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31.
谢希德先生是我极为敬仰的女科学家。她不仅学问好,在与国际科学界的友好往来中,也彰显出独特的智慧与个人魅力。谢希德先生不仅是国内外知名的物理学家、杰出的教育家,也是迄今为止中国物理学会发展史上唯一的一位女性理事长。她从1963年起担任中国物理学会理事,1978年至1991年担任中国物理学会副理事长。我从20世纪80年代开始担任中国物理学会的秘书长,与谢先生有过较多的接触。她在我的心目中是一位让人肃然起敬的巾帼英雄。 相似文献
32.
太赫兹(THz)是指频率在0.1~10 THz的电磁波,其波长在30~3 000 μm范围内。由于自然界许多小分子的振动、转动等的频率均在太赫兹波段,并且太赫兹的低电子能特性使其在实验过程中不会对待测样品造成破坏,所以太赫兹技术被广泛地应用于无损检测、生物医学等领域。但是太赫兹在铁磁领域的相关报道还是较少的,因此本研究利用太赫兹时域光谱系统研究了一种新型磁性材料:磁流体的组成部分-载基液的太赫兹透射特性。磁流体是一种兼具液体流动性和固体磁性的新型功能材料,其打破了传统磁性材料的固体形态。磁流体由Fe3O4纳米级颗粒以及载基液构成。在前人的研究成果中发现磁性液体不仅具有良好的磁光效应,而且对于一定频率的太赫兹波具有高透射率;另外,在极低频电磁场作用下其可用于医学上的肿瘤治疗,可作为靶向治疗的载药系统。由于磁流体的组成部分-载基液成本较高,因此在实验中运用了微流控技术。微流控技术对检测样品的消耗少、检测速度快,并且可以根据实验需求自行设计沟道,因此是一种便捷的、灵活性好的检测方式。采用对太赫兹波具有高透过率的石英材料制成了夹心式的太赫兹微流控芯片。首先将两块3 cm×3 cm×2 mm的石英玻璃作为基片和盖片,再把强粘黏性双面胶剪刻成镂空样式,形成2 cm×2 cm的方形区域,然后把盖片和基片通过雕刻好的强粘黏性双面胶键合,其沟道厚度为50 μm,可以用于对少量液体的探测,并且可以使载基液呈薄膜状。之后将太赫兹技术和微流控技术相结合,利用太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统研究了载基液的太赫兹透射特性,通过对太赫兹时域光谱以及频域光谱的研究发现,装有载基液的微流控芯片的信号强度高于空的微流控芯片,这一发现为载基液的应用和深入研究提供了技术支持。 相似文献
33.
34.
35.
本文评述了自1987年以来我国高临界温度氧化物超导体研究工作的进展,包括超导体材料研究和制备,超导薄膜研究和制备,基础性研究以及超导量子干涉器件等应用方面的进展. 相似文献
36.
国际纯粹物理与应用物理联合会的代表大会每三年召开一次,进行执委会和下属各专业委员会的换届选举.第20届大会已于1990年9月25日至28日在民主德国德累斯顿(Dresden)举行,来自28个国家和地区物理学会的代表参加了会议.中国物理学会派出杨国祯、王义遒、杜祥琬三人组成代表团参加,台北物理学会有古焕球、胡进锟、朱国瑞三人参加.会议由两部分组成:IUPAP大会会务报告和科学报告.前者包括上届主席的总结报告、秘书长工作报告、各专业委员会的工作报告、财务情况报告、提名和选举执委会和各专业委员会有关人员、以及讨论各种提案等等.后者包… 相似文献
37.
利用太赫兹时域光谱(terahertz time domain spectroscopy,简称THz-TDS),研究了亚波长金属分形结构在THz波段的透射增强特性.分别从实验和理论两个方面,研究了铜箔上各级分形结构THz透射增强现象的产生机理.结果表明,在低频区的透射增强主要是由低级分形线中电子运动的共振引起的,而高频区的透射增强则主要由高级分形线中电子运动的共振引起的.从而将这种透射增强效应归结为分形结构中电子的共振辐射,即分形结构的局域共振效应.
关键词:
分形
太赫兹
透射
共振峰 相似文献
38.
39.
报道了利用蓝宝石介质谐振器技术测量MgB2超导薄膜的微波表面电阻Rs、OK时的穿透深度λ(O)和超导能隙△(O).λ(O)和△(O)的值是通过先测量样品穿透深度λ(T)的变化量△λ(T),然后由BCS理论模型拟合△λ(T)的实验数据得到的.测试样品是利用化学气相沉积技术在MgO(111)基片上制备的c轴织构的MgB2超导薄膜,薄膜的超导转变温度和转变宽度分别为38K和0.1K.微波测试结果表明在10K,18GHz下MgB2薄膜的Rs约为100μΩ,可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟;BCS理论拟合得到的MgB2超导薄膜的λ(0)=102nm,△(0):1.13kTc. 相似文献
40.
太赫兹时域光谱技术是一种在太赫兹频段内,广泛应用的光谱测量技术。这种技术可以用于许多物质的频谱分析,对于研究化学、半导体与生物分子等领域有着无可比拟的作用。然而用该系统进行样品探测时,受回波的影响频谱分辨率较低;受太赫兹波光斑大小以及待测样品与电磁波相互作用距离长短的影响,样品消耗量较多,并且整个系统的占用空间较大,这些局限性都限制了太赫兹时域光谱系统的进一步发展。为了突破太赫兹时域光谱系统的局限性,设计了一种将太赫兹泵浦区、探测区和传输波导集成到一个硅片上的太赫兹片上系统,该系统不仅能够解决上述系统的局限性,还能够省去样品测量前的光路准直环节,使样品的测量过程更加简便,同时集成化的系统也很大程度上提高了太赫兹波传输的稳定性。在太赫兹片上系统中,泵浦区和探测区的光电导天线是由低温砷化镓和金属电极制成,由于受到太赫兹片上系统的高度集成化和低温砷化镓晶体生长条件的限制,如何制备出低温砷化镓半导体薄膜衬底,并将其转移与键合,是太赫兹片上系统研制过程中的关键环节。首先利用分子束外延(MBE)技术制备出由半绝缘砷化镓、砷化镓缓冲层、砷化铝牺牲层和低温砷化镓层构成的外延片,然后利用盐酸溶液与砷化铝和低温砷化镓反应速度差别较大的原理,将200 nm厚的AlAs牺牲层腐蚀掉,从而得到2 μm厚的低温砷化镓薄膜。为了更加高效并且完整地得到低温砷化镓薄膜,研究了盐酸溶液在不同温度和不同浓度下与AlAs牺牲层的选择性腐蚀速率的关系。给出了低温砷化镓薄膜制备过程中盐酸的最佳体积比浓度和最佳温度,即在73 ℃下13.57%的盐酸溶液中进行砷化铝牺牲层的腐蚀。相比于已有工艺,这种腐蚀方法对实验设备的要求较低并且具有较高的安全性。最后,将单层低温砷化镓薄膜转移键合至硅片上,并制成光电导天线的结构。利用飞秒激光脉冲进行激发探测到太赫兹信号。由此说明,低温砷化镓薄膜的获取、转移与键合工艺能够满足芯片级太赫兹系统的制作要求,这为太赫兹片上系统的进一步研制打下了坚实的基础。 相似文献