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本文研究了热灯丝射频等离子体CVD法合成的立方氮化硼薄膜,反应气体是B2H6和NH3,衬底材料为Si单晶。通过扫描电镜、红外吸收谱和X射线衍射分析指出,生长出的c-BN薄膜的质量很好。 相似文献
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利用扫描电子显微镜、Raman谱和X射线光电子能谱,研究了Si衬底上热灯丝CVD金刚石膜的核化和早期生长.在-300V和100mA条件下预处理15min,镜面抛光的Si(100)表面上金刚石核密度超过了109cm-2,但是核的分布极不均匀且可分为三个区域:A区,边缘处以锥体为主;B区,位于边和中心之间过渡区是纳米金刚石;C区,中心处有SiC层.无偏压下生长4h后,A区形成许多大而弧立的金刚石颗粒,B区成为织构金刚石膜,而C区变为含有大量缺陷的连续金刚石膜.衬底负
关键词: 相似文献
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金属脱出功通常是利用真空管及光电效应原理确定的。这里我们提出一种用测量肖特基势垒二极管(即金属——半导体接触)的势垒高度来确定金属功函数的方法。 相似文献
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本文利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上获得了局域异质外延金刚石膜.由Raman背散射强度(在1332cm-1处)旋转角依赖关系表明,金刚石膜与Si(100)的定向关系为dia(100)∥Si(100)和dia[110]∥Si[110].在金刚石膜的成核阶段,位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压,获得的金刚石膜用扫描电镜和Raman谱表征.对实验结果进行了简要的讨论. 相似文献