基于TGA-FTIR联用技术研究ABS树脂的热氧降解行为

采用热失重-傅立叶变换红外光谱(TGA-FTIR)联用技术研究了空气气氛下ABS树脂的热稳定性及热氧降解失重情况。研究了ABS在4个不同升温速率下的失重情况;采用TGA-FTIR联用技术对10℃/min等速升温下ABS失重过程的逸出气体进行分析;采用热分解动力学方法分析ABS的热氧降解过程,计算热分解活化能。结果表明,ABS的TGA曲线有两个失重区间:第一区间是ABS的急剧氧化降解过程,活化能(Ea)为191.8~262.8 kJ.mol-1,第二区间是成炭产物的氧化,Ea约为139.7 kJ.mol-1;升温速率越小,ABS热氧降解速率越慢,交联成炭产物越多,有利于抑制ABS的降解;由FTIR测试和Ea变化发现,热氧降解反应为多步复杂反应,初期时氧化反应和氧化断链同时进行,并以氧化断链反应为主,随着分子链上产生的双键增多发生交联反应,失重率大于80%时开始炭化反应,最终交联炭层发生氧化反应生成CO2。     

应用分子全息QSAR预测多溴二苯醚(PBDEs)的毒性

多溴二苯醚(PBDEs)可能会激活芳香烃受体的信号传导通路, 从而对人类和野生动物的健康产生负面影响. 鉴于多溴二苯醚实验毒性数据有限, 发展基于结构的化合物毒性预测模型具有重要的实际意义. 本文基于一种新的分子结构表征方法—— 分子全息, 研究了18种多溴二苯醚结构与毒性之间的关系, 建立了相关性显著、稳健性强的QSAR模型(r²= 0.991, q²_LOO= 0.917). 随机选出14种多溴二苯醚为训练集, 其他4种化合物为测试集以验证分子全息QSAR模型的稳健性和预测能力. 结果在最佳建模条件下得到模型的统计参数如下：r² = 0.988, q²_LOO = 0.598, r²_pred = 0.955, 预测值与实验值之间的均方根误差(RMSE)为0.155. 这表明基于分子全息的QSAR模型可以对多溴二苯醚毒性进行比较准确的预测. 本文同时利用分子全息QSAR模型色码图, 探讨了影响多溴二苯醚毒性的分子结构特征及分子机理.     

一类重灾风险模型的生存概率

无法预料的索赔是导致保险公司破产的一大因素,这种情况引起的索赔大多不是同分布的.因此论文从这一实际情况出发,在Sparre Andersen风险模型的基础上建立了广义更新风险模型,并对重尾索赔分布F∈S*给出了生存概率的局部等价式和破产概率的尾等价式.文章结果刻画了特殊巨额索赔对公司运营状况的影响,对公司运营策略提供了理论基础.本文结果包含、推广并改进了许多已知结果,与经典结果相比,显示出了模型的优越性.     

两个三阶最优化力梯度辛积分器的对称组合

利用已存在的三阶最优化力梯度辛格式以对称组合方法获得两个新的四阶力梯度辛积分器.它们在求解摄动Kepler混沌问题的能量精度和一维定态Schrö,dinger方程的能量本征值精度方面比Forest-Ruth四阶非力梯度辛积分器要好得多,甚至还要明显优越于已有的四阶最优化力梯度辛积分器.     

光热偏转成像实验

概述了光热偏转成像原理,搭建了热波成像光热偏转自动化检测系统,并实现了数据采集和数据处理的自动化.利用该实验系统绘制了直线划痕SrBT样品和三角划痕硅片样品的表面光热偏转图,成像结果清晰直观.     

掺杂Fe对VH2解氢性能影响的第一性原理研究

采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,研究了Fe掺杂对VH₂的电子结构和解氢性能的影响.通过计算Fe掺杂VH₂前后体系的合金形成热、V-H之间的重叠布居数、电子态密度、电子密度,发现Fe掺杂VH₂后,随着Fe含量增加,合金体系的晶胞参数和晶胞体积逐渐减少;体系的负合金形成热逐渐减少,且掺杂后体系的负合金形成热都比VH₂的负合金形成热小,体系的稳定性降低;电子态密度计算也显示Fe掺杂后费米能级处的电子浓度增加,体系稳定性降低;重叠布居数和电子密度计算表明掺杂后V-H之间的重叠布居数由0.1减小为0.08或0.09,V-H之间的电子密度减少,说明V和H原子之间的相互作用减弱,提高了VH₂的解氢性能.计算结果解释了实验现象. 关键词： Fe掺杂 电子结构 解氢性能 第一性原理计算     

气相色谱-电子捕获检测法直接测定水产动物组织中五氯苯酚及其钠盐

建立了不经衍生直接测定水产动物组织中五氯苯酚及其钠盐残留量的气相色谱-电子捕获检测(GC-ECD)方法.目标化合物在酸性条件下转化成五氯苯酚后用正己烷提取,硫酸磺化法净化,浓缩和定容后测定.方法的线性范围为0.5～400 μg/L,相关系数为0.9978;草鱼和虾空白肌肉组织中添加五氯苯酚的质量浓度分别为0.4、2.0...     

面向文科学生的开放性大学物理实验教学改革新探

针对文科学生特点进行开放性大学物理实验教学有利于培养文科学生的观察能力、科研能力,转变思维方式,提高创新意识,增强社会竞争力.文章就实验内容的设置、实验质量保障体系的建立等方面进行了有益探索.     

Performance improvement of charge trap flash memory by using a composition-modulated high-k trapping layer

A composition-modulated （HfO2）x（Al2O3）1-x charge trapping layer is proposed for charge trap flash memory by controlling the A1 atom content to form a peak and valley shaped band gap. It is found that the memory device using the composition-modulated （HfO2）x（Al2O3）l-x as the charge trapping layer exhibits a larger memory window of 11.5 V, improves data retention even at high temperature, and enhances the program/erase speed. Improvements of the memory characteristics are attributed to the special band-gap structure resulting from the composition-modulated trapping layer. Therefore, the composition-modulated charge trapping layer may be useful in future nonvolatile flash memory device application.     

CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究

利用简单的化学气相沉积方法, 首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜, 并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管．对制备的Sb掺杂ZnO薄膜 在800 ℃下进行了热退火处理, 发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高, 并且薄膜呈现的电导类型为p型, 载流子浓度为9.56× 10¹⁷ cm^-3. 此外, 该器件还表现出良好的整流特性, 正向开启电压为4.0 V, 反向击穿电压为9.5 V. 在正向45 mA的注入电流条件下, 器件实现了室温下的电致发光. 这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现, 这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法. 关键词： CVD p-ZnO 异质结 电致发光