概率论教学中思维品质的培养

从加强概率概念逻辑性教学、通过构造概率论中反例教学和构建相关问题的概率模型的教学等几个方面探讨了如何在概率论教学中培养学生的概率思维品质.     

聚胸腺嘧啶单链DNA-铜纳米簇新型荧光探针检测水中硫离子

本文建立了一种快速灵敏检测水中硫离子的新方法。该方法利用聚胸腺嘧啶单链DNA保护的铜纳米簇为荧光探针。以聚胸腺嘧啶单链DNA为模板制备了具有荧光性质的铜纳米簇,当加入S2-后,铜纳米簇荧光显著猝灭。铜纳米簇荧光猝灭量与S2-浓度在0.125~8μmol/L范围内有良好的线性,检测限为22nmol/L。该方法对S2-有较好的选择性,实际样品检测结果显示回收率良好,说明该方法可以用于实际水样中S2-的检测。由于聚胸腺嘧啶单链DNA为模板制备的铜纳米簇制备过程简单快速,可在5min内完成,使得检测时间大大缩短。     

一种面向多组分定量的通用谱图解析方法

在一个多组分系统中各组分的定量分析是非常重要的。现代光谱如拉曼光谱(RS)、傅里叶变换红外(FT-IR)光谱、紫外-可见(UV-Vis)光谱、核磁共振(NMR)、质谱(MS)等,可通过获取丰富峰信号的谱图对样品进行各角度的详尽描述。然而,由于谱图的复杂性及其解析工作的繁重,使得仅通过样品谱图来同时量化混合物中的每个组分成为很具挑战性的工作。在这项研究中,我们首次介绍了一个名为定量主成分分析(q PCA)的可靠策略,快速计算混合物中每个成分的比例,而不需要任何手动解谱。通过使用纯组分的谱图作为参考,多组分系统的谱图可以通过PCA自动分辨并解析,然后就可以使用我们的计算方法来计算每个组分的比例。计算机建模实验和RS、FT-IR、UV-Vis、NMR、MS实验都证明了这一策略胜任多组分系统的快速定量工作。     

制备型高效液相色谱在天然产物分离中的应用

制备型高效液相色谱法在天然产物的分离纯化中得到广泛应用。从制备型高效液相色谱法的技术分类及其在天然产物研究中的实际应用方面对目前国内外制备型高效液相色谱技术研究现状进行了综述,对其发展动态进行了展望。     

由Lévy过程驱动的BSDE定义的一般非线性期望

本文研究了平凡可积随机变量的一类非线性期望f-期望.利用陈增敬推广g-期望的方法,扩张了f-期望的定义空间.     

基于PML边界的有限差分法及其在光波导泄漏损耗计算中的应用

利用结合完美匹配层(PML)边界的有限差分法计算了光波导的泄漏损耗.通过采用非均匀格点差分格式和反正切坐标变换的方法,有效地减小了计算量并提高了计算精度.分析了PI(polyimide)掩埋型波导和SOI(silicon-on-insulator)脊型波导两种典型结构的泄漏损耗,给出了波导结构尺寸对泄漏损耗的影响,并对有效减小泄漏损耗的方法进行了讨论.     

黄磷炉渣和铜渣协同制备微晶玻璃

以黄磷炉渣和铜渣为原料,添加一定比例的焦炭,熔融法制备了黄磷炉渣-铜渣微晶玻璃.借助Kissinger方程分析黄磷炉渣-铜渣基础玻璃的析晶能力,借助X射线衍射仪(XRD)进行物相分析.结果表明:随着黄磷炉渣与铜渣的质量添加比的增大,黄磷炉渣-铜渣基础玻璃的析晶峰峰温值Tp和析晶活化能E逐渐减小;当黄磷炉渣:铜渣=6:1时,黄磷炉渣-铜渣基础玻璃的析晶活化能最小,析晶能力最强;黄磷炉渣与铜渣添加比并不对黄磷炉渣-铜渣微晶玻璃晶相类型产生影响,其晶相均为钙长石Ca2 Al2 SiO7和镁黄长石Ca2 MgSiO7.     

由4-氯-6-[2-(吡嗪-2-基亚甲基)肼基]嘧啶构筑的一维银配合物及其抗氧化和抑菌性能

由4-氯-6-[2-(吡嗪-2-基亚甲基)肼基]嘧啶(HL)和硝酸银合成了一维链状配位聚合物[Ag(C_(10)H_9N_6Cl)(NO_3)]_n(1)。在配合物1中,中心Ag离子与来自配体吡嗪环上的N5原子及另一配体上的N1、N4、N6原子进行配位,形成了锯齿形的一维链状结构。此外,锯齿形一维链通过N—H…O和N—H…N氢键相互作用及π-π堆积形成了三维的超分子结构。研究结果表明,与配体HL相比配合物1对超氧负离子和羟基自由基具有更强的自由基清除效能;配合物1对不同细菌的抗菌效果也优于配体HL。     

细胞图案化研究进展

细胞图案化是一种研究和控制细胞行为的有效实验方法, 广泛用于细胞生物学、组织工程学、药物筛选和创伤治疗等各个研究领域. 介绍了各种细胞图案化的制备方法, 并对细胞图案化中涉及的特征物质以及有关动态基底作了简要评述.     

金刚石粉末淀积层的场发射特性研究

采用电镀方法和直接刷涂的方法在钨针衬底和硅衬底上沉积高压合成的金刚石粉末形成冷阴极。将这种冷阴极与荧光阳极组成真空二极管结构。通过该结构电流-电压特性的测量和发光特性的观察研究了金刚石粉末冷阴极的电子场发射性能。实验显示,这些冷阴极都具有很高的电子发射能力,最低开启场强达到3．25V／μm。用热电正反馈和电导调制效应解释厂电子场发射点呈随机分布的现象。