Sm离子在SrS∶Eu，Sm电子俘获过程中的作用

测量了SrS∶Eu,Sm的吸收光谱在陷阱饱和与倒空状态下的差异,由此讨论了在陷阱饱和时不同能量位置空穴和电子的分布,通过在近红外区Sm³⁺的吸收光谱研究了Sm离子价态和数目在激发前后的变化,并发现Sm³⁺的线状吸收与电子的陷阱→导带的激励吸收光谱存在较强的相消现象.提出了在SrS∶Eu,Sm中陷阱的构成机制及Sm³⁺离子在其中的地位,考察了Sm浓度对光存储量的影响,并找到一个提高这种材料光存储量的合理方法.     

不同温度下ZnS的高场输运特性

研究了ZnS中的电子声子相互作用.以此为基础,利用Monte Carlo方法研究了ZnS中电子在不同温度下的高场输运特性.电子加速的瞬态时间基本不随温度变化.电子的动能分布函数随温度升高向低能方向移动,即平均动能降低.电子在各能谷间的分布随温度升高而向低能谷移动.电子的漂移速度则随温度升高而降低.给出了这些物理量随温度变化的具体规律. 关键词：     

高场作用下有机双层器件的场致复合发光

以在高场作用下载流子对三角势垒的Fowler Nordheim隧穿理论为基础 ,建立了双层有机电致发光器件载流子的输运与复合发光模型。求出了稳态下电荷载流子的复合发光与电压和界面势垒的函数关系式 ,计算并讨论了所加电压和阳极区与阴极区厚度之比 (Lh/Le)对复合发光的影响。该理论模型很好地解释了电场对复合区域的调制作用。     

Sodium chloride methanol solution spin-coating process for bulk-heterojunction polymer solar cells

The sodium chloride methanol solution process is conducted on the conventional poly(3-hexylthiophene)(P3HT)/[6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester(PC_(61)BM) polymer bulk heterojunction solar cells. The device exhibits a power conversion efficiency of up to 3.36%, 18% higher than that of the device without the solution process. The measurements of the active layer by x-ray photoelectron spectroscopy(XPS), atomic force microscopy(AFM), and ultraviolet photoelectron spectroscopy(UPS) indicate a slight phase separation in the vertical direction and a sodium chloride distributed island-like interface between the active layer and the cathode. The capacitance–voltage(C–V) and impedance spectroscopy measurements prove that the sodium chloride methanol process can reduce the electron injection barrier and improve the interfacial contact of polymer solar cells. Therefore, this one-step solution process not only optimizes the phase separation in the active layers but also forms a cathode buffer layer, which can enhance the generation, transport, and collection of photogenerated charge carriers in the device simultaneously. This work indicates that the inexpensive and non-toxic sodium chloride methanol solution process is an efficient one-step method for the low cost manufacturing of polymer solar cells.     

两种基质中Er~(3 )的上转换发光特性

合成了一种新型共掺杂Er3 和Yb3 的氟氧化物 (ZnF2 SiO2 基质 )材料 ,研究了Er3 在这种基质材料中的吸收和在 980nm激发下的上转换发光 ,并对比了同等激发条件下Er3 离子在ZBLAN玻璃和这种氟氧化物中的上转换发光特性。实验发现两种基质中Er3 离子吸收峰位置基本相同 ,但吸收强度明显不同。氟氧化物中Er3 离子的上转换发光强度要低于ZBLAN基质中Er3 离子的上转换发光强度 ,不同的是Er3 离子在氟氧化物基质中红光发射强度要强于绿光强度。分析了两种基质中Er3 的上转换发光机制 ,氟氧化物基质中Er3 离子红绿光发射均为双光子过程 ,ZBLAN基质中Er3 离子绿光发射为双光子过程 ,而红光发射为双光子和三光子混合过程。     

温度对YLiF∶Er3+上转换发光的影响

研究了用水热法合成的YLiF4:Er^3 的上转换发光特性，用980nm的光激发样品时，得到了很强的绿光554nm和红光666nm，对应Er^3 离子不同能级的上转换发射为双峰发射，表明基质中Er^3 离子处于两种不同的格点上，改变测试温度时，样品的上转换发光强度随着温度的升高而下降，室温下，绿光的上转换机制是双光子和三光子混合过程，红光为双光子过程。     

Hole Transport Properties of MEH-PPV at Different Excitation Wavelengths

Using the time-of-flight photocurrent measurements, we investigate the hole transport properties of polymer 2-methoxy, 5-（2＇-ethyl-hexyloxy）-1, 4-phenylene vinylene （MEH-PPV）. The change of hole transport properties from non-dispersive transport to a dispersive type is presented, with the increasing excitation wavelength near the MEH-PPV absorption edge. At room temperature, the effective mobility of MEH-PPV depends on the applied electric field as commonly seen in some organic materials.     

水热合成稀土氟化物材料KZnF3∶Er, Yb的上转换发光特性

水热法合成了掺杂Er3+和Yb3+的 KZnF3材料, 研究了Er3+和Yb3+在这种基质材料中的吸收和在980 nm红外光激发下的上转换发光, 对比了不同Yb3+浓度(0%～4%)下的上转换发光特性.实验发现, 在同种材料中, Er3+的红光发光强度要明显强于绿光, 而且掺Yb3+后红光和绿光的光强比不掺Yb3+时都有了很明显地增强.当Yb3+浓度为2%时上转换发光光强达到最强, 大于2%后发光开始减弱.通过分析输出光强与泵浦光强的双对数曲线, 发现Er3+的红光和绿光的发射均属于双光子过程, 最后分析了红光和绿光上转换发光的具体过程和转换通道.     

水热法合成YLiF4∶Er3+的上转换发光

用水热法合成了YLiF4∶Er3+,Er3+浓度变化范围为 0%～5%.在室温下,测试了所有样品在200～1200 nm间的吸收光谱.当 Er3+浓度为2%(Er-2样品)时,由吸收光谱计算得到的J-O参数为Ω2=1.05×10-20 cm2,Ω4=1.25×10-20 cm2和Ω6=1.35×10-20 cm2.在980 nm激发下,测试了所有样品的上转换发光光谱,发光强度随Er3+ 浓度增加而增长.当Er3+ 浓度小于1.5%,激发态吸收是主要的上转换发光机制.当Er3+ 浓度高于1.5%时,上转换机制包括激发态吸收和能量传递.在室温下,Er-2样品的能级2H11/2的寿命是205 μs,4S3/2的是205 μs,4F9/2是188 μs.根据实验数据和计算所得的跃迁几率,计算了4S3/2能级和4F9/2能级的量子效率,分别是27.9%和10.7%,表明两者都具有很高的量子效率.     

竖直生长有机单晶微米线的制备及其光波导性能

利用物理气相沉积法来制备有机微米线,并根据气相沉积中基底表面对材料的成核与生长动力学的影响规律,通过对基底表面的亲水处理,来控制微米线的成核过程,从而实现了微米线有序阵列的制备,进而研究了垂直微米线的光波导性能。与水平生长的微米线相比,垂直生长的微米线波导性能更高,光损耗小,损耗系数R为0.029 dBμm~(-1),明显低于平躺的微米线(R=0.033 dBμm~(-1))。