基于0.5μm CMOS工艺的高压器件

近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23～25V,P管击穿BVdssp>19V.     

抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究

仿真研究了300 V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1 pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1 pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性。重点分析了1 pC/μm LET时离化强度大的条件下SEB电压的碰撞电离分布和晶格温度分布,分析发现,功率VDMOS颈区JFET/P阱的pn结是SEB效应薄弱点,这得到了实验结果的验证。本模型计算的结果表明,当LET值大、器件工作温度高时,功率VDMOS器件的单粒子烧毁风险最大。该项研究结果为抗辐射加固功率VDMOS器件的应用提供技术参考。     

华东电网架空线路状况及影响导线寿命的关键因素

架空输电线路长期运行在野外,受到各种恶劣自然环境及人类生活生产活动的影响,使得输电线路各部件受到损伤甚至破坏,缩短了使用寿命,进而影响到电网安全。以华东电网输电线路为对象进行了统计,阐述了开展输电线路寿命相关研究的重要性。通过对各个部件的关键性评价,说明了导线在输电线路寿命中的重要地位。结合老旧导线的试验分析结果,讨论了影响导线寿命的关键因素。     

浅谈热力收费软件的开发与应用

本文简述了热力收费软件在供热收费体制改革中发挥的作用，以及软件开发的工作思路和想法，并介绍了软件开发过程以及软件的特点、功能模块和应用情况。     

考虑线路潮流波动对母线电压影响的特高压交流电网电压控制策略

为了提升特高压交流电网母线电压的控制效果,根据特高压电网建设现状,分析了线路潮流波动对母线电压的影响,提出了以削弱电网潮流波动对特高压母线电压影响程度为最终目的,以电压控制实际值与目标值之差最小和系统动态无功储备增量最大为目标函数的控制策略。针对线路无功潮流对母线电压的影响,在目标函数中引入变电站间的无功电压灵敏度系数以降低变电站间无功功率流动量。实际电网仿真结果表明:所提控制策略能有效改善电压的调节效果,降低动态无功补偿的投入容量。     

金寨地区10 kV配网防雷改造措施分析

以金寨地区10kV配网为研究对象,使用EMTP软件建立金寨地区典型配网线路模型,分析了金寨地区落雷情况和线路耐雷水平对雷击跳闸的影响,以及地闪特征与雷击跳闸次数的相关性。研究表明,金寨地区线路雷击跳闸次数与落雷情况具有强相关性,近3年线路跳闸次数提高主要是由于金寨地区地闪密度及地闪强度提高。基于金寨地区地闪时空分布特性,提出10kV配网线路防雷改造措施,并分析了线路防雷改造后与10kV开关站的绝缘配合问题。     

UHVDC入地电流暂态过程对变压器励磁特性的影响

为研究接地极入地暂态电流对变压器励磁特性的影响,提出一种针对UHVDC入地电流暂态的计算方法,并搭建了受端地区直流偏磁仿真模型,计算了地表电位和偏磁电流在入地电流暂态过程中的响应,并分析了变压器的励磁特性。结果表明,暂态过程会显著增加10 km范围内的地表电位和偏磁电流,在UHVDC引起的变压器直流偏磁计算时应考虑入地电流暂态过程的影响。     

基于多重分形的SF6替代气体击穿特性研究

为探究干燥空气作为SF_6替代气体的可能性并深入理解短间隙气体放电流注的放电特性,搭建冲击电压放电试验平台,施加雷电冲击电压和快速暂态过电压,在极不均匀电场下探究干燥空气和SF_6气体的绝缘水平。为进一步研究流注形态特性受气体种类、电压极性等外界条件的影响,利用ICCD相机捕获二维流注图像分析了流注发展速度和流注通道长度的关系,并基于多重分形理论对流注整体形态的复杂性进行了解释。结果表明,在0.4MPa的气压下,干燥空气的脉冲击穿电压(V50%)满足24kV C-GIS的基本脉冲绝缘水平;在负极性下分形谱最大值相对较大,流注发展速度更快;与SF_6气体下的流注形态相比,空气下的流注形态的分形谱最大值较大,流注发展速度更快;多重分形谱谱宽不随外界条件变化而变化,说明流注光电离在二维图像空间分布上具有一定的相似性。