GEM探测器读出的TPC漂移室,具有非常多的优势,是ILC中央径迹探测器的首选方案之一。本文介绍了一个GEM－TPC原型机的设计。通过对该原型机进行的一系列测试,证明了该系统设计合理、搭建成功,已具备其基本功能,可以进行深入的测试研究。     

怎样直接探寻暗物质

正探寻暗物质的含义顾名思义"暗物质",就是用任何波长的光,无论是极短波长的γ射线还是很长波长的无线电波都无法观察到的物质。当没有光线时,它是黑暗的,无法看到它;有光线时,它既不反射光,也不吸收光,是完全透明的,我们依然观察不到它。但是,自1993年以来,发现宇宙中存在暗物质的所有根据都是因为"引力"。因为这些暗物质与我们普通物质之间有"引力"作用,才使我们感知到暗物质的存在。暗物质不仅存在,而且在宇宙物质     

LuPO_4晶体中F心和F~+心的光谱性质模拟计算

基于密度泛函理论下的广义梯度近似结合平面波赝势方法计算得到LuPO_4晶体的缺陷形成能,对带电缺陷与其镜像之间周期性库伦作用进行修正,得到比较精确的不同带电态的氧空位缺陷形成能,并利用杂化泛函方法修正带隙和带边.考虑电子声子耦合作用结合缺陷形成能构建光谱.对比LuPO_4∶Nd的实验结果与计算结果,发现F心的吸收峰与Nd~(3+)的5d—4f发射峰重叠(位于189nm),表明LuPO_4∶Nd中光产额较低的原因与F心的存在有密切关系.     

不可压缩平面问题的位移-压力混合重心插值配点法

引入人工压力变量,将弹性本构方程以应力、应变和压力表达,建立求解不可压缩平面弹性问题的位移-压力方程和不可压缩条件方程的耦合偏微分方程组。利用张量积型重心Lagrange插值近似二元函数,得到计算插值节点处偏导数的偏微分矩阵。采用配点法离散不可压缩弹性控制方程,利用偏微分矩阵直接离散弹性力学控制方程为矩阵形式方程组。利用插值公式离散位移和应力边界条件,将离散边界条件与离散控制方程组合为新的方程组,得到求解弹性问题的过约束线性代数方程组;利用最小二乘法求解线性方程组,得到弹性力学问题位移数值解。数值算例验证了所提方法的数值计算精度为10-14~10-10。     

不规则区域平面弹性问题的正则区域重心插值配点法

将不规则区域嵌入到规则的矩形区域,在矩形区域上将弹性平面问题的控制方程采用重心Lagrange插值离散,得到控制方程矩阵形式的离散表达式。在边界节点上利用重心插值离散边界条件,规则区域采用置换法施加边界条件,不规则区域采用附加法施加边界条件,得到求解平面弹性问题的过约束线性代数方程组,采用最小二乘法进行求解,得到整个规则区域上的位移数值解。利用重心插值计算得到不规则区域内任意节点的位移值,计算精度可到10^-14以上。数值算例验证了所建立方法的有效性和计算精度。     

Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory

Upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory induced by accelerated ~(129)Xe and ~(209)Bi ions are investigated in detail. The linear energy transfer covers the range from 50 to 99.8 Me V/(mg/cm~2). When the memory chips are powered off during heavy ions irradiation, single-event-latch-up and single-event-function-interruption are excluded,and only 0-1 upset errors in the memory array are observed. These error bit rates seem very difficult to achieve and cannot be simply recovered based on the power cycle. The number of error bits shows a strong dependence on the linear energy transfer(LET). Under room-temperature annealing conditions, the upset errors can be reduced by about two orders of magnitude using rewrite/reprogram operations, but they subsequently increase once again in a few minutes after the power cycle. High-temperature annealing can diminish almost all error bits, which are affected by the lower LET ~(129)Xe ions. The percolation path between the floating-gate(FG) and the substrate contributes to the radiation-induced leakage current, and has been identified as the root cause of the upset errors of the Flash memory array in this work.     

400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究

RADFET~多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量. 探测器的技术关键是对400nmIMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握. 本工作以⁶⁰Co γ源为辐射源, 实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能, 包括RADFET通道间的一致性、测量累积剂量时的辐照强度相关性以及退火特性等, 同时也讨论了测量数据的拟合方法, 为该类型RADFET剂量计在RADFET多通道探测器的设计、建造和其他方面的应用提供了实验基础.