相变域硅薄膜材料的光稳定性

采用RF-PECVD技术，通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料，研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验，在分析光照前后光电特性变化规律的基础上，认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定，衰退率较少；高晶化率微晶硅材料性能稳定，基本不存在光衰退；在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退，但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池. 关键词： 射频等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 Staebler-Wronski(SW)效应 稳定性     

Study on a MEMS silicon-based non-silicon mirror for an optical switch

A micro-electro-mechanical system (MEMS) silicon-based non-silicon mirror for a 2D optical switch is designed, fabricated and measured. The result shows that the mirror has good reflective performance. And driven by static electricity, it can rotate more than 10° at voltage less than 15 V. This kind of novel mirror will have good potential applications for MEMS optical switches.     

杨氏干涉实验的散斑法

一、引言杨氏干涉实验,是光学的基本实验之一。杨氏实验表明,在零程差附近的干涉图样的包络反映了空间相干性效应,而在大程差处包络的逐渐消失则反映了时间相干性效应。以往的杨氏实验,总有某些不足之处:例如仅用一对双孔,产生的干扰条纹亮度很低,不易观察;条纹按余弦分布,明暗条纹间的距离难以测准;杨氏孔的大小不好控制,加工小孔很麻     

用表面光电压法测试砷化镓少数载流子扩散长度

砷化镓是当前除硅之外应用最广泛的半导体材料之一。尤其在微波器件、半导体激光器及光电器件等领域占有重要的地位。在器件的设计及制备中,少数载流子扩散长度是一项重要参数。用表面光电压法测试砷化镓少数载流子扩散长度,具有测试装置比较简单,又有非破坏性的特点。这里,虽然仅对于光电器件进行讨论,但可供其它有关方面参考。     

一种新型的固着磨料抛光片──WBN抛光片的制作工艺及其特性

本文描述了用冲击合成方法得到的超硬材料纤锌矿型氮化硼（ＷＢＮ）制作的一种新型抛光片。在光学玻璃抛光中的初步应用显示：这种新型的ＷＢＮ抛光片具有比传统的ＣｅＯ２。抛光片更大的切削力、更短的抛光时间和更好的表面粗糙度及更长寿命等优点。     

P538萃取钒(Ⅳ)的研究

在20±0.5℃下，用P538环已烷溶液从硫氰酸盐介质中，萃取钒（Ⅳ）机理为离子交换机理，萃合物组成VO^2 :SCN^-:HA^-=1:1:1，萃取率为82.5%。     

圆形球面虚共焦非稳腔的三维数值研究

 通过对1/2共焦腔和稳定腔的计算,考查了同三维菲涅耳积分方程相应的C 8程序的可靠性。对激光在三维圆形球面虚共焦非稳腔中的传输作了计算和分析。取相同的远场传输距离且放大率由大变小时，强度分布由近场的投影分布逐渐趋于远场的高斯、超高斯分布。     

钯（Ⅱ）—组氨酸络合物极谱波的研究

本用极谱法研究了Ｐｄ（Ⅱ）－组氨酸络合物波的形成条件和性质，用线性法和连续变化法确定了Ｐｄ（Ⅱ）与组氨酸的络合物比为１：２，络合物的稳定常数β为３．４７×１０＾１９。测定钯的线性范围为０．０２～０．７μｇ／ｍｌ。     

碱金属离子改性聚乙烯醇渗透汽化膜

研究了含碱金属氯化物的聚乙烯醇。马来酸酐（ＰＶＡ－ＭＡ）交联膜对乙醇－水混合物的分高性能，盐含量低于６％质量时，膜的透量明显增加，原料液乙醇浓度较高时，分离系数也增大，含盐膜从５０％乙醇水溶液中吸附了５％～８％的自由水。