Cr^4＋：YAG能级结构的全量子力学计算

采用基于分子轨道理论CIS(Configuration Interaction of Singly Substitution)的全量子力学方法计算了掺杂Ca和Cr离子的YAG晶体中[CrO4]^4-团簇离子的能级结构。结果给出了Cr^4 团簇20个谱项能级随Cr-O键距的变化，对比表明在间距为173pm时，能级结构在可见光及近红外范围的主要光谱特征与实验结果符合得较好。     

PM-OLED带恒流源的驱动电路

一种带恒流源的驱动电路,能实现对小尺寸OLED屏(30 mm×38 mm)的驱动,该屏分辨率为64×56。OLED属电流型器件,对该屏采用恒流源驱动,即在每一列电极上接一个恒流源,只要保证流过每个OLED像素的电流为一常数,就能保证其亮度一致。从而可消除因ITO阳极电阻压降所引起的显示亮度不均匀性问题。其中恒流源的设计是整个驱动电路设计的重点。采用的晶体管恒流源,以晶体三极管为主要组成器件,同时采用一定的温度补偿和稳压措施,通过计算分析和实验测试改进完成设计。该恒流源驱动电路的设计较为简单、成本低、而且易于集成,在改进PM-OLED驱动电路方面作了相应的尝试。     

微光摄象管的一种新方案

一前言对一台微光摄象系统来说,希望它能具备如下三项功能: 1) 能在最黑暗的阴云星光下实现摄象; 2) 作用视距尽量地远; 3) 在上述两个条件下,所摄取的景物的象应尽可能清晰。不言而喻,要满足上述要求,所采用的微光摄象管应具有非常优良的工作性能。自从SEM管问世以来,一级象增强器和SEM管耦合而成的复合式微光摄象管(用I SEM表示之)已把微光摄象技术向前推进了一大步,但是,目前世界上所拥有的I SEM管距离实现上述目标尚有差距,有的管种差距还十分巨大。从理论上分析这些差距,提出两个判据正是本文所要探讨的任务之一,从而为微光摄象管今后应向哪些方面发展,提供出一个粗线条。本文的主要任务,是提出微光摄象管的一种新方案。作者希望,文中的讨论能引起在微光领域工作的有关人士的关注。     

图形反转工艺制作OLED器件的阴极分离器

应用AZ5214光刻胶的反转特性,在玻璃基板上制作OLED器件的阴极分离器。指出影响倒梯形形状的主要因素为涂胶厚度、曝光量和反转烘烤。SEM测试表明分离器的断面呈倒梯形,倾角约为45°,胶厚3μm。得到了优化的制备分离器工艺参数:匀胶转速1200r/min,烘烤温度100℃,时间90s,曝光时间0.8s,反转烘温度125℃,时间45s,泛曝光时间5.5s,显影时间40s。     

LaB6场发射尖锥的场发射特性研究

 报道了六硼化镧（LaB₆）场发射尖锥的场发射性能。采用电化学腐蚀方法制作了LaB₆场发射尖锥，并在10^-2～10^-7 Pa 的宽真空度范围内对单尖LaB₆场发射二极管的发射特性进行了测试。发现残余气体电离产生的离子轰击对LaB₆场发射阴极尖锥表面起到了离子清洗作用，使LaB₆场发射尖锥在低真空工作后发射电流大幅度提高。离子轰击是一种适用于LaB₆场发射阴极的激活处理方法。     

外延单片式激光二极管抽运被动调Q微激光器

基于液相外延工艺,实现了一种结构新颖的单片式被动调Q微片激光器。采用了在激光介质Nd3 ∶YAG表面直接液相外延生长一层具有饱和吸收特性的Cr4 ∶YAG膜的微谐振腔的结构,由于是同质外延生长过程,能够确保饱和吸收体与增益介质间(Nd3 ∶YAG/Cr4 ∶YAG)良好的界面特性。采用光纤耦合激光二极管,在激光二极管输出为1W的抽运条件下,实现了峰值功率近千瓦、稳定重复频率在4kHz以上、脉宽1.8ns、TEM00单横模式、波长1.064μm的调Q脉冲序列输出。在对新型单片式微激光器的性能报道的基础上,阐述了外延单片式结构及其相应工艺的潜在优势。     

Eu^3＋：Sm^3＋：Cr^3＋：YAG红色单晶荧光体

报道外延生长的多激活中心掺杂的红色单晶荧光体Ｅｕ＾３＋：Ｓｍ＾３＋：Ｃｒ＾３＋：ＹＡＧ,其直径达到５４ｍｍ,荧光色坐标为ｘ＝０．６１３７,ｙ＝０．３７３８,相当于波长λ＝５９９ｍｍ的红色荧光,具有较高的色饱和度。这种单晶材料具有委好的抗电子束灼伤能力,在入射能量达到１０＾５Ｗ／ｍ＾２时无发光猝灭现象,是一种较理想的红色单晶荧光材料。     

Cr3+离子激活的YAG外延单晶荧光层

Cr3+ 离子掺杂YAG外延层 (Cr3+ ∶YAG)的发光呈宽带谱特征 ,荧光色度坐标为x=0 .6 5 5 1、y =0 .2 949,在CIE1931色度图上相当于主波长λ≈ 6 38nm的红色光 ,并且具有较高的色饱和度 ,其发光谱中引人注目之处还在于荧光主峰的位置均在波长较长的λmax≈ 6 89nm和 70 9nm附近 ,是一种能够实现长波长 (λ≈ 70 0nm)红色光输出的单晶荧光体 ,可用作非晶硅液晶光阀投影仪的高分辨率写入光源。     

红色显示用单晶荧光体

Ｃｅ掺杂单晶石榴石Ｃｅ：Ｖ：（Ｇｄ,Ｙ）３Ａｌ５Ｏ１２是一种实现高亮度、高分辨率约色显示的理想荧光新材料。它具有宽带发光谱,主峰位于５８０ｎｍ,采用这种材料作荧光屏的Φ５４ｍｍ极极射线管投影管可以达到７３００ｍｃｄ／ｍ＾２的高度亮,效率为１．５ｌｍ／Ｗ,通过优化电子枪设计,整管分辨率可达到８０ｌｉｎｅ／ｍｍ以上。本文对这种新材料的发光机理、制备工艺进行了详细介绍,并对一些实验中得到的有意义的结论进     

Ce^3＋离子敏化Eu^3＋：Cr^3＋：Sm^3＋：YAG外延层的荧光现象

对Ce^3 :Eu^3 :Cr^3 :Sm^3 :YAG外延层中的荧光敏经现象进行了报道和分析，在较高浓度的Ce^3 离子掺杂时，外处层在蓝色、绿色波段出现了新的荧光谱线，可解释为在Ce^3 离子每化作用下，Eu^3 离子产生了由高位激发态能级^5Di(i=1,2,3）直接到基态能级^7Fj(j=0,1,2,3）的辐射跃迁过程，并且这种Ce^3 :Eu^3 :Cr^3 :Sm^3 :YAG外延层还是一种新颖的白色单晶荧光材料。