首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   103篇
  免费   1篇
  国内免费   3篇
工业技术   107篇
  2023年   3篇
  2022年   1篇
  2020年   5篇
  2019年   6篇
  2018年   3篇
  2016年   4篇
  2015年   1篇
  2014年   5篇
  2013年   6篇
  2012年   5篇
  2011年   3篇
  2010年   3篇
  2009年   3篇
  2008年   2篇
  2007年   4篇
  2006年   11篇
  2005年   8篇
  2004年   7篇
  2003年   1篇
  2001年   1篇
  2000年   5篇
  1999年   4篇
  1998年   1篇
  1997年   2篇
  1995年   2篇
  1994年   4篇
  1993年   1篇
  1991年   2篇
  1990年   1篇
  1987年   2篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有107条查询结果,搜索用时 46 毫秒
71.
本文简述了活性染料的发展,介绍了新的活性染料中间体的结构和合成方法,以及由它们合成的活性染料。  相似文献   
72.
为解决黑暗环境中开启照明装置所带来的不便和不安全,设计了一种基于热释电传感器的人体热辐射检测电路.阐述了热释电红外传感器的结构,设计了包含有前置放大电路、电压比较电路、延时电路和电源电路组成的红外检测系统,分析了检测电路的工作原理,提出了检测电路的安装要求.所设计的电路性能可靠、成本低、易于安装,适用于居民家庭、宾馆走廊、学生宿舍、教学楼道等场合.  相似文献   
73.
骨瓷注浆泥料的配制   总被引:1,自引:0,他引:1  
从生产实际出发并结合作者的实践经验,提出了在骨瓷注浆泥料配制中应注意的问题。  相似文献   
74.
射频磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电膜及特性   总被引:11,自引:1,他引:10  
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率达到了 3 9× 10 -4Ω·cm ,方块电阻约为 4 6Ω/□ ,薄膜具有良好的附着性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上 .  相似文献   
75.
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ω·cm,方块电阻约为4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.  相似文献   
76.
二元结构中弱透水层基坑降水的水文地质特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过机理分析和理论计算阐述了汉口地区典型二元结构中弱透水层在基坑降水过程中出现的水文地质特性,即:渗透性呈极明显的各向异性,流土与管涌现象,弱透水层在降水维持阶段的两个"滞后"现象,弱透水层设置滤水管导致含沙量增大等.并依据其特性,提出了疏导与阻堵两种不同的处理方法,即设置砂井疏导,采用止水帷幕阻堵等两种措施.通过与减压降水相结合,成功地解决了弱透水层降低承压水的难题,为类似地层的施工提供了可借鉴的方法.  相似文献   
77.
指出了接入层设备的向分组化演进的趋势和接入层分组交换设备接口需求,简要介绍了接入层的设备原理及采用的QoS技术,然后提出了一种实现接入层的分组化方案,对方案的OAM模块实现和采用的降低功耗措施进行了说明.  相似文献   
78.
从热力学第二定律中的熵增理论出发,探讨热力学与商品经济学的关系.强调在商品生产和销售过程中必须遵循热力学中熵的定律,为建立开放的生产和销售体系,奠定了理论基础.  相似文献   
79.
高压配电线在当前的电力体系中占据着非常重要的地位,线路的规划的是否科学将直接影响电力设施的正常工作。因此,对高压配电线路改造工程优化设计显得非常重要。  相似文献   
80.
结合工程实列,简述了支护桩的计算方法,并从空间效应的影响范围和影响系数分析了护坡桩的空间受力简化计算;同时对双排护坡桩的受力特征及护坡桩截面配筋问题进行了探讨。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号