PEN薄膜阻抗转变规律研究

采用真空蒸发的方法制备了PEN材料薄膜，研究了不同外电路参数下薄膜的电双稳特性.发现薄膜从高阻向低阻转变过程所需时间随电流非线性下降，此期间薄膜阻抗也呈现非线性，并对非线性规律作了数据拟合.发现整个跃变过程中存在一种能量效应，即当外加电压超过某一阈值时，该跃迁所需的能量不变. 关键词： PEN薄膜 非线性阻抗 电双稳     

神龙二号注入器阳极杆内电子束包络测量技术

在注入器段阳极杆内不同位置进行电子束包络的测量可以为多脉冲电子束在注入器段的传输磁场配置调试提供最直接的支撑,也是研究热阴极发射性能的重要手段,测量工作具有极为重要的意义。神龙二号采用热阴极作为多脉冲电子束源的发射体,对真空的要求极高,且加热及降温周期较长,不适合频繁地破坏真空进行测量位置的调整;针对这样的特点,设计了一套可伸缩式的测量装置,结合多幅分幅相机,在不破坏真空的情况下,可以完成多个位置的束包络的时间分辨测量,在提高测量效率的基础上进一步提高了注入器的调试效率。     

强流脉冲电子束位置测量探头标定结果不确定度分析

根据探测器测量原理和标定方法、特点,分析其位置测量的不确定度主要来源于测量过程的A类不确定度、B类不确定度和最小二乘法引入的拟合不确定度,确定了各个不确定度的计算方法,得到了探测器的合成不确定度,对于应用于神龙二号直线感应加速器的电阻环和磁探测器,其合成不确定度约为0.1 mm。     

12MeV直线感应电子加速器

12MeV直线感应电子加速器(LIA)是经12MeV LIA能量升级和系统改进而来,该机通过在10MeV　LIA加速末端续接四个加速组元并调整脉冲功率系统, 将输出的电子束的能量升级至12MeV;同时,重新设计的输运磁场分布及聚焦系统更趋于合理,使经10MeV　LIA升级和改进后的12MeV　LIA,打靶电子束能量达到12MeV,束流约2.6kA,脉冲半高宽约89ns,焦斑约4 mm。     

Si在水汽中氧化传质机制的H218O/H216O同位素示踪研究

采用同位素H216O/H218O接续氧化同位素示踪方法,研究了单晶硅在1100 ℃水汽中氧化的微观传质机制.在H216O,H218O分别氧化和H216O/H218O接续氧化处理后,研究氧化产物形态和结构.并用二次离子质谱仪(SIMS)研究了同位素16O和18O在氧化膜中浓度分布.结果表明H2O蒸汽中氧化产物为非晶态SiO2.H216O/H218O接续氧化后,16O与18O在氧化膜中呈渐次梯度分布,表明Si在水汽中的氧化传质机制为替位扩散机制.     

Time-resolved energy spectrum measurement of a linear induction accelerator with the magnetic analyzer

We recently set up a time-resolved optical beam diagnostic system. Using this system, we measured the high current electron beam energy in the accelerator under construction. This paper introduces the principle of the diagnostic system, describes the setup, and shows the results. A bending beam line was designed using an existing magnetic analyzer with a 300 mm-bending radius and a 60° bending angle at hard-edge approximation. Calculations show that the magnitude of the beam energy is about 18 MeV, and the energy spread is within 2%. Our results agree well with the initial estimates deduced from the diode voltage approach.     

高能X射线源焦斑尺寸的时间分辨诊断

将门控分幅相机与快闪烁晶体结合,构成时间分辨X射线诊断系统,对神龙一号直线感应加速器产生的高能脉冲X射线源焦斑进行了测量,在时间间隔为10 ns的情况下,获得了焦斑尺寸随时间的变化曲线。在此基础上,设计了单像素尺寸为0.78 mm×0.78 mm的LYSO闪烁晶体阵列,并进行了X射线照射晶体阵列发光的初步实验,结果表明该阵列可用于高能X射线源焦斑的时间分辨诊断,并能显著提高成像的空间分辨力。     

200 kV水介质高压脉冲延时线

介绍了200 kV水介质高压脉冲延时线的基本设计参数,阻抗为23.4 Ω,电长度为300 ns;分析了该延时线的耐压特性,并对其传输脉冲幅度衰减率进行了估算。加工了一套高压脉冲延时线装置,并进行了实验研究。实验中,利用Blumlein线产生两路高压方波脉冲输出,一路经高压电缆-延时线-高压电缆到匹配负载,另一路经过高压电缆到匹配负载,两负载上的脉冲等效认为是延时线的输出脉冲和输入脉冲。实验结果表明,该延时线工作电压大于200 kV,输入方波脉冲前沿为30 ns,输出方波脉冲前沿增加到34.5 ns,方波脉冲幅度损耗率为1.8%。     

Pressure-induced phase transitions in single-crystalline Cu4Bi4S9 nanoribbons

In situ angle dispersive synchrotron X-ray diffraction and Raman scattering measurements under pressure are em- ployed to study the structural evolution of Cu4Bi4S9 nanoribbons, which are fabricated by using a facile solvothermal method. Both experiments show that a structural phase transition occurs near 14.5 GPa, and there is a pressure-induced re- versible amorphization at about 25.6 GPa. The electrical transport property of a single Cu4Bi4S9 nanoribbon under different pressures is also investigated.