(RBaCo2O5 δ(Pr,Sm,Y)体系的滞弹性内耗研究

本文对双钙钛矿结构RBaCo2O5 δ(Pr, Sm, Y)化合物进行了内耗研究.随稀土元素R的不同该材料体系存在着不同的晶体结构, 并导致了氧缺陷不同的驰豫行为.体系内耗谱图中呈现的一个驰豫型内耗峰被认为是由于[Roδ]层中额外氧的运动引起的.SmBaCo2O5 δ体系中在360 K附近还观察到一个相变型内耗峰,它伴随有模量的变化.     

La1-xSrxCoO3-δ体系中缺陷形成与输运过程研究

利用碘滴定法测定了钙钛矿型复合氧化物La1-xSrxCoO3-δ系列样品中金属元素的平均价态及氧的非化学计量值。实验发现:La1-xSrxCoO3-δ样品中的Co元素的平均价态随Sr掺杂量x的增加先增后减,室温下,在x=0.5时取最大值,温度升高,最大值移至x=0.4处。实验还发现,样品的电导率和330 K时的内耗峰峰高随Sr掺杂量x的变化也有类似极值,且极值点也分别出现在0.4和0.5左右,表明复合氧化物La1-xSrxCoO3-δ中的电子传导是通过极化子进行的。对于同一Sr掺杂量的样品,Co元素平均价态随温度的增加而减小。     

硫逐酸酯和二硫代磷酸酯的质谱研究

本文应用低分辨电子轰击源质谱, 化学电离质谱, 高分辨精确质量测量, 亚稳分析和不同取代基衍生物方法, 研究了十二种硫逐磷酸酯和二硫代磷酸酯的质谱。根据所得数据推断并讨论了这些化合物的断裂机理及特征离子的结构。     

La2-xNdxCuO4+δ(0.1≤x≤1.2)体系中滞弹性弛豫与相变内耗研究

通过对La_2-xNd_xCuO_4+δ(0.1≤x≤1.2)体系中滞弹性弛豫与相变内耗性能的研究发现,当0.1≤x≤1.0时,在250K左右存在一个与间隙氧有关的弛豫内耗峰,并且当0.1≤x≤0.4时,弛豫内耗峰峰高随着x值的增大而升高,此时体系为正交结构;当0.5≤x≤1.0时,体系在宏观上呈现四方结构,此时内耗峰峰高随着x< 关键词： 2-xNd_<i>xCuO_4+δ')" href="#">La_2-xNd_<i>xCuO_4+δ 间隙氧 弛豫内耗峰 相变内耗峰     

高频溅射法制备Bi—Sr—Ca—Cu—O超导薄膜

以单晶 YSZ、YAG 为衬底,用高频溅射法制备了 Bi-Sr-Ca-Cu-O 超导薄膜,膜厚为0.5—1μm,其中两个样品的超导性能为 T_c(onset)=92K,T_c(mid)=78K,T_(ce)=42K 和T_c(onset)=95K,T_c(mid)=78K,T_(ce)=36.5K,经分析,后者的组成近似地为Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_x.对靶组分、溅射和热处理条件与生成的膜成分、物相、形貌以及超导电性的关系做了讨论.     

贴片电阻表面缺陷自动识别方法

提出了一种基于非下采样Contourlet变换(NSCT)域图像去噪算法.首先根据尺度间与尺度内的NSCT系数之间的相关性,用非高斯分布模型对NSCT系数与其邻域系数及父系数进行建模,给出分类准则,把系数分为重要系数和非重要系数,再采用广义高斯分布来模拟重要系数的概率分布,根据贝叶斯理论得到自适应阈值,并求出最佳参量范围.为了克服软、硬阈值函数的缺点,提出一种自适应的新阈值函数,利用新阈值函数估计出不含噪音的变换系数,并通过非下采样Contourlet逆变换得到去噪后的图像.仿真实验表明,本文方法在峰值信噪比、结构相似性与视觉效果上均优于目前许多优秀的去噪算法.     

p型透明导电氧化物CuCr_(1 -x)Ca_xO_2的制备与光电性质研究

系统报道了铜铁矿CuCr1-xCaxO2 单相多晶材料的制备和光电性质研究结果、X光衍射 (XRD)以及电导的测量 .结果表明 ,适当的Ca2 + 取代Cr3 + 不改变材料的晶体结构 ,但能显著提高材料的导电性能 ,x =0 .0 6的原始Ca2 + 掺杂样品在室温的电导率达到 3.2× 10 -2 S/cm ,几乎比不掺杂样品的电导率提高了近 3个数量级 .所有掺杂样品的电导率随温度的变化曲线在 2 0 0～ 30 0K ,很好地符合Arrhenius关系 ,其Seebeck常数均为很大的正数 ,这表明所有样品均为典型的 p型半导体 ,其热激活能为 0 .2 7～ 0 .36eV .