不同高径比下浮区晶体生长熔体内对流不稳定性分析

本文通过数值模拟的方法，研究了零重力条件下半浮区液桥内熔体热毛细对流的演化规律。在液桥的高度L和温差ΔT保持不变的情况下，通过改变液桥的半径R来改变液桥的高径比(Ar=L/R)。随着高径比Ar的变化，液桥内的对流表现出不同的流动特征。在Ar=0.5时，热毛细对流处于三维稳态；在Ar=1时，流场和温度场从稳态模式向非稳态周期多频振荡模式转变，它们之间的频率关系满足倍频关系(f_n=nf₁);在Ar=1.25时，监测点的速度振荡频率增大，表现为较小幅度的振荡模式，且温度振荡消失。     

Analysis of multiple cell upset sensitivity in bulk CMOS SRAM after neutron irradiation

In our previous studies, we have proved that neutron irradiation can decrease the single event latch-up(SEL) sensitivity of CMOS SRAM. And one of the key contributions to the multiple cell upset(MCU) is the parasitic bipolar amplification,it bring us to study the impact of neutron irradiation on the SRAM's MCU sensitivity. After the neutron experiment, we test the devices' function and electrical parameters. Then, we use the heavy ion fluence to examine the changes on the devices' MCU sensitivity pre-and post-neutron-irradiation. Unfortunately, neutron irradiation makes the MCU phenomenon worse.Finally, we use the electric static discharge(ESD) testing technology to deduce the experimental results and find that the changes on the WPM region take the lead rather than the changes on the parasitic bipolar amplification for the 90 nm process.     

Ga_(1–x)Cr_xSb(x=0.25,0.50,0.75)磁学和光学性质的第一性原理研究

随着高性能电子器件需求的日益增加,自旋电子学材料在材料研究和电子元件中具有重要地位,因为自旋电子学器件相比于传统半导体电子元件具有非易失性,低功耗和高集成度的优点.本文研究了Cr离子注入GaSb的电子性质、磁学和光学性质,采用基于密度泛函理论框架下的缀加投影平面波方法,利用广义梯度近似下电子交换关联泛函,考虑了Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE06)杂化泛函计算进行电子能带带隙修正,首先对不同浓度Cr离子注入下的闪锌矿结构半导体GaSb形成的Ga_(1-x)Cr_xb(x=0.25,0.50,0.75)进行结构优化,计算了无磁、铁磁及反铁磁的基态能量,对比发现它们的基态均为铁磁态.对电子能带结构图分析发现,它们自旋向上的电子能带穿过费米面,而自旋向下的电子能带存在直接带隙,呈现铁磁半金属性质.同时在平衡晶格常数下具有整数倍玻尔磁矩,并在一定晶格变化范围内保持磁矩不变.同时发现它们在红外波段具有良好的吸收能力,这使得Ga_(1-x)Cr_xSb在自旋电子学器件和红外光电器件中拥有潜在的应用前景.     

Fe/Mo/Al2O3催化剂热解火焰法合成小直径少壁碳纳米管:催化剂焙烧与还原温度的影响

采用Fe/ Mo/ Al2O3载体载入式催化剂,以CO为碳源,通过氧炔焰形成热解火焰合成了小直径少肇碳纳米管.分别对不同的催化剂焙烧温度,催化剂预先还原温度进行了对比分析.研究发现900℃的焙烧温度可以有效减小催化剂颗粒尺寸,优化颗粒尺寸的统一性以及在载体表面分散的均匀性;400 ℃的还原温度可以在防止被还原成的铁单质颗粒聚合长大,失去合成小直径少壁碳纳米管所必须的小尺寸的基础上,有效还原颗粒氧化物使其尺寸进一步减小并分散更加均匀.     

SD大鼠亚慢性镉中毒试验模型的构建

为建立一种可靠、安全、方便的清洁级雄性SD大鼠亚慢性镉中毒模型,选取32只SD雄性大鼠随机分组,每天分别用含0,0.3,0.6和1.2mg·kg^-1剂量的CdCl₂溶液腹腔注射大鼠,研究镉离子在对清洁级雄性SD大鼠肝脏组织和性腺组织的损伤情况。结果显示,试验组大鼠的体重增长速度慢于对照组,两者之间具有显著性差异（P<0.05）。大鼠性腺组织和肝脏组织中的镉含量与镉离子呈剂量效应关系。氯化镉溶液处理大鼠28d后,试验组性腺组织中富积镉含量分别为0.022,0.84,1.17和1.94mg·kg^-1,肝脏组织富积镉含量分别为0.012,14.35,26.28和59.9mg·kg^-1。试验组性腺和肝脏组织富积镉的量均显著高于对照组。病理组织切片结果显示,试验组大鼠肝脏和性腺组织均出现不同程度的损伤。大鼠经过7d适应性饲养之后,每天腹腔注射浓度为0.3¹.2mg·kg^-1镉溶液,且连续处理28d,可以建立大鼠亚慢性镉中毒模型。 更多还原     

放射性废物玻璃固化专用等离子体炬的数值模拟与实验研究

采用了数值模拟与实验结合的方法研究了用于模拟放射性固体废物玻璃固化的非转移弧型等离子体炬的电、热特性。基于包括电弧室和开放空间在内的3D 模型得到了电弧等离子体和等离子体射流的温度场。根据计算结果,电弧室内的最高温度位于第一阳极内,达到1.77×10⁴ K;弧电压的计算值高于实测值,二者之间的差异随着电流强度的增大而逐渐减小。采用该等离子体炬熔融模拟废物的实验发现,所确定的等离子体炬到炉底的距离能够满足废物熔融的要求,与计算的结果相符合。上述结果表明,数值模拟的结果可以作为等离子体炉工程设计的依据,并可以用作进一步分析等离子体炉炉膛内工艺过程的输入条件。     

腭裂语音中齿龈塞音的声门代偿现象声学分析与判定

对齿龈塞音在腭裂语音中的声门塞音代偿现象进行了声学分析,计算频谱分布的多阶统计量—谱矩,并将代偿塞音和正常塞音进行对比。结果显示声门塞音爆破段的第一阶谱矩即频谱质心的频率位置比正常塞音低,因为声门塞音的阻塞部位在声门,导致声道腔体偏长从而共振频率偏低。还观察到声门塞音的第二阶谱矩即标准偏差偏高,说明其谱能量分布比正常塞音更加分散。声门塞音的第三阶谱矩即偏度大多为正值,反映了声门塞音功率谱的非对称性且大头朝向低频区而长尾朝向高频区。采用逻辑回归模型进行样本分类,通过交叉验证选出最优的四阶谱矩作为模型自变量,分类正确率为89.7%。结合塞音爆破时刻自动检测,实现了音节/di/的声门塞音客观判定。      

联合因子分析和稀疏表示在稳健性说话人确认中的应用

在说话人确认的任务中,为了解决信道失配问题,提高系统性能,引入了联合因子分析和稀疏表示算法。首先利用联合因子分析算法去除信道干扰,得到与信道无关的说话人因子,然后在稀疏表示算法中利用说话人因子构建过完备字典,求解稀疏最优化问题计算说话人得分。由于此方法有机结合了联合因子分析算法的信道鲁棒性和稀疏表示的鉴别性,使用此算法构建的系统在NIST SRE 2008电话训练、电话测试数据集上性能表现良好,相对于联合因子分析-支持向量机系统在性能上有竞争性,在原理上有互异性,系统融合更带来了最小检测代价指标上4.91%的性能提升。实验表明使用联合因子分析与稀疏表示进行说话人确认是可行的。      

基于朗缪尔探针的硅离子空间分布特性及纳米晶粒生长过程研究

在室温、10 Pa氩气环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,在以烧蚀点为圆心、半径为2 cm的玻璃弧形支架的不同角度处放置衬底,沉积了纳米Si晶薄膜.通过扫描电子显微镜、拉曼散射仪对制备样品的形貌和特性进行分析.结果表明:纳米Si晶粒以羽辉轴线为轴呈对称分布,在轴线处平均尺寸最大,随着衬底同轴线夹角的增加,晶粒尺寸逐渐减小.结合朗缪尔探针对空间不同位置羽辉中Si离子密度和热运动温度分布的诊断情况,从晶粒生长过程的角度对其尺寸随空间位置变化的结果进行了研究,得到了晶粒尺寸正比于烧蚀粒子密度和热运动温度的结论.