新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应

为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池.本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50;的内量子效率,在253nm也有较好的响应.有望获得高效率的应用于AM0条件的InP太阳电池.此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器.     

Mn位Ru替代对Pr0.5Ca0.5MnO3电磁特性及磁电阻的影响

通过对Mn位Ru替代体系Pr0.5Cao.5Mn1-xRuxO3(0.00≤x≤0.09)的磁性及电输运机制进行研究,发现Ru元素的替代对居里温度Tc、绝缘体-金属相变温度TIM有明显影响,导致了异常电输运及磁电阻行为的出现;随着Ru含量的增加,Tc及TIM均向高温区移动,在外加磁场作用下,电阻率峰值被强烈压缩,从而导...     

β-C_3N_4的制备及若干问题探讨

采用热丝辅助反应溅射和等离子体增强热丝化学气相沉积（ＣＶＤ）的制备方法，获得了含有β－Ｃ３Ｎ４结晶相的ＣＮｘ薄膜．文章将重点介绍制备参数与ＣＮｘ薄膜结构的关系，并进一步讨论与β－Ｃ３Ｎ４结晶相择优生长有关的主要问题     

成分调制的La1-xSrx MnO3复合隧道结

利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0.7Sr0.3MnO3(100nm)/La0.96Sr0.04MnO3(5nm)/La0.7Sr0.3MnO3(100nm)的隧道结外延薄膜,然后再次利用磁控溅射方法,在三层单晶膜上方继续沉积Ir22Mn78(15nm)/Ni79Fe21(5nm)/Pt(20nm)等金属三层膜.最后利用深紫外曝光和Ar离子束刻蚀等微加工技术,制备出长短轴分别为12和6μm或者8和4μm大小的椭圆形La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结.在4.2K和外加磁场8 T的测试下,La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结其隧穿磁电阻(TMR)比值达到3270%,直接从实验上证实了铁磁性La07Sr0.3MnO3金属氧化物的自旋极化率(97%)可接近100%,具有很好的半金属性质.     

立方(Ba0.5Sr0.5)TiO3高压诱导带隙变化的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算研究了 (Ba_0.5Sr_0.5)TiO₃ (BST) 晶体在高压下的电子结构及能带变化行为. 研究结果发现,随着压强的增加,BST能带间隙先增加,在压强为55 GPa时达到最大值,然后减小,这些有趣的结果将有助于开发与设计新的BST铁电器件. 进一步地,通过电子态密度和密度分布图的研究分析可知:在低压区域(055 GPa),则是出现的离域现象占主导(电子的离域作用超过键态的作用),从而使带隙减小. 关键词： 钛酸锶钡 第一性原理 高压 能带间隙     

基于卷积神经网络与投票机制的蒲黄炮制品近红外判别方法

蒲黄炭是由香蒲花粉炮制而成,具有止血、化瘀、通淋等多种功效,被广泛应用于临床抗血栓,创面和出血。然而蒲黄炭在炒炭过程中,常常会出现炭化过轻或者炭化过重的现象,从而出现不同炭化程度的蒲黄炭药品,主要为轻度炭化、标准炭化与重度炭化三种不同的蒲黄炭药品。由于炭化程度不同,蒲黄炭的凝血效果优劣不等,其中标准炭化的蒲黄炭药品药效最优。目前,鉴别蒲黄炭药品的方法多为人工凭借肉眼与经验进行判别。基于人工的蒲黄炭药品判别方法判别效率低,受主观因素影响大,判别结果不稳定,难以区分出标准炭化的蒲黄炭。为有效地对不同炭化程度的蒲黄炭进行识别,提出一种基于卷积神经网络与投票机制的蒲黄炮制品近红外判别方法。该方法创新性地结合深度学习与机器学习算法,有效利用卷积神经网络强大表征提取能力的同时通过投票决策提升算法模型的泛化能力与鲁棒性。首先通过近红外光谱技术获取蒲黄炭的近红外光谱,并通过卷积神经网络分别提取样本经过四种预处理方法所得到光谱图的高阶特征,并计算预测结果。按照样本准确率与损失值为四种预处理方法分配相应权重得到蒲黄炮制品预测模型。该模型将所得到的四种预测结果结合权重共同投票出样本的最终结果,从而鉴别出蒲黄炭的炭化程度。实验结果表明所提方法可以有效判别蒲黄炮制品的炭化程度。当训练集所占样本比例为80%时,预测准确率达到95.4%。所提方法与传统卷积神经网络方法、线性判别分析方法以及标准正太变量变换-线性判别分析方法相比预测准确率分别提高8.6%,4.3%和2.6%。同时,所提方法具有一定的稳定性,当训练集所占样本比例大于70%时,测试准确率高于90%;当训练集比例仅占10%时,预测准确性仍然能够达到约80%。     

衬底温度对Cu2O薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜。系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的生长特点。电学和光学测试结果表明,室温电导率和光学带隙随着衬底温度的升高而增加,800 K制备的薄膜的带隙值最高约为2.58 eV。     

铌酸锂钠钾纳米粉体的溶胶-凝胶法合成及其相转变

采用化学络合法将Nb2O5转化为可溶性铌盐作为铌源, 用溶胶-凝胶法, 在500～650 ℃成功煅烧合成了平均晶粒尺寸为20～60 nm的纯钙钛矿相铌酸锂钠钾[(Li0.06Na0.47K0.47)NbO3]无铅压电陶瓷粉体. 研究了晶粒尺寸对铌酸锂钠钾纳米粉体相结构的影响. 结果表明, 基于纳米尺寸效应, 随着晶粒尺寸由60减小到20 nm, 铌酸锂钠钾粉体的相结构由正交相逐渐过渡到四方相, 而室温下四方相向立方相的转变将发生在20 nm以下.     

掺杂C60薄膜的制备及光电特性

在电弧法制备的过程中添加氮气或B2O3粉末,制备了氮、硼替位式掺杂C60.硼掺杂和氮掺杂C60均显示明显的半导体导电特性,且室温电导率比未掺杂C60薄膜提高1～2个量级.用共蒸发的方法制备出了硫掺杂C60薄膜,其电导率～温度曲线中存在一个过渡区,过渡区两侧表现出明显的半导体导电特性,这与掺入C60薄膜中的硫杂质的存在状态有关.其室温电导率比掺杂前提高4个量级,光致发光也明显增强.另外还报道了用离子注入和射频等离子体辅助真空沉积的方法制备掺杂C60薄膜的初步结果.