Measurement of the ~2H(~7Be,~6Li)~3He reaction rate and its contribution to the primordial lithium abundance

In the standard Big Bang nucleosynthesis(SBBN) model, the lithium puzzle has attracted intense interest over the past few decades, but still has not been solved. Conventionally, the approach is to include more reactions flowing into or out of lithium, and study the potential effects of those reactions which were not previously considered.~7Be(d,~3He)~6Li is a reaction that not only produces~6Li but also destroys~7Be, which decays to~7Li, thereby affecting~7Li indirectly. Therefore, this reaction could alleviate the lithium discrepancy if its reaction rate is sufficiently high.However, there is not much information available about the~7Be(d,~3He)~6Li reaction rate. In this work, the angular distributions of the~7Be(d,~3He)~6Li reaction are measured at the center of mass energies Ecm = 4.0 Me V and 6.~7Me V with secondary~7Be beams for the first time. The excitation function of the~7Be(d,~3He)~6Li reaction is first calculated with the computer code TALYS and then normalized to the experimental data, then its reaction rate is deduced. A SBBN network calculation is performed to investigate its influence on the~6Li and~7Li abundances. The results show that the~7Be(d,~3He)~6Li reaction has a minimal effect on~6Li and~7Li because of its small reaction rate. Therefore,the~7Be(d,~3He)~6Li reaction is ruled out by this experiment as a means of alleviating the lithium discrepancy.     

分子印迹固相萃取-化学发光测定盐酸金霉素

分子印迹聚合物;固相萃取;化学发光;流动注射;金霉素     

非饱和土-结构动力响应的多耦合周期性有限元法

真实的地基土体-隧道系统中土体及结构性质往往沿线路纵向变化.为考虑土体与结构沿纵向的变化特性,提出了一种非饱和土-结构系统动力响应分析的多耦合周期性有限元法.首先基于非饱和土的实用波动方程,采用Galerkin法推导了单节点5个自由度的非饱和土ub-pl-pg格式有限元表达式,相比于单节点9个自由度的ub-v-w格式有...     

Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3压电陶瓷的介电、铁电和压电性能

采用两步法制备了0.30Pb(In1/2 Nb1/2)O3-(0.70-x)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PIN-PNN-PT,x=0.33,0.35,0.37,0.39)压电陶瓷.研究了PIN-PNN-PT压电陶瓷的相结构、介电、铁电和压电性能.研究表明位于准同型相界(MPB)的组分0.30PIN-0.33PNN-0.37PT具有最佳电学性能,其居里温度TC、压电系数d33、平面机电耦合系数kp、自由介电常数ε二介电损耗tanδ、剩余极化Pr、矫顽场EC分别为200℃、386 pC/N、50;、2692、0.045、34 μC/cm2、18 kV/cm.结果 显示PIN-PNN-PT三元系相比于PNN-PT有更高的居里温度,同时保持了优异的压电性能.     

一维抛物型方程一种新的边值问题的解法

在建立目标一维热红外温度模型时,提出了热传导方程的一个新的边值问题;通过比较,选择了GE差分格式,求解方程,并进行了稳定性分析;采用虚拟网格点法处理边界条件,得出了GE格式的完整形式;计算实例表明,分组显示方法更适合此类边值问题的实际计算.     

钙钛矿晶体的电荷复合动力学研究

本文利用紫外吸收光谱和稳态荧光光谱技术结合理论模型，研究了钙钛矿材料CH₃NH₃PbI₃晶体在光激发过程中的电荷复合动力学行为，进而获得晶体的扩散长度. 电荷载体的扩散长度是判断光电材料的重要参数. 研究通过合成两种不同缺陷态浓度的CH₃NH₃PbI₃晶体，测量这两种晶体在0.019∽4.268 μJ/cm²的激光激发下的时间分辨荧光光谱，利用动力学模型对光谱进行拟合，可以获得每个晶体的掺杂浓度，空穴浓度以及电荷复合参数. 将这些参数结合已有公式，最终可获得每个晶体的电荷载体的扩散长度.     

Si基IV族异质结构发光器件的研究进展

Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点, 有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题. 在Si基光互连的关键器件中, 除了Si基光源尚未得到解决, 其他器件都已经实现, 因此Si基可集成高效光源具有十分重要的研究意义. 同为IV族元素的Ge 和GeSn因其与Si的可集成性及其独特的能带结构有望成为Si基光电集成回路中的光源. 虽然Ge是间接带隙材料, 但通过引入张应变、n型重掺杂, 或者引入Sn形成GeSn合金等能带工程手段来提高发光效率. 近年来, Si 基IV族发光材料和发光器件有许多重要进展, 本文就Si基Ge, GeSn材料发光研究中的几个关键技术节点——应变工程、掺杂技术、理论模型和器件研究——回顾了近几年国际和国内的研究进展, 并展望了Si基IV族激光器的发展趋势.     

焊接接头超高周疲劳实验研究

本文基于超声疲劳振动技术,设计了三种焊接接头试样(圆形对接焊接试样及其喷丸处理试样和板状十字焊接试样),并利用超声疲劳试验系统测定了其超高周疲劳性能,实验应力比为-1,频率20kHz,实验在室温条件下进行。实验结果表明,圆形对接焊接接头的疲劳性能高于板状十字焊接接头,喷丸处理能提高焊接接头的疲劳强度。将焊接接头的疲劳性能与对应形状的母材进行对比分析,发现焊接接头的疲劳性能远低于母材。在相同疲劳寿命的条件下,圆形焊接接头试件的疲劳强度仅为母材的45%,十字焊接接头试件仅为母材的29%;圆形对接接头在5×106周次以后,试件仍然发生疲劳断裂,而板状十字焊接接头在超高周区域(107～109周次)存在疲劳极限。超声疲劳断口的扫描电子显微镜分析结果显示,圆形焊接接头试件断口位置主要位于熔合区的焊趾处或焊接接头表面几何非连续处,十字接头试件断口位于焊趾处;焊接接头试件裂纹萌生于焊接缺陷、试样表面夹杂或熔合区的不连续处;喷丸处理对焊接接头的裂纹萌生机制没有显著影响。     

基于边缘特征的中值滤波的小目标检测法

提出了一种基于边缘特征调整滤波尺寸的中值滤波算法用于小目标的检测。以图像像素的四个方向的边缘分量确定阈值,以此阈值判断像素是否为小目标区域,在此基础上调整滤波尺寸,采用中值滤波方法检测出小目标。结果表明,该算法对于小目标检测有很好的效果。