介孔空心球状WC微球结构与晶相形成机理

采用喷雾干燥微球化处理-气固反应法制备了介孔空心球状WC微球，应用扫描电子显微镜(SEM)对微球的形貌变化进行了表征。结果表明，介孔空心球状结构是逐步形成的。其中，空心球状结构形成于前驱体微球化处理过程中，介孔结构形成于空心微球还原碳化过程中。在与样品制备工艺条件相同的情况下，采用原位X射线衍射技术(in situ XRD)对样品的晶相演变规律进行了监测。结果表明，样品在CO/CO₂气氛中进行还原碳化时，当温度缓慢而连续上升到750 ℃时，其晶相变化遵循AMT → WO₃ → WO₂ → W₂C → WC规律;当采用“阶跃式”升温，即温度缓慢而连续上升到400 ℃，然后再快速上升到750 ℃，并在750 ℃下进行还原碳化时，其晶相变化规律为AMT → WO₃ → WO₂ → WC。这说明，样品的晶相演变不仅与还原碳化温度和时间有关，而且与升温方式和升温速率有关。     

WC/CNT纳米复合材料制备及其对甲醇氧化的电催化性能

采用表面修饰技术将碳纳米管(CNT)表面羧基化, 通过羧基将钨离子基团修饰到碳纳米管的外表面, 再通过原位还原碳化技术, 将钨离子基团还原成碳化钨(WC)纳米微粒, 制备出WC/CNT纳米复合材料. 采用FTIR、XRD、SEM、HRTEM和N2吸附等分析测试手段对样品的形貌、晶相组成和微观结构特征进行了表征. FTIR和N2吸附结果表明, 硝化后, 在碳纳米管表面羧基化的同时比表面积增加; XRD结果表明, WC/CNT样品由碳纳米管、WC以及非化学计量比的氧化钨组成; SEM和HRTEM结果表明, WC纳米颗粒均匀地分散于碳纳米管的外表面,并与碳纳米管构成了复合材料. 采用循环伏安法测试了样品在碱性条件下对甲醇氧化的电催化性能, 结果表明, 复合材料对甲醇氧化的电催性能明显强于WC 和碳纳米管, 并在实验结果的基础上探讨了复合材料催化性能提高的原因.     

关于一道立体几何题的探讨

在一些复习资料中有这样一道题:三棱锥的三条侧棱两两垂直,三个侧面与底面所成的角分别是30°,45°,60°,底面积为6,则三棱锥的体积为.编者是想通过此题考查三角形与其射影的面积关系和整体处理思想的运用,所以提供了下面的解法.解法1如图1,设△VAB,△VBC,△VAC与图1解法1用图底面ABC所成的角分别为30°,45°,60°,根据S侧=S底cosα知S△VAB=6·cos30°,S△VBC=6·cos45°,S△VAC=6·cos60°.设侧棱VA,VB,VC的长分别为a,b,c,则有12ab=6·23,12bc=6·22,12ac=6·21,即ab=18,bc=12,ac=6,∴(abc)2=36,∴abc=6.∴VV-ABC=31·21·…     

阳离子替换磷灰石固溶体的比晶体化学

利用XTD,IR对不同阳离子替换的磷灰石(Ap)固溶体进行了比较晶体化学研究,结果表明：端元二价阳离子对Ap晶格常数(a0,c0)影响是线性的,符合Vegard规律,有较好的x-V习性,可作为阳离子半径测定的"结构尺";对于Cl-PO4体系的Ap,端元离子半径须在0.095～0.134nm之间才能形成空间群为P63/m的Ap结构;异价固溶体可以研究Ca(1)、Ca(2)位置的结晶化学差异,Ca(2)位在晶核形成期生成且决定了晶胞的框架,而Ca(1)位主要影响Co;随阳离子半径增加,[PO4]四面体的ν4,ν3,ν1红外振动峰向低频方向红移;Ap结构中发现"铅异常",形成原因是铅在Ca(2)位的较大电负性。     

碳化钨负载纳米铂催化剂的制备及其析氢催化性能

以喷雾干燥处理的偏钨酸铵为前驱体, 采用CH4/H2为还原碳化气氛, 利用固定床气固反应法制备了具有介孔结构的碳化钨(WC)粉体. 然后通过浸渍法制备了Pt/WC粉末催化剂. 通过XRD和SEM等测试手段对Pt/WC粉末样品进行了表征, 结果表明, Pt颗粒平均直径约为13.5 nm, 且均匀分散在介孔结构WC载体上. 采用循环伏安和线性扫描等方法研究了酸性介质中Pt/WC粉末微电极对电化学析氢过程的电催化行为. 结果表明, 该电极对析氢反应具有很好的电催化活性和化学稳定性. 通过测试和计算, Pt/WC粉末微电极的Tafel方程中的a值为0.292 V, 属于低超电势析氢材料, 析氢交换电流密度为4.42 mA·cm-2, 与铂电极在同一个数量级上, 当超电势为250 mV时, 其析氢反应的活化能为26.20 kJ·mol-1.     

对《一个有趣的热现象——可能有500℃的水存在吗?》一文的补充

贵刊2005年第3期刊登了苏州中学李晓龙的题为《一个有趣的热学现象——可能有500℃的水存在吗？》的文章．作者带领学生对新发现的现象进行了详细探究，这种严谨的科学态度不仅给学生做出了榜样，更值得我们学习．但文章最终未能有完满解释，略显遗憾．就此问题，笔者就所知道的此方面内容写在下面，供大家参考．     

低级晶族光性正负判别式临界点的研究

在低级晶族光学特性的研究中，光性符号的确定对未知晶体及矿物的鉴定有着重要的意义。从折射率面、光轴角出发，借助数学工具理论上分析了低级晶族光性正负判别的两种方法在临界点的不一致性，从而说明在一定范围内用这两种方法判断光性会得出不同的结论。并给出修正后利用主折射率判别方法在临界点附近的精确表达式及其判别条件，结果表明，在临界点附近要用修正后的表达式判别。     

半导体量子器件物理讲座第四讲 共振隧穿器件及其电路应用

当一个电子的能量低于势垒高度时,它仍可以隧穿通过势垒,在一定条件下,双势垒结构中电子的隧穿几率甚至可以接近1,利用这种共振隧穿现象可以做成共振隧穿二极管,它的电流－电压特性曲线中会出现负微分电阻,利用这种负阻效应可以做成高频振荡器和倍频器等电子器件,双势垒结构与通常的双极晶体管结合可以做成共振隧穿双极晶体管,它们可以用来做成多态记忆器和模数转换器等器件。