二氧化锆中Er3+发光性质的研究

用固相反应法制备了Er^3 掺杂摩尔分数为1％的ZrO2材料；x射线衍射图表明该种材料为混合相晶体结构；用Nd：YAG激光器的三次谐波(355nm)和二极管激光器(980nm)为激发源激发样品，分别测量了它的发光和上转换发射，观察到了较强的绿光和相对较弱的红光发射。同时对该样品进行了剩曼光谱实验，发现该材料的晶格振动能量相对较小。通过分析发现低的声子能量和低的掺杂浓度是该样品发绿光的主要原因。     

稀土配合物Eu(DBM)_3 phen/聚丙烯复合薄膜的光学性质

制备了Eu(DBM)3phen掺杂的聚丙烯(PP)薄膜复合材料。利用发光光谱技术,分别展示了Eu(DBM)3phen和Eu(DBM)3phen/PP薄膜的稳态光致发光光谱,比较了这两种材料的发光寿命。与纯的Eu(DBM)3phen相比,该复合材料的发光稳定性有较大的提高;观察到了折射率边界对Eu3+自发辐射速率的影响。     

(ZnO)_(1-x-y)(P_2O_5)_x(B_2O_3)_y玻璃的环境稳定性和红外光致发光(英文)

Er3+掺杂的(ZnO)1-x-y(P2O5)x(B2O3)y玻璃具有优良的光学性质。沸水煮沸实验结果表明,该类玻璃具有较高的环境稳定性。与(Er2O3)z(ZnO)1-x-z(P2O5)x-z类玻璃相比,Er3+掺杂的该类玻璃在1.5μm峰值位置的光谱半峰全宽超过110 nm,而且具有较高的猝灭浓度。     

退火对ZnS纳米晶结构相变及发光的影响

采用共沉淀法制备了ZnS及ZnS：Eu纳米晶粉末,并对其在不同温度进行了退火处理。通过X射线粉末衍射(XRD)技术及差热分析实验(DTA)对ZnS纳米粒子在退火过程中的从立方到六角晶相的结构相变进行了研究。实验结果表明,同体材料相比,由于ZnS纳米晶具有较大的表面活性,其相变温度大大降低了。在由纳米粉末退火制备的样品中,观察到峰值位于460nm和520nm的两个发光带。前者是ZnS的自激活发光;后者归因于纳米晶制备过程中引入的缺陷或者在退火过程中形成了杂质能级。在退火温度低于800℃条件下,由纳米粒子制备的样品和由商用生粉制备的荧光粉相比较,前者的发光明显较强。铕的掺杂并没有形成新的发光中心,但却极大的增强了ZnS的缺陷发光。     

LaPO4:Ce3+/Tb3+ 纳米线的合成和发光特性

通过水热法合成出Ce^3 和Tb^3 共激活的LaPO4纳米线,并同相应的微米棒进行了比较。研究了其荧光光谱和动力学过程。结果表明纳米线和微米棒的晶体结构均为单斜相。在单掺杂Ce^3 和Tb^3 的材料中,微米棒的发光强度与纳米线相比稍有提高,但在共掺杂的纳米线样品中对应Ce^3 的激发,Tb^3 的^5D4→^7F5绿光发射比微米棒提高了3～5倍。通过动力学研究,纳米线中Ce^3 和Tb^3 的电子跃迁速率与微米棒对比没有显著的提高,且Ce^3 →Tb^3 的能量传递速率降低了3倍。Tb^3 的^53能级衰减包括两个过程：快过程和慢过程。纳米线以慢过程为主,而微米棒以快过程为主。我们认为慢过程对应^5D3→^5D4的弛豫,快过程对应^5D3向其他缺陷能级的跃迁。因此共掺杂纳米线中强度的提高被归因于在纳米线中更多的边界阻碍而引起在高于^5D4的激发态能级上损失的能量更少。     

在NaGdF4：Tm3+, Dy3+中Gd3+间的能量迁移及Gd3+-Dy3+能量传递量子效率

基于量子剪裁基本原理,通过光谱技术研究NaGdF₄:Tm³⁺,Dy³⁺在一个真空紫外光子激发下获得两个蓝色光子的可能性。在这种化合物中,量子剪裁通过下转换,即通过应用不同镧系离子间的能量传递进行。通过对Tm 4f¹²-4f¹¹5d激发,部分能量从Tm³⁺离子5d态直接传递给Gd³⁺,然后在Gd³⁺-Tm³⁺之间发生交叉弛豫,剩余能量从Gd³⁺传递给Dy³⁺,产生两个可见光子发射,一个来自Tm³⁺的¹G₄-³H₆跃迁,另一个来自Dy³⁺的⁴F_9/2-⁶H_15/2跃迁。主要研究获得以NaGdF₄:Tm³⁺,Dy³⁺为基础的新型具有更高效率,更高稳定性和更强真空紫外(VUV)吸收量子剪裁发光粉的可能性。各种光谱技术,如光致发光、激发和衰减等被用来表征不同Dy³⁺浓度掺杂NaGdF₄中Gd³⁺晶格间能量迁移引起的施主Gd³⁺和受主Dy³⁺之间的能量传递。结果表明Gd³⁺离子之间存在能量迁移,随之交换相互作用引起施主与受主(Gd³⁺-Dy³⁺)之间的能量传递。通过Bursh-tein等人关于激发态的弛豫理论,施主-受主能量传递参数k_DS可以从Gd³⁺的⁶P_7/2发射的衰减计算出。Gd³⁺-Dy³⁺能量传递量子效率也可以得到。NaGdF₄:Tm³⁺和NaGdF₄:Tm³⁺,Dy³⁺是由水热法制备的,NaGdF₄:Dy³⁺是由文献[4]方法制备的。发射光谱和激发光谱通过自制的VUV光谱仪和F-4500测量。衰减曲线由OPO激光器激发获得Gd³⁺-Dy³⁺之间能量传递量子效率在受主浓度大约在N_A=0.6%时达到最佳值,并且明显地观测到浓度猝灭效应。     

Y2O3:Eu3+纳米晶与体材料在高分辨光谱上的显著区别

报道了Y2O3：Eu^3 纳米晶与体材料在光谱上的显著区别。除了相同于Y2O3：Eu^3 体材料在580．6nm处的激发峰外,Y2O3：Eu^3 纳米晶在579．9nm处出现了一新的较宽激发线。并且,该激发线的寿命要稍短于580．6nm的激发线。579．9nm激发线被归因于靠近纳米晶表面的Eu^3 的发光。纳米晶中存在大量的表面缺陷。表面的晶体场因而发生退化,从而使得4f组态的电子能级发生移动。     

变温下Y2O3∶Eu3+纳米晶的荧光光谱和动力学过程

通过分析影响Y2O3:Eu3+在488nm激光激发下的5D0→7F2变温荧光发射强度的因素,建立起公式并对实验数据进行拟合,得到纳米晶的温度猝灭速率大于体材料的温度猝灭速率.测得Y2O3:Eu3+纳米晶和体材料的5D0→7F2发射峰的变温线宽,通过内应力和量子限域效应对其不同进行了解释.测量了Y2O3:Eu3+在共振激发下的5D0能级的荧光衰减时间随温度的变化,又利用公式对其进行拟合,得出了相比于体材料,纳米晶的辐射跃迁速率和无辐射跃迁速率均增大,但量子效率变小的结论.然后利用晶格畸变和表面态效应对上述结 关键词： 温度猝灭 Y2O3:Eu3+纳米晶 荧光衰减 线宽     

Eu_2（DBM）_64，4＇－BIPY的合成、光谱及铕（Ⅲ）格位

合成了配合物Ｅｕ２（ＤＢＭ）６４，４＇－ＢＩＰＹ．ＩＲ和Ｒａｍａｎ光谱都证实了配合物的生成．７７Ｋ下激光激发高分辨激发光谱和离光光谱表明配合物存在５Ｄ０能级能量差别为１５ｃｍ－１的两种Ｅｕ（Ⅲ）格位，两种Ｅｕ（Ⅲ）离子均不位于对称中心．由５Ｄ０→７Ｆ０、１、２跃迁荧光光谱峰数判断，两种Ｅｕ（Ⅲ）格位的区域对称性均为Ｃ１或Ｃ２或Ｃ２．两种格位Ｅｕ（Ⅲ）离子的发光寿命分别为０．３７ｍｓ和０．３２ｍｓ．     

有机光子选通烧孔材料中受体浓度对光致填孔的影响研究

研究了光谱烧孔的填孔过程，在几种有机电子转移型永久性烧孔材料中，得到了光谱烧孔的光擦除过程中孔的擦除程度随样品中受体浓度的减少而减弱，并受擦孔光的光子能量影响，同时与受体本身性质有关的实验结果．得出填孔过程也是一种电子转移过程的结论，并提出了一个能级模型对实验结果进行了分析．