具有不同类型桥基的双核Cu（Ⅱ）—Schiff碱配合物的合成 …

合成了３个分别以Ｃ２Ｏ＾２－４（「Ｃｕ２（Ｌ１）２（ｏｘ）」，１），ＡｃＯ＾－（「Ｃｕ２（ＡｃＯ）（Ｌ２）２」ＢＦ４，２）和酚氧（「Ｃｕ２９Ｌ３０２」（ＣｌＯ４）２，３）为桥基的双核铜配合物，并测定了１的复配合物「Ｃｕ２（Ｌ１）２（ｏｘ）」「Ｆｅ（ＯＨ）２（Ｈ２Ｏ）４」ＣｌＯ４．Ｈ２Ｏ及２和３的晶体结构。     

铋(Ⅲ)-4-(2-吡啶偶氮)间苯二酚体系在NH_3/NH_4Cl中的示差脉冲吸附伏安法研究

本文研究了在NH_3/NH_4Cl中铋与4-(2-吡啶偶氮)间苯二酚络合物的示差脉冲吸附伏安特性。实验了仪器参数对示差脉冲吸附伏安法的影响。发现吸附富集120s时铋浓度在2.0×10~(-9)～3.0×10~(-7)M范围内与峰电流有线性关系。检测下限为1.5×10~(-9)M。并测定了人发中的铋。     

钴(Ⅱ)-丁二肟体系的吸附伏安法研究

本文对钴(Ⅱ)与丁二肟配合物Co(Ⅱ)A_2在悬汞电极上的吸附伏安法作了研究。在-0.60～-0.90V(vs.SCE)Co(Ⅱ)A_2能在悬汞电极上很好地吸附,当电极向阴极方向扫描时,吸附在电极上的Co(Ⅱ)A_2分二步不可逆地还原到Co(O)(Hg)。本文导出了在低覆盖度下富集阶段电极表面吸附量的表达式,实验结果与理论推导相符。理论上分析了不可逆过程线性扫描吸附伏安法的灵敏度。影响灵敏度的主要因素是吸附富集时间,当富集120秒时,检测下限可达1×10~(-9)M,此结论得到实验证实。     

硝基化合物的吸附伏安法研究 I: 5-硝基-1, 10-邻菲咯啉的吸附伏安特性

本文用线性扫描技术对氨性溶液中, 低浓度, 5-硝基-1,10-邻菲咯啉的吸附伏安特性进行了研究.     

酞菁化合物LB单分子膜的SERRS

酞菁类化合物具有优良的光电特性,选择适当的取代侧链可得到稳定的LB成膜材料,可望在微电子器件等方面获得重要的应用.本工作观测了四-4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁铜(CuPc(Dt-PP)_4)在银岛膜上的LB单分子层的表面增强共振拉曼散射(SERRS)光谱。比较其固体粉末的共振拉曼散射(RRS)光谱,讨论了酞菁铜分子大环在载片表面的取向及其可能的原因。1 实验CuPc(Dt-PP)_4样品由陈文启等合成,经元素分析、IR、NMR、色谱等研究确认其结构如图1所示.银岛膜用真空蒸镀法制备在玻璃载片上。用同时蒸镀在铜网上的银膜的透射电     

C_(70)R_2(R=OH,CH_3)的结构和电子光谱

INDO方法研究了C70R2（R＝OH，CH3）4种异构体的结构和稳定性，表明1，9－C70（OH）2比7，8－C70（OH）2稳定，两者能量差为38．5kJ／mol，而7，8－C70（CH3）2比1，9－C70（CH3）2能量低23．0kJ／mol．以优化构型为基础，对C70R2（R＝OH，CH3）的电子光谱进行了理论预测．     

冬季平原河网水体溶存甲烷和氧化亚氮浓度特征及排放通量

以长江三角洲上海地区和海河流域天津地区水网为研究对象,对冬季河网表层水体溶存甲烷（CH4）和氧化亚氮（N2O）浓度、饱和度及水-气界面排放通量进行了研究.结果表明,冬季我国平原河网水体溶存CH4和N2O的浓度值都很高,呈高度过饱和状态：CH4浓度均值为0.86mol/L（饱和度：758%）,范围在（0.043±0.001）～（25.3±9.32）μmol/L之间;N2O浓度均值为86.8nmol/L（饱和度：488%）,范围在（9.71±0.41）～（691±35.2）nmol/L之间变化.天津排污河水体CH4和N2O浓度显著高于其他河流（均值分别为38.4mol/L和88.9nmol/L）.水体溶存CH4和N2O浓度、饱和度存在很大的地区差异,上海河网的CH4和N2O浓度和饱和度均值高于天津河网.河网水体水-气界面CH4和N2O排放通量变化范围很广,CH4通量在（1.35±0.22）～（665±246）mol/m2h之间,平均值为24.1mol/m2h,N2O通量在（0.19±0.02）～（22.6±5.05）mol/m2h之间,平均值为2.28mol/m2h.相关分析发现,河网水体溶存CH4浓度与DO显著负相关,与NH4＋显著正相关;N2O浓度则与NH4＋和NO3＋NO2显著正相关.河网水-气界面CH4和N2O排放通量均呈现出市区高郊区和农村低的空间分布规律,污染严重的河流已显然成为大气CH4和N2O的潜在排放源.     

Hilbert C~*-模中融合框架的新刻画

观察到Hilbert C*-模中融合框架原定义的不合理性,然后通过权重集的选取将其改进,得到融合框架的新定义并给出其等价形式.特别地,利用算子理论方法得到了Hilbert C*-模中融合框架的一个新刻画.     

Sc,Ti,V修饰B/N掺杂单缺陷石墨烯的储氢研究

3d过渡金属修饰是改善石墨烯储氢性能的最有效途径, 但仍存在金属团聚和H₂解离导致难以脱附的问题. 提出了B/N掺杂单缺陷石墨烯(BMG/NMG)的策略来避免以上两个问题. 密度泛函理论计算结果表明, N掺杂可以使Sc, Ti, V与石墨烯的结合能提高3~4倍, B掺杂可以将Sc与石墨烯的结合能提高3倍. Sc/BMG和Sc/NMG吸附的第一个H₂不会解离. Sc/BMG中Sc吸附5个H₂, 平均氢分子结合能为-0.18～-0.43 eV, 并且可以通过在同侧锚定多个Sc原子形成Sc/C₃B₂五元环增加H₂吸附位点. Sc/NMG中每个Sc吸附6个H₂, 平均氢分子结合能为-0.17～-0.29 eV, 还可以通过在异侧修饰形成Sc/N₃/Sc单元进一步提高储氢能力. 研究结果将为设计基于3d过渡金属修饰碳材料的储氢材料提供理论基础.