SiC梯度涂层的制备及其氧化行为研究

采用料浆烧结法在石墨表面制备SiC抗氧化涂层。研究涂层在1200℃、1300℃和1400℃高温下的氧化行为。结果表明,该涂层系统在1200℃具有较佳的抗氧化性能,在空气中氧化10 h,其重量的损失率仅为0.36%;随着氧化温度的提高,涂覆试样的抗氧化性能降低,并从微观结构上分析和解释此涂层在不同氧化温度下的氧化行为。     

医用钛合金表面TiO_2覆膜生物改性的研究

在新型近B钛合金Ti-3Zr-2Sn-3Mo-25Nb表面分别用3种微弧氧化法(普通微弧氧化、复相微弧氧化、紫外照射微弧氧化)和优化溶胶.凝胶法镀上一层TiO2薄膜,考察了各种薄膜的表面微观结构、与基体的结合强度以及亲水性和抗腐蚀性能.XRD和SEM测试结果表明,3种微弧氧化膜主要由金红石相和锐钛矿相组成,表面布满微孔,普通微弧氧化法和紫外光照射微弧氧化法制备的薄膜表面较为光滑,与基体的结合强度为53 Mpa,略高于复相微弧氧化膜;溶胶一凝胶膜主要由锐钛矿组成,表面最为光滑致密.与基体的结合强度为32 Mpa.接触角测试结果表明,紫外光照射微弧氧化膜的表面亲水性最好,溶胶-凝胶膜的亲水性要好于普通微弧氧化膜和复相微弧氧化膜;电化学腐蚀试验显示,4种TiO2薄膜都具有较好的抗腐蚀性能,而普通微弧氧化膜的抗腐蚀能力最好.     

0．18μm CMOS工艺3．1～5．2GHz低噪声放大器

基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性.利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18 μm CMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6 mm×1.5 mm.测试结果表明,在3.1～5.2 GHz频段内,S11<-15dB,S21>12dB,S22<-12 dB,噪声系数NF<3.1dB.电源电压为1.8V,功耗为14mW.     

1212Gb/s 0.25μm CMOS低功耗1∶4分接器(英文)

实现了一种能运用于光传输系统SONET OC-192的低功耗单级分接器,其工作速率高达12Gb/s.该电路采用了特征栅长为0.25μm的TSMC混和信号CMOS工艺.所有的电路都采用了源极耦合逻辑,在抑制共模噪声的同时达到尽可能高的工作速率.该分接器具有利用四分之一速率的正交时钟来实现单级分接的特征,减少了分接器器件,降低了功耗.通过在晶圆测试,该芯片在输入12Gb/s长度为231-1伪随机码流时,分接功能正确.芯片面积为0.9mm×0.9mm,在2.5V单电源供电的情况下的典型功耗是210mW.     

硫酸盐垢除垢剂BSSR除垢反应机理与矿场应用

在DTPA和EDTA基础上进行改性处理制备了除垢剂(简称BSSR)。BSSR能够与Ba²⁺形成稳定的五元环螯合物，对硫酸钡除垢率超过90%。在高温条件下，BSSR能够与碳酸盐岩缓速反应，对比盐酸的缓速率为99.8%。BZ-X-11井由于硫酸钡结垢问题导致停产，使用BSSR解堵作业后，日产液60 m³,日产油40 m³。BZ-X-2井开发层位属于潜山碳酸盐岩储层，井底流温185℃,常规酸液在缓速和缓蚀方面很难满足需求，使用BSSR作业后，该井产气量由43 000 m³/d提升至147 000 m³/d。     

产能约束下领导者具有双目标的产品族网络市场竞争研究

在具有产能约束的产品族网络市场中，研究一个具有双目标的领导者(自身利润和总消费者剩余最大化),以及多个以各自利润最大化为目标的跟随者，形成的复杂博弈问题。基于双层规划思想、带精英策略的快速非支配排序遗传算法和古诺博弈理论，设计一种含博弈的双层规划算法，采用精英策略提高算法的寻优能力和收敛速度，并运用数值算例分析算法的性能。基于该算法求解产品族网络市场竞争问题，得到网络均衡解集。研究发现：(1)领导者参与的产品变体细分市场的需求斜率越小(大)对关注自身利润(总消费者剩余)目标的领导者越有利；(2)网络中存在涟漪效应，产品变体产能约束能够抑制这种涟漪效应，但是企业总产能约束反而会加大涟漪效应；(3)在网络市场拓展中，领导者比跟随者更具有市场侵略性；(4)领导者更倾向于选择“远交近攻”的联盟方式，但跟随者之间更倾向于选择“近交远攻”的联盟方式。