用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中的极化电荷

研究发展了用肖特基电容电压特性数值模拟确定调制掺杂Al_xGa_1-xN/GaN异质结中极化电荷的方法.在调制掺杂的Al_0.22Ga_0.78N/GaN异质结上制备了Pt肖特基接触,并对其进行了C-V测量.采用三维费米模型对调制掺杂的Al_0.22Ga_0.78N/GaN异质结上肖特基接触的C-V特性进行了数值模拟,分析了改变样品参数对C-V特性的影响.利用改变极化电荷、n-AlGaN 关键词： xGa_1-xN/GaN异质结')" href="#">Al_xGa_1-xN/GaN异质结 极化电荷 电容电压特性 数值模拟     

荷能离子在C60薄膜中引起的辐照效应

用 Raman散射和 XPS技术分析了能量为几百 ke V到几百 Me V的多种离子在 C60 薄膜中引起的辐照效应.分析结果表明 ,在低能重离子辐照的 C60 薄膜中 ,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的.在快离子 (1 2 0 ke V的 H离子和171.2 Me V的 S离子 )辐照的情况下,电子能损起主导作用.发现在H离子辐照过程中,电子能损有明显的退火效应 ,致使 C60 由晶态向非晶态转变的过程中,经历了一个石墨化的中间过程;而在 S离子辐照的情况下 ,电子能损的破坏作用超过了退火效应 ,因此 ,在C₆₀ 由晶态向非晶态转变的过程中,无石墨化的中间过程.Irradiation effecs (mainly including transformation from crystalline into amorphous state) of C 60 films induced by 120 keV H, He, N, Ar, Fe and Mo ions, 240 keV and 360 keV Ar ions, and 171.2 MeV, 125.3 MeV and 75.8 MeV S ions were analysed by means of Raman scattering and XPS technique. The analysis results indicate that amorphization process in the cases of N, Ar, Fe and Mo ions irradiation is dominated by nuclear collision, but in the case of H ion irradiation, the process is...     

快重离子辐照C60薄膜的强电子激发效应研究

利用能量为2.0GeV的¹³⁶Xe和2.7GeV的²³⁸U离子对C₆₀薄膜进行了辐照,并用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱和拉曼散射技术分析了辐照过的C₆₀样品,在傅立叶变换红外光谱上,首次观察到一个位于670cm^－1处的,表征未知结构的新峰,研究了其强度随电子能损和辐照剂量的变化规律.分析结果表明,电子能量转移主导了C₆₀薄膜的损伤过程;而损伤的部分恢复是由强电子激发的退火效应引起的;另外,离子的速度在损伤的建立过程中也起了一定的作用     

Graphene oxide for diode-pumped Tm:YLF passively Q-switched laser at 2 μm

A diode-pumped Tm:YLF passively Q-switched laser at 2 μm was first demonstrated by using graphene oxide(GO) as a saturable absorber(SA).In this letter,continuous-wave(CW) laser and pulse laser performances were studied meticulously and systematically.It reasonably showed the dependence of the pulse duration,pulse energy,and pulse repetition rate on the absorbed power.A maximum repetition rate of 38.33 kHz and a single pulse energy of 9.89 μJ were obtained.     

Silver nanorods absorber for passively Q-switched Nd,Gd:CaF_2 laser

Using a novel silver nanorods absorber with a localized surface plasmon resonance absorption peak at 1.06 μm,we obtain a diode-pumped passively Q-switched(PQS) Nd,Gd:CaF_2 disordered crystal laser output. Its PQS pulse laser performances are studied comprehensively and systematically in this Letter. The single pulse energy and peak power can be attained to 2.15 μJ and 2.06 W, respectively.     

宇宙射线演示仪

一、引言目前的宇宙射线演示仪大都是火花放电室,作者对它做了改进,使之具有体积大、结构简单可靠,并可选择特定空间和时间内的宇宙射线,经反复实验,宇宙射线径迹清晰,直观。二、结构与原理演示仪结构如图1所示。它包括火花室室体、控制电路二部分。 (一) 火花室室体(见图2,只画其中一部分)金属电极为2mm厚铝板,相邻电极用有机玻璃绝缘。有机玻璃上铣有41个槽,41层铝板依次叠放在槽中,各层间通气方式如图3所示。有机玻璃的相邻二面边缘用粘合剂密封。室体的制作是实     

用重离子实验数据推算质子翻转截面和轨道翻转率

空间单粒子辐射环境主要由重离子和高能质子构成,但在地面利用两种离子评估器件单粒子效应敏感度成本太高,因此利用重离子实验数据推算质子敏感参数成为一个非常活跃的研究课题.利用Barak经验公式,在重离子实验获得器件的σ LET值曲线的基础上,计算了几种典型器件在不同能量下的质子翻转截面以及典型轨道上质子引起的翻转率,并同FOM方法预示的质子翻转率进行了比较,其结果将对卫星电子系统抗辐射加固设计具有重要参考价值. The radiation environments concerned with single event upset mainly consist of heavy ions from cosmic ray and large flux proton from solar events and planetary radiation belts. The most reliable calculation for SEE rate induced by proton and henvy ions are the way to use the experimentally measured data rospectively. But it is too expensive to test devices with both heavy ions and protons. So it is necessary to derive models for predicting proton cross sections and rates from heavy ion test data....     

数列单调性的一种判断

一个数列,判断其单调性,常常十分有用．要判断{xn}单调,常用的方法是证明在n=1,2,…,xn＋1-xn有确定的符号．但有时,     

Electrical characteristics of AlInN/GaN HEMTs under cryogenic operation

Electrical properties of an AlInN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT) on a sapphire substrate are investi-gated in a cryogenic temperature range from 295 K down to 50 K. It is shown that drain saturation current and conductance increase as transistor operation temperature decreases. A self-heating effect is observed over the entire range of temperature under high power consumption. The dependence of channel electron mobility on electron density is investigated in detail. It is found that aside from Coulomb scattering, electrons that have been pushed away from the AlInN/GaN interface into the bulk GaN substrate at a large reverse gate voltage are also responsible for the electron mobility drop with the decrease of electron density.     

FTIR光谱结合曲线拟合研究萌发水稻种子

种子的萌发是种子生命历程中的主要组成部分之一,了解种子萌发过程中经历的生理生化变化,准确确定种子的活力,对农业生产很重要,因而,研究种子萌发有重要意义。采用傅里叶变换红外光谱结合曲线拟合研究不同萌发程度的水稻种子,以探寻种子贮藏物质动员情况,对不同萌发时间的水稻种子进行傅里叶变换红外光谱、二阶导数光谱、二维相关红外光谱和曲线拟合研究。结果显示,原始红外光谱整体相似,光谱反映出水稻种子的主要贮藏物质为淀粉、蛋白质和脂肪;吸收峰强度比A_{1 659}/A_{1 019},A_{1 740}/A_{1 019},A_{1 157}/A_{1 019},A_{1 157}/A_{1 081}随萌发时间的增加而降低。814～1 000和1 028～1 340 cm-1范围内的二维相关红外光谱结果显示自动峰个数和最强自动峰的位置、强度随种子萌发时间的增加而变化,表明种子在萌发过程中糖类和蛋白质发生变化。二阶导数光谱在1 200～950 cm-1范围内出现七个峰,其中988 cm-1处的峰随萌发时间的增加向较高波数蓝移,而1 053和1 158 cm-1处的峰向较低波数红移,表明水稻种子在萌发过程中多糖的结构和含量可能发生了变化;在1 700～1 600 cm-1范围内出现九个峰,其中1 641和1 692 cm-1处的峰呈现随萌发时间的增加红移到较低波数的趋势,表明水稻种子在萌发过程中蛋白质的结构和含量可能发生了变化;在1 800～1 700 cm-1范围二阶导数光谱仅观察到1 712和1 744 cm-1处的两个峰,其中1 744 cm-1由脂类物质C═O伸缩振动引起,为脂肪的特征峰。为进一步研究水稻种子萌发过程中贮藏物质的具体变化,以二阶导数光谱确定的子峰位置和数目为依据,对原始红外光谱的1 200～950与1 800～1 600 cm-1区域进行曲线拟合分析。曲线拟合结果显示,随萌发时间的增加,多糖和蛋白质的相对含量总体上呈现下降趋势,脂肪的相对含量先降后升。研究表明,傅里叶变换红外光谱结合曲线拟合可作为研究种子萌发的有效手段。